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受光元件、光学装置及电子设备
申请中
IPC: H10F30/225; H10F39/00; H10F39/18; H10F77/00
中国专利
摘要: 提出了一种光接收元件，其能够在降低到读出电路的输入电压的同时降低功耗或死区时间中的至少一个。提供了一种光接收元件(200)，包括：光子响应倍增部分(210)，其包括能够倍增响应于光子入射而产生的电荷的电荷倍增区域；第一电阻器部分(211)，其一端连接到光子响应倍增部分的一端，并且具有比光子响应倍增部分的电阻值大的电阻值；第二电阻器部分(212)，其一端连接到第一电阻器部分的另一端；以及读出单元(230)，其连接到第一电阻器部分的另一端，并且经由第一电阻器部分读出来自光子响应倍增部分的输出。...
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一种太阳能伞及其方法
申请中
IPC: H01L31/054; G06F8/06; G01S17/01; H01L31/048; H01L31/05
摘要: 本发明公开了一种安装在车辆(108)上的太阳伞(106)。太阳能伞(106)包括用于产生电能的能量产生单元(202)、定位在能量产生单元(202)附近以将光引导并集中到能量产生单元(202)上的光引导单元(204)、以及附接到能量产生单元(202)以耗散来自能量产生单元(202)的过量热量的热管理单元(206)。电子控制单元(ECU)(212)实现太阳伞(106)与车辆(108)中的远程信息处理控制单元(TCU)之间的双向数据通信，并接收至少一个展开指令。另外，展开单元(208)基于所述至少一个展开指令来展开和收回太阳伞单元(106)。发布内容包括：图1和图2...
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具有嵌入式加热元件的热发射器
已授权
IPC: G01N21/3504; G01N21/3577; G01N21/359; G01N21/17; B81B7/02
中国专利
摘要: 本公开总体上涉及具有嵌入式加热元件的热发射器。热发射器(1)包括由基底(3)支撑的独立膜(2)，其中独立膜(2)在横向延伸中包括中心区段(2‑1)、传导中间区段(2‑2)和边界区段(2‑3)，其中传导中间区段(2‑2)横向地围绕中心区段(2‑1)并且与中心区段(2‑1)电隔离，传导中间区段(2‑2)包括被包封在绝缘材料中的导电半导体材料，以及其中边界区段(2‑3)至少部分地围绕中间区段(2‑2)并且与传导中间区段(2‑1)电隔离，其中穿孔(4)穿过边界区段(2‑3)而形成。...
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一种节省燃料气的自动点火控制系统及方法
申请中
IPC: F23G7/06; F23G5/50; F23G5/44; F23Q21/00
中国专利
摘要: 本发明公开了一种节省燃料气的自动点火控制系统及方法，涉及多晶硅生产中事故尾气处理技术领域，方法包括步骤：S1、尾气通道分级设置：将事故尾气放空气流引导至2级及以上放散通道；S2、长明灯分级联动控制：配置与放散通道级别数量一致的2级及以上长明灯系统，每级放散通道对应1个长明灯，长明灯燃料气管道上均设置仪表控制阀，并与进气缓冲罐的压力信号联锁；S3、分级点火触发：当进气缓冲罐压力达到对应级别的压力阈值时，联锁开启对应级别长明灯燃料气管道的仪表控制阀，同时触发对应高能点火枪动作，使燃料气进入长明灯后被点燃，解决现有技术的硅烷生产过程中，硅烷事故尾气的自动点火系统存在大量无效燃料消耗，运行成本较高的问...
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X射线测量系统和X射线测量方法
申请中
IPC: G01N23/18; G01N21/88; G01N21/95
摘要: 一种X射线测量系统和X射线测量方法。X射线源被配置成产生入射X射线束。光学反射镜组件被配置成将入射X射线束聚焦在预定位置处。发散角控制元件设置在光学反射镜组件和预定位置之间。发散角控制元件具有彼此间隔开预定距离的第一部分和第二部分。聚焦的入射X射线束的至少一部分在第一部分和第二部分之间穿过。二维检测器被配置为接收从被聚焦的入射X射线束照射的测试对象产生的测量X射线束，并且测量X射线束具有随预定距离变化的发散角。...
