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一种半导体测试结构及测试方法
申请中
IPC: H10P74/00; H10W46/00
中国专利
摘要: 本发明提供一种半导体测试结构及测试方法，该测试结构包括基底、虚拟栅极组及测试区，其中，虚拟栅极组位于基底上方，包括在第一方向上具有间距且均至少沿第二方向延伸的第一虚拟栅极及第二虚拟栅极，第二方向垂直于第一方向，测试区形成于基底中，且测试区在第一方向上还位于第一虚拟栅极及第二虚拟栅极之间，所述测试区用于通过方块电阻值的大小值表征所述第一虚拟栅极及所述第二虚拟栅极的间距是否满足工艺要求。该测试结构可以实现通过对第一虚拟栅极与第二虚拟栅极之间的测试区的电学性质的测试以为半导体器件中相邻多晶硅栅极之间的间距的设计提供依据。该测试方法操作步骤简单且测试效率较高，能够显著缩短测试周期，节约测试成本。...
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一种低成本升温还原工段原料气的方法及系统
申请中
IPC: C01B33/035
中国专利
摘要: 本发明公开了一种低成本升温还原工段原料气的方法及系统，涉及多晶硅生产技术领域，包括以下步骤：A、设置换热装置，其内管程用于通入还原炉尾气，外管程用于通入原料气；B、还原炉连接的原料气进气主管分出部分进气作为换热进气，使换热进气与尾气在换热装置内进行热量交换；C、在换热进气的输送管路上设置调节阀Ⅰ，在混合管路处设置温度传感器，通过调节调节阀Ⅰ的开度控制进入外管程的换热进气量；D、将完成热交换的换热进气与进气主管路中未参与换热的剩余进气混合；E、将完成热量交换的尾气从换热装置的内管程导出，送至尾气回收工序，能够实现进气温度高效提升、精准控制，明显降低升温原料气的成本。...
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一种用于检测薄膜沉积异常的装置和方法
申请中
IPC: H10P74/20; H10P72/00
中国专利
摘要: 本公开实施例提供了一种用于检测薄膜沉积异常的装置和方法，该装置包括：第一测量单元，被配置为用于在薄膜沉积工艺之前，测量半导体晶圆的预沉积翘曲度；第二测量单元，被配置为用于在所述薄膜沉积工艺之后，测量所述半导体晶圆的后沉积翘曲度；以及处理器，与所述第一测量单元和所述第二测量单元进行通信连接，所述处理器被配置为基于所述预沉积翘曲度和所述后沉积翘曲度的测量值计算翘曲度变化量，并且被配置为通过将所计算的翘曲度变化量与为正常生长状态所预设的范围进行比较，将所述半导体晶圆上的薄膜的生长状态分类为多个预定义状态中的一个。...
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显示装置
申请中
IPC: H10K59/38; H10K59/80; H10K59/40; H10K59/12
中国专利
摘要: 根据一实施例的一种显示装置，包括基板、位于基板上的发光元件层、位于发光元件层上的第一封装层、位于第一封装层上的滤色器以及位于滤色器上的第二封装层。...
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半导体器件及其制造方法
已授权
IPC: H10D84/01; H10D84/85
中国专利
摘要: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：检测所述第一器件和所述第二器件的栅极结构之间的高度差；在所述半导体结构的表面依次沉积多晶硅层和牺牲层；减薄所述牺牲层至暴露所述第二器件的栅极结构上的多晶硅层的上表面；对所述第二器件中的栅极结构上方的所述多晶硅层进行回蚀刻，回蚀刻的距离为所述高度差；去除所述牺牲层，并将剩余的所述多晶硅层氧化。本申请提供的半导体器件及其制造方法，通过对第一器件的栅极高度进行补偿，以降低第一器件和第二器件的栅极高度差异。...
