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具有布置在衬底中并具有沿衬底表面的多个区域的半导体区域的光电转换器件
申请中
IPC: H10F39/00; H10F30/225
摘要: 一种光电转换装置，包括：基板；光电转换单元，布置在基板中并且被配置为产生与入射光对应的电荷；以及像素隔离部，布置在基板中并且将光电转换单元与其他元件隔离。在横截面视图中，像素隔离部分的侧壁具有多个凹陷和突起。所述多个凹陷和突起的至少一部分的周期大于光电转换单元对其具有灵敏度的光的波长的1/2。...
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具有集成温度感测的晶体管IC设备
申请中
IPC: H01L23/34; H10D84/80; H10D84/01
中国专利
摘要: 本公开涉及一种具有集成温度感测的晶体管IC设备。本公开提出了一种包含晶体管和电路系统(338、339)的IC设备(100、200、300、400、420、430、440、480、600、800)，以及制造这种IC设备的方法(500、700)。晶体管以形成于半导体衬底(104、204、304)中或上方的多层的形式构造，并且包含在晶体管的特征附近的多晶硅构件(320、324)。电路系统包含到多晶硅构件的两个连接件(336、337、401、402、431、432、481、482、484、485)，并且经配置以检测多晶硅构件的温度相依特性。晶体管还可以或替代地包含半导体衬底的形成结型二极管(647)的...
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一种改善TOPCon电池边缘钝化的方法
申请中
IPC: H10F71/00; H10F77/70
中国专利
摘要: 本发明公开了一种改善TOPCon电池边缘钝化的方法，涉及电池制造技术领域，包括：采用碱腐蚀制绒工艺；将硅片送入炉管内；抽真空，验证炉管气密性；在硅片表面沉积氧化层；向炉管内通入硼源，使硅片获得预设硼源表面浓度；对炉管进行高温推进处理，使硅片形成PN结；在硅片表面生长氧化层；降低温度，取出硅片；使用激光设备对完成硼扩散的硅片进行划线处理；通过碱抛工艺去除硅片边缘的PN结，形成硅结构；之后对硅片依次进行氧化铝钝化层和氮化硅保护层沉积处理，完成电池制备操作。本发明通过激光打标结合湿法刻蚀方法，去除正面硼扩发射极，避免晶格损伤，确保钝化效果，再经过氧化铝和氮化硅叠层钝化，可降低边缘复合速率，提升电池性...
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一种多晶硅水淬系统
申请中
IPC: B02C25/00; B02C19/18; B02C19/16; B02C23/04
中国专利
摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅水淬系统，具体涉及多晶硅水淬技术领域，所述水淬系统包括集成式控制单元、预热模块、水淬模块、温度调节模块、自动化物料输送模块、硅棒破碎模块、热能回收模块和安全监控单元。本实用新型所述的一种多晶硅水淬系统，通过集成式控制单元的智能优化算法和实时数据采集，动态调整操作条件以适应不同硅棒特性，提高水淬效率和均匀性；安全监控单元实时监控温度、压力和泄漏，自动停止异常操作，降低安全事故风险；热能回收和水循环净化组件有效降低能耗和资源浪费，能源管理组件优化能源效率，减少成本；快速更换和维护设计简化维护流程，降低维护成本，缩短停机时间；故障诊断系统减少意外停机，保障生产连续性。...
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一种多晶硅歧化反应塔内的催化剂的处理方法
申请中
IPC: B08B3/08; B08B3/04; B08B13/00; C01B33/107
中国专利
摘要: 本发明提出了一种多晶硅歧化反应塔内的催化剂的处理方法，包括以下步骤：步骤1，通过所述多晶硅歧化反应塔的塔底管线压出塔釜内的全部物料；步骤2，通过所述多晶硅歧化反应塔上部的回流管线向塔内输入四氯化硅，形成全回流循环；步骤3，在所述全回流循环时若满足第一预设条件，则执行步骤4；步骤4，进行无回流状态置换，达到预设时间后，停塔并压出塔釜中的全部四氯化硅；步骤5，在塔内进行热氮置换；步骤6，拆除催化剂，并进行后续处置。...
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多晶硅生产设备的控制方法、装置及设备
申请中
IPC: G05B19/418
中国专利
摘要: 本申请公开一种多晶硅生产设备的控制方法、装置及设备。该方法包括：获取由数字孪生模型提供的多晶硅生产设备的状态变量向量、实时能源储量、预测剩余寿命和故障预测结果；根据状态变量向量，确定包含能源成本、碳排放及新能源消纳的多目标函数为第一目标函数；根据实时能源储量和预测剩余寿命，确定动态约束条件；基于故障预测结果和动态约束条件，利用深度强化学习算法和混合整数规划算法分别求解第一目标函数，得到动态决策变量；根据动态决策变量和状态变量向量，生成多晶硅生产设备的目标控制量；向多晶硅生产设备发送目标控制量，以完成闭环控制，能够实现多晶硅园区能源系统的快速优化调度，并在保障设备安全的前提下减少备用容量配置。...