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MEMS惯性传感器、检测方法以及电子设备
已授权
IPC: G01P15/125; B81B7/02; G01C21/16
中国专利
摘要: 本申请实施例提供了一种MEMS惯性传感器、检测方法以及电子设备；其中，MEMS惯性传感器包括基底、第一电极、第二电极、质量块以及弹性梁；基底的一侧设有绝缘层；第一电极和第二电极间隔地设于绝缘层上；质量块悬空设于基底的上方，质量块包括第一部分、第二部分及第三部分；弹性梁用于连接基底与质量块，弹性梁连接在基底的锚点上，第一部分、第三部分与第二部分位于弹性梁的两侧；第二部分与第二电极形成第一电容器，第三部分与第一电极形成第二电容器；第二电容器能形成塌陷工作模式，在塌陷工作模式下，第一电容器用于形成检测端，MEMS惯性传感器在塌陷工作模式下能够根据获取的电容变化量进行检测感知。...
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测量人体组织内压力和温度的微型传感器及其封装工艺
申请中
IPC: A61B5/01; A61B5/03; A61B5/00
中国专利
摘要: 本申请涉及一种测量人体组织内压力和温度的微型传感器及其封装工艺，通过在载板上布局压力传感器以及温度传感器，压力信号采样模块根据压力传感器上单晶硅和多晶硅薄膜压敏电阻的电阻值的大小变化，来检测压力信号，实现对压力的测量，温度信号采样模块根据温度传感器上热敏电阻的电阻值的大小变化，来检测温度信号。压力传感器与温度传感器共用接地线，实现了在载板上将压力传感器以及温度传感器进行微组装，提高了微型传感器件的便利度以及减少了封装体积。...
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具有高灵敏度的差示量热计
已授权
IPC: G01K17/00; G01K17/04; G01N25/48
中国专利
摘要: 本发明涉及一种用于检测样品的热力学特征变量的差示量热计，其中，至少一个加热元件(2)和作为温度传感器的至少一个热元件(3)在每种情况下以涂层的形式形成在平面基板(1)的表面上，所述平面基板(1)由玻璃、玻璃陶瓷、玻璃碳或陶瓷材料形成，其具有小于20W/(m K)的热导率。...
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光检测装置和电子设备
申请中
IPC: H10F39/18; H10F39/00
中国专利
摘要: 根据本发明的实施方案的光检测装置包括：第一基板，其具有对光进行光电转换的多个光电转换元件；第二基板，其与所述第一基板层叠并且具有多个读出电路，所述多个读出电路能够基于由所述光电转换元件转换的电荷输出第一信号；贯通电极，其针对所述第二基板中的各个所述读出电路或每多个所述读出电路设置，并且能够传输所述第一信号；以及第一绝缘层，其设置为在所述贯通电极周围贯穿所述第二基板。...
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具有爆炸屏蔽的半导体封装
申请中
IPC: H02H7/00
摘要: 一种半导体封装，包括：金属焊盘和引线；半导体管芯，包括附接到所述金属焊盘的半导体衬底；导体，包括位于所述半导体衬底上方的牺牲熔丝元件，所述牺牲熔丝元件电耦合在所述引线之一和所述半导体管芯的至少一个端子之间；减震材料，位于所述牺牲熔丝元件的轮廓上方；以及模制化合物，覆盖所述半导体管芯、所述导体和所述减震材料，并且部分地覆盖所述金属焊盘和引线，其中所述金属焊盘和所述引线暴露在所述半导体封装的外表面上。所述冲击吸收材料的玻璃化转变温度或所述冲击吸收材料的熔点低于所述导体的熔点。...
