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一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法
已授权
IPC: H10W46/00; H10P74/20
中国专利
摘要: 本申请提供了一种检测Si位错的测试结构以及Si位错检测方法，其中，测试结构集成于待测晶圆的切割道中，且与所述待测晶圆中的器件同步形成，所述测试结构包括：隔离沟槽和有源区，所述有源区位于所述隔离沟槽两侧且互联，在所述有源区内设有源漏掺杂区域；所述隔离沟槽的长度大于设定值且所述隔离沟槽为分立式结构，在所述隔离沟槽内设有填充层。本申请能够避免晶圆报废，实现晶圆零损耗的缺陷监控，且能够通过电学参数量化Si位错缺陷，有助于提高晶圆良率。...
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一种硅电容及其制备方法
申请中
IPC: H10D1/68
中国专利
摘要: 本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽；在导电衬底上形成介质层；在介质层上沉积上电极；在上电极与导电衬底之间施加直流电压，并利用激光检测所有电容组件中的发热电容，生成发热地图；采用激光按照发热地图中的发热电容切割发热电容处的上电极以剔除发热电容；刻蚀上电极，以使上电极对应每个电容组件形成电极块；在电极块上形成钝化层；刻蚀钝化层并制备引出电极，多个电极块分别与引出电极连接，形成硅电容。该硅电容及其制备方法，能够提高器件整体良率与长期可靠性。...
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一种N阱与深P阱结测试结构、制备方法及测试方法
申请中
IPC: H10P74/00; H10P74/20; H10D30/01; H10D30/65; H10D62/10; G01R31/26; G01R31/12; G01R27/26
中国专利
摘要: 本发明涉及半导体器件制备及测试技术领域，特别是涉及一种N阱与深P阱结测试结构、制备方法及测试方法。上述N阱与深P阱结测试结构在N阱和P阱之间设计了一种特殊深沟槽结构，该深沟槽结构恰好由所述N型外延层表面穿透至所述深P阱层内，使得N阱电流只能通过目标N阱/深P阱PN结流向P阱，而不会流向深P阱下方的外延层，构成了独立的N阱/深P阱PN结二极管结构。能够模拟待测LDEMOS器件的N阱/深P阱PN结，单独测试N型LDEMOS器件的N阱与深P阱层之间PN结的纵向击穿电压和结电容，进而得到更加准确的LDEMOS器件的击穿特性分析及其可靠性失效分析结果。...
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半导体结构的检测方法以及测试元件组
申请中
IPC: H01L21/66; H01L23/544
摘要: 一种半导体结构的检测方法包含提供测试元件组测试元件组包含复数个隔离结构以及设置于各隔离结构之中的第一字元线及第二字元线其中第一字元线及第二字元线分别位于各隔离结构的两侧；对测试元件组执行第一蚀刻制程以移除隔离结构的上部并露出测试元件组的复数个主动区的顶表面 : 对测试元件组执行第二蚀刻制程其中第二蚀刻制程为湿式蚀刻制程; 以及对测试元件组执行缺陷测试判断测试元件组是否包含字元线缺陷。; . : .....
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半导体结构的检测方法以及测试元件组
申请中
IPC: H10P74/20
摘要: 本发明实施例提供一种半导体结构的检测方法以及测试元件组，该半导体结构的检测方法包含提供测试元件组，测试元件组包含多个隔离结构以及设置于各隔离结构之中的第一字元线及第二字元线，其中第一字元线及第二字元线分别位于各隔离结构的两侧；对测试元件组执行第一刻蚀工艺以移除隔离结构的上部并露出测试元件组的多个主动区的顶表面 : 对测试元件组执行第二刻蚀工艺，其中第二刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺；以及对测试元件组执行缺陷测试，判断测试元件组是否包含字元线缺陷。本发明实施例提供的半导体结构的检测方法以及测试元件组，提高了存储器装置的良率。...