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激光加工装置及激光监视方法
申请中
IPC: B23K26/354; B23K26/03; B23K26/06; H01L21/67
中国专利
摘要: 提供一种能够形成高质量半导体膜的激光加工装置和激光加工方法。一种ELA装置(准分子激光退火装置)(1)，包括：激光振荡器(10)，其产生用于通过用激光照射待处理衬底上的非晶硅膜来形成多晶硅膜的激光；脉冲测量仪(100)，其用于检测包含在激光中的第一部分光和第二部分光；以及监视装置(60)，其用于比较第一部分光的检测结果和第二部分光的检测结果。...
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用于MEMS应用的具有增强位移的级联扭结梁电热致动器
申请中
IPC: B81B3/00; G02B26/08; G02B6/35; B81B7/02; B81C1/00
摘要: 发明名称摘要：用于MEMS应用的具有增强位移的级联扭结梁电热致动器本发明涉及一种用于微机电系统的改进的电热致动器，其采用新颖的级联扭结梁配置，与传统的人字形和弯曲梁致动器相比，实现了优异的340位移性能、快速响应时间和无屈曲操作。该致动器专门设计用于精密微定位应用，包括微夹持器、光学开关和在低工作电压下需要大位移范围的操纵系统。该致动器包括以级联的345系列配置布置的多个扭结梁段，该多个扭结梁段由绝缘体上硅(SOI)衬底上的单晶硅制成。每个扭结段的特征在于以优化的扭结角(2-5度)连接的线性梁部分，所述扭结角将来自焦耳加热的纵向热膨胀转换成横向位移，同时防止屈曲不稳定性。级联布置提供顺序位移放...
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光检测元件
申请中
IPC: H10F39/18; H10F39/12
摘要: 实施方式的光检测元件具备传感器基板和读出电路基板。传感器基板设置有将入射光光电转换为信号电荷的光电转换元件。读出电路基板接合于传感器基板的受光面的相反侧的面，具备从光电转换元件读出信号电荷的读出电路。读出电路基板具有半导体层、栅极布线、导电部和连接部。在半导体层中形成晶体管。栅极布线设置在半导体层和传感器基板之间的层间绝缘膜中，并且连接到晶体管的栅极。导电部设置在比栅极布线更靠近半导体层的位置。连接部在厚度方向上贯通半导体层，隔着半导体层将导电部与设置于层间绝缘膜的相反侧的配线层电连接。...
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洗涤塔及多晶硅制备系统
申请中
IPC: B01D47/14; B01D47/06; C01B33/035
中国专利
摘要: 本申请提供一种洗涤塔及多晶硅制备系统，涉及多晶硅生产技术领域，用于解决尾气的洗涤效果较差的问题，洗涤塔包括：壳体，壳体具有洗涤腔，洗涤腔底部的内径尺寸大于洗涤腔顶部的内径尺寸，壳体靠近底部的侧壁上具有与洗涤腔连通的进气口和出液口，进气口被配置为与还原炉的出气口连通，壳体的顶部具有排气口；喷淋组件，包括喷淋件和循环管路，喷淋件具有喷淋口，喷淋件设置于洗涤腔靠近顶部的位置处，且喷淋口面向洗涤腔的底部设置；循环管路的第一端与出液口连通，循环管路的第二端与喷淋口连通。本申请提供一种洗涤塔及多晶硅制备系统，具有较好的洗涤效果，杂质分离效率高。...
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具有无图像失真的电阻读取的硅传感器
申请中
IPC: G01T1/24
摘要: 本发明涉及用于检测电离辐射的半导体器件，其具有位置敏感电阻读取系统，在读取电极之间具有低电阻连接(串)，以限制在确定辐射的冲击位置时的失真。本发明集中于所述串的最佳特性，改变它们的掺杂水平和/或它们的几何特性作为它们的长度L的函数，以便调节它们的电阻。以这种方式，可以优化电离辐射的入射点的重建的精度，将事件位置的重建中的失真减小到可忽略不计。...
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具有无图像失真的电阻读取的硅传感器
申请中
IPC: G01T1/24
摘要: 本发明涉及用于检测电离辐射的半导体器件，其具有位置敏感电阻读取系统，在读取电极之间具有低电阻连接(串)，以限制在确定辐射的冲击位置时的失真。本发明集中于所述串的最佳特性，改变它们的掺杂水平和/或它们的几何特性作为它们的长度L的函数，以便调节它们的电阻。以这种方式，可以优化电离辐射的入射点的重建的精度，将事件位置的重建中的失真减小到可忽略不计。...
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用于测量电化学电池的电路
申请中
IPC: A61B5/00; A61B5/145; G01N27/416; G01N33/487; G01R15/00
摘要: 一种用于处理从电化学电池获得的分析物信号的电路，包括：用于接收分析物信号的第一输入节点；测量电路，所述测量电路具有耦合到所述第一输入节点的第一信号路径，所述测量电路被配置为基于所述分析物信号输出输出信号，所述测量电路包括具有第一阻抗的第一电路元件，所述第一电路元件耦合到所述第一信号路径；以及控制电路，所述控制电路被配置为将所述测量电路的所述第一信号路径中的一个或多个第一电压重置为相应的第一参考值。...