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具有流体装置的感测芯片
申请中
IPC: G01N33/543; B01L3/00; G01N27/414; G01N33/569
摘要: 一种具有流体装置的感测芯片，包括具有第一区域和第二区域的基板，场效应晶体管设置在基板的第二区域中，并与场效应晶体管电连接。流体装置包括具有窗口的绝缘层，以暴露第二区域中的衬底表面。第二栅电极布置在衬底的第二区域上的隔离层的窗口中。样品置于流体器件中与第二栅电极接触，金属层上的受体将捕获样品中的目标物，因此金属层的电压将随着受体捕获的目标物的量而变化。因此，样品中目标物的浓度可以通过金属层电压的变化来获得。...
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基于智能能源的自持式环保垃圾箱及利用该垃圾箱的信息传递系统
申请中
IPC: B65F1/14; G06Q50/26
摘要: 本发明感知废弃物的装载状态，在基于太阳能运行的自带垃圾桶系统中，具备废弃物投入的投入口和废弃物通过投入口流入的收集空间以储存废弃物的本体；多晶硅光伏组件，安装在所述本体的外侧，被配置为在预设的太阳辐射条件下输出电力；储能装置，与所述光伏组件电连接，配备有磷酸铁锂电池组，所述磷酸铁锂电池组被配置为存储超过预设容量的电力；负荷检测传感器，其根据废弃物的高度或质量来测量负荷，并且在超过预先设置的基准负荷能力的情况下生成指示已经满足收集请求条件的信号；组合式气体传感器，其检测所述采集空间内部的空气中的气味产生成分的浓度，如果超过预先设定的基准浓度，则生成表示已经满足气味报警条件的信号；基于微控制器的控...
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一种宽温度范围基准电压源电路
申请中
IPC: G05F1/567
中国专利
摘要: 本发明公开一种宽温度范围基准电压源电路，涉及集成电路设计领域，用于解决现有技术中带隙电压源电路在宽度温度范围内的输出电压稳定性较差的问题。包括带隙基准核心模块、分段高阶温度补偿模块、带隙启动及钳位模块、自偏置模块以及运算放大器模块；带隙基准核心模块采用Brokaw型结构，产生具有一阶温度补偿特性的基准电压；分段高阶温度补偿模块产生高阶温度补偿电流并注入所述带隙基准核心模块；带隙启动及钳位模块在电路上电时提供启动电流并对关键节点电压进行钳位；自偏置模块产生与电源电压无关的偏置电压；运算放大器模块维持所述带隙基准核心模块内部节点的电压平衡。本发明可以实现宽温度范围、低温度系数且PVT稳定的带隙基准...
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用于BC电池的大尺寸N型硅片及其制备方法和BC电池
已授权
IPC: H10F77/14; H10F10/14; H10F71/00; H10F77/20; H10F77/30; B28D5/04; B28D7/02; C30B15/04; C25D3/38; C25D7/12; C30B15/20; C30B29/06; C30B33/10; C23C16/34; C23C16/50; C23C16/52; C23C28/00
中国专利
摘要: 本发明涉及光伏电池技术领域，具体而言，涉及用于BC电池的大尺寸N型硅片及其制备方法和BC电池。大尺寸N型硅片的尺寸≥230mm×230mm、厚度为90~130μm，大尺寸N型硅片的边缘为圆弧倒角，且边缘处包裹有SiNx层；大尺寸N型硅片包括中心区域和包围中心区域的边缘区域，边缘区域中的掺杂元素锑的含量≤1×1015atoms/cm3；中心区域中的掺杂元素锑的含量为1×1016~5×1016atoms/cm3。通过设置边缘圆弧倒角并包裹SiNx层、边缘低掺杂，能够在保证机械强度、降低碎片率的同时，降低边缘载流子复合，提升开路电压，提升电池功率输出。...
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具有集成温度感测的晶体管IC装置
申请中
IPC: G01K7/01; H01L23/34; H01L29/06; H01L29/40; H01L29/66; H01L29/78
中国专利
摘要: 本公开介绍了一种包括晶体管和电路的IC装置，以及制造这种IC装置的方法。该晶体管被构造在形成于半导体衬底中或之上的层中，并且包括接近该晶体管的特征的多晶硅构件。所述电路包括到所述多晶硅构件的两个连接，且经配置以检测所述多晶硅构件的温度相关特性。晶体管还可以或代替地包括半导体衬底的相反掺杂部分，其形成结型二极管。电路还可以或代替地包括到相反掺杂的衬底部分的连接，并且可以被配置为检测结型二极管的温度相关特性。...