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HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构和方法
申请中
IPC: H10P74/20; G01N27/20
中国专利
摘要: 本发明公开了一种HKMG制程中Al腐蚀缺陷的检测结构，第一测试区域中包括多条平行排列的第一栅极条形；各第一栅极条形包括第一P型栅极段和两端的第一N型栅极段；第一N型栅极段的伪多晶硅栅去除工艺是在第一P型栅极段形成之后进行。在靠近P型和N型栅极段的第一交界面处的第一P型栅极段上具有第一Al腐蚀缺陷检测区；各第一Al腐蚀缺陷检测区的顶部形成有接触孔。第一测试区域的各第一栅极条形通过接触孔和第一金属层图形形成首尾相连的第一链式测试结构；在第一链式测试结构的两端的第一端部接触孔连接到对应的测试衬垫。本发明能通过电性测试的方法来检测HKMG制程中Al腐蚀缺陷，且通过检测结构的设置能实现对Al腐蚀缺陷的全...
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一种带有上电反馈的修调电路、修调方法及芯片
申请中
IPC: H03K17/51; H03K17/687
中国专利
摘要: 本发明公开了一种带有上电反馈的修调电路、修调方法及芯片，涉及集成电路技术领域，修调电路包括初始化控制模块与多个熔丝单元；熔丝单元包括熔丝模块和修调位控制模块，熔丝模块与初始化控制模块连接；熔丝模块包括多晶硅熔丝；修调位控制模块包括并联在多晶硅熔丝两端的开关管；初始化控制模块用于在电源是上电过程中产生控制信号；熔丝模块用于在控制信号有效期间，产生流经多晶硅熔丝的检测电流；修调位控制模块用于根据流经多晶硅熔丝的检测电流所产生的电压信号，锁存多晶硅熔丝的修调状态；若多晶硅熔丝为熔断状态，则控制开关管导通，以将多晶硅熔丝的两端短接，解决了多晶硅熔丝修调后阻值范围较宽及漏电通路导致的静态功耗问题。...
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一种用于粉体物料全自动抽磁检测装置及方法
已授权
IPC: G01N27/82; B03C1/02
中国专利
摘要: 本发明公开了一种用于粉体物料全自动抽磁检测装置及方法，包括壳体、粒状多晶硅下料组件、卷纸、强力电磁铁总成以及轨迹画面捕捉单元；所述粒状多晶硅下料组件与壳体顶部连接，将粒状多晶硅落入壳体内；所述卷纸以及强力电磁铁总成均设置在壳体内部，所述强力电磁铁总成可移动地设置在卷纸的后侧，粒状多晶硅的下落方向位于卷纸的前侧，通过强力电磁铁总成的磁力将下落的粒状多晶硅中磁性颗粒吸附于卷纸上并随强力电磁铁总成轨迹一同移动；所述轨迹画面捕捉单元位于卷纸的前端，用于捕捉磁性颗粒的移动轨迹，方便将磁性颗粒物质的数量统计并输出，同时可快速的记录、判断、分析、导出磁性物质抽查检测报表。...
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一种基于人工智能的太阳能发电量预测系统
申请中
IPC: H02S50/00; G06N20/00; G08B21/18; H02J3/00; H02S40/34; H02S40/42
摘要: 根据本发明的一个实施例的光伏发电预测系统包括：数据收集单元，包括气候因素数据和必要数据，所述气候因素数据包括外部温度和太阳能电池板的电池温度，所述必要数据包括设置太阳能电池板的场所的位置数据；物理模型算子单元，其基于根据所述位置数据计算出的天文要素值来计算物理模型值；发电估计运算部，其基于所述物理模型值来计算发电估计；机器学习算子，其以所述发电量估计作为输入来进行机器学习，并基于所述机器学习的结果来算出最终的发电量预测；以及控制部，其按所述站点的每一个选择多个机械学习模型中的一个，并设定所述机械学习的设定。...
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利用人工智能无人驾驶农机的太阳光发电装置
申请中
IPC: H02S20/30; A01G25/02; G01R19/00; G01R19/10; G01R19/165; G01R31/52; G06N20/00; G08B3/10; H02S40/10; H02S40/42; H02S50/00
摘要: 本发明涉及一种利用人工智能的农业用光伏发电管理装置，特别是一种利用人工智能的农业用光伏发电管理装置，其特征在于，适当调整设置于农业用地上部的太阳能发电设施的角度，使得能够进行发电而不使农作物的生长恶化，以及监控单元，用于实时收集关于所述发电系统的太阳能发电量的第一信息和关于在部署有所述发电系统的农业用地上栽培的农作物的生长的第二信息，作为农业光伏发电系统的管理装置，收集单元从所述监控单元接收所述第一信息和所述第二信息，并且从外部服务器接收包括包括所述农业用地的区域的气象信息、大气环境信息和地形信息的第三信息，以及分析单元，所述分析单元基于所述第一信息或所述第三信息来计算所述发电系统的太阳能发电...