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电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法
已授权
IPC: B08B5/04; C01B33/035; B08B3/08; B08B13/00; C23C22/06
中国专利
摘要: 本发明公开了一种电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，包括底盘初清、底盘腐蚀钝化以及底盘深清，底盘初清包括清除底盘的待清洁表面的粉尘杂质；底盘腐蚀钝化包括：通过密封结构与底盘构造出封闭空间，以使待清洁表面位于封闭空间内；对封闭空间内的待清洁表面上的多晶硅聚合物清理；底盘深清包括：去除密封结构，并清洗待清洁表面。根据本发明的电子级多晶硅还原炉的底盘清洁方法，采用底盘初清、底盘腐蚀钝化以及底盘深清对底盘的多晶硅聚合物进行清理，避免使用打磨的方式清理多晶硅聚合物，避免金属杂质进入电子级多晶硅生产系统，进而可以提高多晶硅产品的质量。...
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光检测装置及测距系统
申请中
IPC: H10F39/00; G01S7/481; G01S17/894; G01S17/931
中国专利
摘要: 本公开的一个方式的光检测装置具备：第一半导体层，其包含受光元件，该受光元件被构成为受光并输出电流；设置在所述第一半导体层中的沟槽，所述沟槽围绕所述光接收元件；设置在所述沟槽中的遮光膜，所述遮光膜包括金属材料；以及设置在所述第一半导体层的第一表面侧上的第一布线。光接收元件包括设置在第一半导体层的第一表面侧上的第一导电类型的第一半导体区和第二导电类型的第二半导体区。所述第一布线包括多晶硅或非晶硅，并且电连接所述第一半导体区域和所述遮光膜。...
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层叠方向的杂质浓度分布在半导体层外侧具有峰的薄膜晶体管基板
申请中
IPC: H10D30/67
中国专利
摘要: 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；导体层，包括氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极部分；氧化物半导体层，位于比顶栅电极部分低的位置并且包括氧化物半导体薄膜晶体管的沟道区域；以及上绝缘层，位于导体层和氧化物半导体层之间。氧化物半导体层包括电阻比沟道区域低的低电阻区域。所述低电阻区域在所述绝缘衬底的面内方向上夹持所述沟道区域，并且包含引起所述低电阻区域的电阻降低的杂质。引起低电阻区域的电阻减小的杂质在分层方向上的浓度分布具有一个或多个峰值。所述一个或多个峰位于所述氧化物半导体层的外侧。...
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显示面板
申请中
IPC: G09G3/3233
摘要: 提供一种显示面板。显示面板包括复合驱动电路、以及由复合驱动电路驱动的发光元件和光检测器，并且复合驱动电路包括用于驱动发光元件的第一像素驱动电路和用于驱动光检测器的光检测驱动电路。第一像素驱动电路包括驱动晶体管和第一发光控制晶体管。光检测驱动电路包括输出控制晶体管。在同一复合驱动电路中，第一像素驱动电路和光检测驱动电路在垂直于显示面板的方向上至少部分地彼此重叠，并且第一像素驱动电路的第一发光控制晶体管的栅极电连接到光检测驱动电路的输出控制晶体管的栅极。...
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发光元件的检测装置及检测方法
申请中
IPC: G01R31/26; G01R1/067; G01R1/24
中国专利
摘要: 发光元件的检测装置及检测方法。该检测装置包括基板、第一信号线和第二信号线，其中第一信号线设置在基板上并沿第一方向延伸；所述第一信号线用于将第一类型信号传输至待检测元件；第二信号线设置于基板上且沿第二方向延伸。所述第一方向与所述第二方向相交；所述第二信号线用于向所述待检测元件传输第二类型信号；至少部分相邻的第一信号线和至少部分相邻的第二信号线共同在基板上限定出至少一个检测区域，用于容纳待检测元件；同一条第一信号线与位于不同检测区域的多个待检测元件电连接。...
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显示装置
申请中
IPC: H10K59/38; H10K59/122; H10K59/123; H10K59/131; H10K59/35; H10K59/40; H10K59/80
中国专利
摘要: 根据实施例的显示装置包括基板、在基板上的发光元件层、在发光元件层上的第一封装层、在第一封装层上的滤色器和在滤色器上的第二封装层。...