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用于高速阻性栅极传感器的偏置和读出方法
申请中
IPC: H10F39/00; H10F39/18
摘要: 光子或电子检测器可以包括多晶硅电阻栅极，所述多晶硅电阻栅极具有施加的电压梯度以减小滞后并提高操作速度。多晶硅电阻栅可以是掺杂的多晶硅，其被重掺杂有施主原子或受主原子，并且被离子注入有电非活性物质。非电活性物质可以以图案注入，以形成具有不同电阻率的多个离子注入区域。以选择的图案形成离子注入区域，以控制多晶硅电阻栅极的电阻率，并修改穿过差分偏置的多晶硅电阻栅极的横向电场。X射线检测器还可以包括具有电流模式差分连接的电路元件，以改善时钟馈通和功率耗散特性。...
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具有集成温度感测的晶体管IC器件
申请中
IPC: H10D89/00
中国专利
摘要: 本公开介绍了一种包括晶体管和电路的IC装置，以及制造这种IC装置的方法。该晶体管被构造在形成于半导体衬底中或之上的层中，并且包括接近该晶体管的特征的多晶硅构件。所述电路包括到所述多晶硅构件的两个连接，且经配置以检测所述多晶硅构件的温度相关特性。晶体管还可以或代替地包括半导体衬底的相反掺杂部分，其形成结型二极管。电路还可以或代替地包括到相反掺杂的衬底部分的连接，并且可以被配置为检测结型二极管的温度相关特性。...
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具有无图像失真的电阻读取的硅传感器
申请中
IPC: G01T1/24
摘要: 本发明涉及用于检测电离辐射的半导体器件，其具有位置敏感电阻读取系统，在读取电极之间具有低电阻连接(串)，以限制在确定辐射的冲击位置时的失真。本发明集中于所述串的最佳特性，改变它们的掺杂水平和/或它们的几何特性作为它们的长度L的函数，以便调节它们的电阻。以这种方式，可以优化电离辐射的入射点的重建的精度，将事件位置的重建中的失真减小到可忽略不计。...
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增强性能的MEMS扬声器
申请中
IPC: H04R17/00; H04R7/14
摘要: 本发明涉及一种MEMS换能器，其包括用于在流体中产生或接收垂直方向上的压力波的可振动膜，其中，所述可振动膜由载体支撑，并且所述可振动膜具有两个或更多个垂直区段，所述垂直区段平行于所述垂直方向形成并且包括至少一个致动器材料层。优选地，所述振动膜的端部连接有电极，以通过驱动所述至少一个电极来诱导所述两个以上的垂直部水平振动，或者在诱导所述两个以上的垂直部水平振动时在所述至少一个电极处产生电信号。...
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一种引信模块的模拟燋丝的熔断能量估算方法及系统
申请中
IPC: G16C60/00; G06F30/23; G06F17/13; G06F111/10; G06F119/08
中国专利
摘要: 本发明涉及电子器件模拟检测的技术领域，公开了一种引信模块的模拟燋丝的熔断能量估算方法及系统；所述熔断能量估算方法，应用于电子模拟设备，具体包括以下步骤：S101：基于模拟燋丝的物理结构，建立包含金属熔丝层、绝缘层和半导体基底层的三维热传导物理模型，精确表征热量从金属熔丝层产生后，依次通过二氧化硅绝缘层和硅基底层向恒温热沉传导的整个过程，并通过具体材料参数和边界条件完成量化定义。本发明的多层热传导物理模型综合考虑了金属熔丝层、绝缘层和半导体基底层的热传导特性，通过量化定义材料参数和恒温边界条件，实现了对热量传递路径的精确表征，显著提升了熔断能量估算的准确性和可靠性。...