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使用集成在其上的TFT光电检测器处理生物特征的显示面板
申请中
IPC: H10F39/00; G02F1/133; G02F1/1333; G02F1/13357; G06F3/041; G06F3/042; G06V40/13; H10F30/282; H10F77/16; H10K59/40; H10K59/60; H10K59/65
摘要: 一种显示面板，包括：显示像素，被配置为照射光；图像传感器像素，与显示像素一起被包括在一个单位像素中，包括薄膜晶体管(TFT)光电检测器，包括在非晶透明材料上由非晶硅或多晶硅形成的有源层，并且被配置为收集从位于透明材料上的身体反射的光；以及处理器，被配置为根据从身体反射的光处理生物特征以及身体的定位。...
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半导体结构的检测方法及测试元件组
申请中
IPC: H10B12/00
摘要: 一种半导体结构的检测方法，包括提供一测试元件组。测试元件组包括多个隔离结构以及设置在每个隔离结构中的第一字线和第二字线。所述第一字线和所述第二字线在所述隔离结构中的每一个的相对侧上。检测方法还包括对测试元件组执行第一蚀刻工艺，以去除隔离结构的上部，并暴露测试元件组的有源区的顶表面。所述检测方法还包括对所述测试元件组进行第二刻蚀工艺，所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。所述检测方法还包括对所述测试单元组执行缺陷测试，以确定所述测试单元组是否包含字线缺陷。...
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散射测量方法和散射测量装置
申请中
IPC: G01B11/02; G01B11/08; G01B11/24; G01B11/26
中国专利
摘要: 公开了一种散射测量方法和散射测量装置。在散射测量方法中，宽带IR测量光被引导到基板上，然后穿过基板的表面并到达被测量单元。IR测量光具有在2 μ m至7.5 μ m或25 μ m至35 μ m的范围内的波长。然后从衬底和被测量单元接收散射的IR测量光，由此确定被测量单元的表征参数。...
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电子基板及其制造方法以及显示面板
申请中
IPC: G09G3/00; H10D86/40; H10D86/60; H10K59/12; H10K59/131; H10K71/00; H10K71/20
中国专利
摘要: 提供一种电子基板、电子基板的制造方法以及显示面板。电子基板包括衬底基板，衬底基板包括显示区域和显示区域外侧的周边区域。电子基板还包括显示区中的多个子像素和多条数据线，以及周边区中的多个信号输入焊盘、多条第一检测线和多条第二检测线。所述多条第一检测线和所述多条第二检测线在所述多个信号输入焊盘远离所述显示区的一侧，且与所述多个信号输入焊盘电连接。多条第一检测线由非金属导电材料制成，多条第二检测线由金属导电材料制成，多条第一检测线中的至少一条设置在每两条相邻的第二检测线之间。该电子基板可以有效降低检测线之间短路的风险。...
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半导体组件
申请中
IPC: H10P74/20; H10P74/00
中国专利
摘要: 本发明提出一种半导体组件，包含基底、保护结构、以及导电结构。基底包含主动区，主动区具有边缘。主动区包含控制电路。保护结构设置于基底上并包围主动区的至少一部分。导电结构设置在基底上且至少部分地在主动区的边缘和保护结构之间。导电结构的第一端和第二端皆电性连接至控制电路。控制电路用以传送检测信号至导电结构的第一端，并从导电结构的第二端接收回传信号，其中控制电路不会主动传送信号至保护结构。因此可以方便测试是否有晶粒裂痕。...