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一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法
已授权
IPC: G01N23/203; G01N23/20008; G01N1/32
中国专利
摘要: 本发明公开了一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法，包括以下步骤：S1、样片制备，S2、样片表面处理，S3、样片表面扫描，S4、扫描数据处理，S5、原料质量分析。优点在于：通过氩离子抛光结合EBSD电子背散射衍射仪，突破传统表面蚀刻的局限性，能够三维分析多晶硅内部晶粒尺寸、分布及晶界形态，更准确地反映多晶硅的物理生长形态和质量特性。基于晶粒均匀性标准的原料筛选，为在拉制前有效选择合格的区熔用多晶硅原料提供了科学、合理且有效的依据，可规避因微晶未熔融引发的位错化问题，从而显著提升单晶拉晶的成功率，减少原料浪费，降低生产成本；同时也可为多晶硅棒的采购和外销价格提供参考。...
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一种硅料清洗装置及使用方法
已授权
IPC: B08B3/10; B08B13/00
中国专利
摘要: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种硅料清洗装置及使用方法，包括筒体、CDI模块和环流管，CDI模块设于筒体的容纳空间内，使容纳空间形成两端的浓盐水室和中间的淡盐水室，硅料设于清洗区内，环流管设于筒体的两侧，一端与清洗区连通，另一端与阴阳离子树脂混合区连通，用于将清洗区的清洗水快速引入阴阳离子树脂混合区，CDI模块和环流管二者结合，可使硅料粘附的离子快速通过阴离子交换膜和阳离子交换膜，在浓盐水室中富集，始终保持清洗区中的水处于低离子浓度状态，环流管带动清洗区和阴阳离子树脂混合区的清洗水循环，不用连续通水，降低超纯水的用量，降低了硅料生产成本，同时减少酸性废水的产出，降低了废水处理成本。...
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使用晶片到晶片接合的三维存储器件
申请中
IPC: H01L25/065; H01L23/00; H01L25/18
摘要: 提供了一种使用晶片到晶片接合的三维存储装置。一种存储装置，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括第一衬底和外围电路区域，外围电路区域包括第一控制逻辑电路，第一控制逻辑电路被配置为控制非易失性存储装置的操作模式，第二芯片包括第二衬底和非易失性存储单元的三维阵列。第二芯片可以垂直堆叠在第一芯片上，使得第一基板的第一表面面向第二基板的第一表面，并且第二控制逻辑电路被配置为控制非易失性存储器件的操作条件，并且被布置在第二基板的第二表面上，第二基板的第二表面与第二芯片的第二基板的第一表面相对。...
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一种具有自清洁功能的银修饰氧化铜复眼阵列SERS基底
申请中
IPC: G01N21/65; B01J19/12
中国专利
摘要: 本实用新型公布了一种具有自清洁功能的银修饰氧化铜复眼阵列SERS基底，包括支撑衬底；在所述支撑衬底上表面设置聚苯乙烯(PS)微球阵列；在所述PS微球阵列上表面设置氧化铜复眼阵列；在所述氧化铜复眼阵列结构上表面设置银纳米颗粒。银修饰氧化铜复眼阵列SERS基底中腔阵列结构可高效地将自由空间的光场束缚于腔内空间，并与腔表面银纳米颗粒相互作用，形成强的局域电场，可有效地激发吸附在基底表面探针分子的拉曼光谱，提高SERS探测灵敏度。银修饰氧化铜复眼阵列SERS基底在白光的照射下，可对吸附在基底的分子进行高效催化降解，具有良好的自清洁能力，实现SERS基底的循环使用功能。本实用新型具有面积大、加工难度低、...
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调整晶圆翘曲度的方法及其装置、系统
已授权
IPC: H10P74/20; H10P14/43; H10P32/12; H10P14/694
中国专利
摘要: 本公开提供了一种调整晶圆翘曲度的方法及其装置、系统，涉及半导体芯片技术领域，用于实现对晶圆的翘曲程度的调整。上述调整晶圆翘曲度的方法包括：提供数据库；数据库包括至少一个对应关系，对应关系为晶圆的翘曲度变化量与工艺条件之间的对应关系；获取待调整的晶圆的翘曲度；根据所获取的翘曲度及对应的目标翘曲度，确定晶圆的翘曲度变化量；根据所确定的翘曲度变化量，确定调整晶圆的翘曲度要利用的对应关系；根据所确定的对应关系，确定与晶圆的翘曲度变化量对应的工艺条件；根据所确定的工艺条件对晶圆进行处理，调整晶圆的翘曲度，以使调整后的晶圆的翘曲度满足目标翘曲度。上述调整晶圆翘曲度的方法应用于三维存储器中。...
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存储器件的制造方法
已授权
IPC: H10B41/40; H10P50/68
中国专利
摘要: 本发明提供了一种存储器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底包括存储区及逻辑区；在逻辑区形成第一侧墙及第一浮栅；形成图形化的光刻胶层，覆盖存储区；检测图形化的光刻胶层是否合格，并对不合格的图形化的光刻胶层执行重工工艺，在执行重工工艺时，采用第一湿法工艺去除图形化的光刻胶层，第一湿法工艺的工艺温度低于或等于150℃。本发明中，采用第一湿法工艺去除不合格的图形化的光刻胶层，且其工艺温度小于或等于150℃，通过在相对灰化工艺更低的温度下去除不合格的光刻胶层，以减少逻辑区的浮栅多晶硅层的氧化，从而间接增大逻辑区的第一浮栅的蚀刻窗口，以利于后续蚀刻去除逻辑区的第一浮栅，从而解决逻辑区的浮栅残留问题。...
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多晶硅的破碎装置以及多晶硅的破碎方法
申请中
IPC: B02C1/02; B02C1/04; B02C25/00; C01B33/02
中国专利
摘要: 本发明提高了具有期望粒子尺寸的多晶硅的产率，并且充分地降低多晶硅的微粉的产生量。一种多晶硅(S)的破碎装置(1)，具备：驱动部(30)，驱动部(30)通过将多晶硅(S)夹在第1部件(10)与第2部件(20)之间，从而对多晶硅(S)进行破碎，驱动部(30)对第1部件(10)及第2部件(20)中至少一方进行驱动，以使第1部件(10)与第2部件(20)之间的最短间隔(D1)为17 mm以上且30 mm以下。...
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用于检测芯片上的激光电压探测攻击的系统和方法
申请中
IPC: G06F21/71; H01L21/144
中国专利
摘要: 在一个实施例中描述了一种用于检测芯片上的激光电压探测(LVP)攻击的系统。该系统包括以预定间隔设置在芯片上的温度传感器。每个温度传感器包括至少一个处于截止状态的晶体管。每个温度传感器的至少一个晶体管适于响应于由所述LVP攻击引起的温度升高而提供泄漏电流的增加，以检测芯片上的LVP攻击。在一个实施例中还描述了一种用于检测芯片上的激光电压探测攻击的方法。...
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三维垂直nor flash薄膜晶体管串
申请中
IPC: G11C16/04; G11C11/56; G11C16/10; G11C16/26; G11C16/28; G11C16/34; H10B43/10; H10B43/27; H10B43/35; H10B43/40; H10D1/00; H10D30/01; H10D30/67; H10D30/69; H10D62/10; H10D62/13; H10D62/17; H10D62/40; H10D62/83; H10D64/01; H10D64/68; H10D88/00
摘要: 存储器结构，包括存储晶体管，所述存储晶体管具有数据存储区域、栅极端子、第一漏极端子或源极端子以及第二漏极端子或源极端子，所述存储晶体管可配置为具有表示存储在所述数据存储区域中的数据的阈值电压；字线，电连接到栅极端子，被配置为在读取操作期间提供控制电压；将第一漏极端子或源极端子电连接到数据检测电路的位线；以及源极线，电连接到第二漏极或源极端子，配置成在读取操作期间提供足以维持第二漏极或源极端子与栅极端子之间的至少预定电压差的电容。...