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基于物联网的肥料生产过程控制方法系统及存储介质
申请中
IPC: G05B19/418
中国专利
摘要: 本发明公开一种基于物联网的肥料生产过程控制方法，通过物联网感知层多类型传感设备，实时采集含原料特性、设备运行、环境参数及微尺度成形参数的全维度生产状态数据；经物联网传输层将数据传至边缘计算节点，节点用预设算法预处理数据，包括剔除异常、补充缺失及标准化格式；节点调用预构建的肥料生产参数映射模型，结合预处理数据与目标产品质量需求，生成设备控制指令；指令经传输层下发至生产设备执行机构，调整设备运行参数；感知层成品检测设备采集质量数据并反馈，节点据此动态优化模型，形成闭环控制。本发明显著提升产品质量一致性、降低能耗、减少原料浪费并提高生产效率。...
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一种微型集成式红外气体传感器芯片
申请中
IPC: G01N21/3504; G01N21/01
中国专利
摘要: 本发明公开了一种微型集成式红外气体传感器芯片，属于传感器技术领域，包括第一晶圆和第二晶圆所述第一晶圆和第二晶圆通过合方式连接并构成光学气室；所述第一晶圆上方开有通气孔，所述光学气室内壁镀有反光膜层，设置为仅供红外光源发射的红外光通过；所述光学气室内设有周期性微纳结构；所述第二晶圆表面覆盖有绝缘膜层，所述绝缘膜层上方设置有红外光源和红外探测器。通过双晶圆键合形成光学气室，集成周期性微纳结构增强红外光与气体相互作用，结合双通道差分探测器抑制环境干扰，同时通过反光膜层、保护膜层、复合绝缘膜层等多层结构提升稳定性和选择性，最终实现微型化、高灵敏度的气体检测功能。...
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一种多晶硅流化床反应器
申请中
IPC: B01J8/24; C01B33/035; B01J8/18; B08B9/087
中国专利
摘要: 本发明公开了一种多晶硅流化床反应器，本发明涉及多晶硅制造技术领域，包括反应筒，所述反应筒的底端侧壁固定连接有多个支撑柱，多个所述支撑柱的一端均固定连接有底板。本发明能够在需要对颗粒状多晶硅进行反应生产时，利用第一气孔与第二气孔向反应筒内不断吹气，使反应筒内的反应气体在反应筒内四处分散，便于与颗粒状多晶硅之间进行反应，并且能够在反应筒完成工作后，利用检测板对反应筒内壁是否沉积硅进行检测，在检测到反应筒内壁沉积硅的位置后，利用处理板将反应筒内壁沉积硅刮掉，避免工作人员还需要定期对反应器内壁是否沉积硅进行检测，之后再对反应器内壁所沉积的硅进行清理，影响反应器连续运行的时间。...
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一种硅烷、氯硅烷混合气处理工艺及控制系统、方法
申请中
IPC: B01D53/78; B01D53/68; B01D53/14; C02F9/00; C02F1/66; C02F1/00; C02F1/58
中国专利
摘要: 本发明公开了一种硅烷、氯硅烷混合气处理工艺及控制系统、方法，涉及多晶硅生产中废气处理技术领域，工艺包括下述步骤：S1、混合气预处理；S2、氯硅烷深度脱除；S3、硅烷去除，经三级处理后至尾气中硅烷含量≤1.0mg/m3、氯硅烷含量≤1.0mg/m3，再放空尾气，同时公开了适用于该工艺的控制系统和控制方法，实现对多晶硅生产中产生的含氯硅烷、硅烷、氮气、氢气的混合工艺气体优化处理，减少碱液的使用，降低排放、降低生产成本。...
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NPW样片的制备方法及其应用
申请中
IPC: H10P50/64; H10P50/68; H10P50/28; H10P74/20
中国专利
摘要: 本发明提供一种NPW样片的制备方法及其应用，在半导体基底上形成复合叠层，并通过旋转式托盘及喷头向位于复合叠层顶部的第一材料层的局部区域喷射第一刻蚀溶液以进行第一刻蚀工艺，形成贯穿第一材料层的第一凹槽，从而本发明可在不使用光罩及光刻胶的情形下，制作NPW样片，且可在同一NPW样片上、同一机台中，完成如掺杂浓度、生长速率、侧向刻蚀、粒子状况、选择性沉积及选择性刻蚀等的检测，从而可降低机台污染风险，降低研究成本，缩短研究周期，提高检测准确性，提高检测效率。...