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滤光片系统
申请中
IPC: G01J3/26; G02B5/28; G02B26/00
摘要: 一种滤光器系统包括法布里-珀罗干涉滤光器和控制法布里-珀罗干涉滤光器的控制器。法布里-珀罗干涉滤波器包括第一镜部分、第二镜部分、设置有第一镜部分的第一驱动电极和第一监测电极、以及设置有第二镜部分的第二驱动电极和第二监测电极。所述控制器包括控制单元，所述控制单元基于在所述第一监视电极与所述第二监视电极之间施加交流电流的同时在所述第一监视电极与所述第二监视电极之间产生的交流电压来计算所述第一镜部与所述第二镜部之间的静电电容。...
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增强性能的MEMS扬声器
申请中
IPC: H04R17/00; H04R7/14
中国专利
摘要: 本发明涉及一种MEMS换能器，其包括用于在流体中产生或接收垂直方向上的压力波的可振动膜，其中，所述可振动膜由载体支撑，并且所述可振动膜具有两个或更多个垂直区段，所述垂直区段平行于所述垂直方向形成并且包括至少一个致动器材料层。优选地，所述振动膜的端部连接有电极，以通过驱动所述至少一个电极来诱导所述两个以上的垂直部水平振动，或者在诱导所述两个以上的垂直部水平振动时在所述至少一个电极处产生电信号。...
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一种双面检测的流量传感器芯片及其制作方法
申请中
IPC: G01F1/684; G01F1/696; G01F1/688
中国专利
摘要: 本发明涉及一种双面检测的流量传感器芯片及其制作方法，属于气体流量检测技术领域。芯片由下到上依次包括衬底、第一支撑层、第一功能层、牺牲层、第二支撑层、第二功能层和保护层。本发明设计并制作双层敏感单元，即在气流通道的上下两侧，分别布设一组加热元件和感温元件，当气流通过通道时，会同时作用于上下两组敏感单元，使输出信号叠加，最终实现传感器灵敏度的提升。...
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热导式气体传感器芯片和气体浓度测量方法
申请中
IPC: G01N27/18
中国专利
摘要: 本发明提供了一种热导式气体传感器芯片和气体浓度测量方法。所述热导式气体传感器芯片包含敏感单元和驱动集成电路，所述敏感单元上包含至少两个空腔以及对应悬置于每个空腔上方的加热器并形成至少两个导热率不同的散热区域，每个所述散热区域的表面设置至少一个所述温度传感器；所述集成驱动电路中的混合信号电路系统控制所述加热器并根据所述温度传感器的所述温度信号生成目标气体浓度信号。通过传感器芯片的结构设计和电路集成和智能算法协同作用，实现目标气体浓度的精确测量，同时具备多气体成分并行检测能力，以解决现有气体传感器芯片在复杂环境中抗干扰能力不足、功耗较高及集成化程度低的技术问题。...
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监控静电吸盘机台升降销释放电荷异常的方法
申请中
IPC: H01L21/67; H01L21/683
中国专利
摘要: 本发明提供一种监控静电吸盘机台升降销释放电荷异常的方法，旨在解决现有技术中监控升降销异常需停机开腔、效率低的问题。该方法包括以下步骤：提供一监测晶圆，其背面带有“氧化硅‑多晶硅‑氧化硅”背封结构；将监测晶圆在静电吸盘机台上作业使其背面被吸附；对作业后的监测晶圆正面进行增强处理，该增强处理包括通过热氧化工艺形成一增强用氧化层并随后移除该增强用氧化层；对经过增强处理后的监测晶圆正面进行缺陷扫描；根据缺陷扫描的结果，判断静电吸盘机台的升降销释放电荷是否存在异常。本方法无需停机开腔，可离线进行，能有效检测并定位异常升降销，显著提高检测效率和设备利用率，有助于实现预测性维护并保障产品良率。...
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检测基板及检测电路
申请中
IPC: H10F39/00; G01N21/64
中国专利
摘要: 检测基板，包括衬底和设置在所述衬底一侧的多个检测单元，每个检测单元至少包括无机晶体管、有机晶体管和光电传感器元件，所述有机晶体管包括有机半导体部，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述有机半导体部所在的膜层位于所述无机晶体管所在的膜层远离所述衬底的一侧，所述有机半导体部分所在的膜层位于所述光电传感器元件所在的膜层远离所述基板的一侧，所述检测单元的有机晶体管连接有感应电极，所述感应电极位于所述无机晶体管所在的膜层远离所述基板的一侧。...
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一种光储充一体化微电网系统
申请中
IPC: H02J3/32; H02J7/00; H02J3/06; H02J13/00
中国专利
摘要: 本发明公开了一种光储充一体化微电网系统，涉及光储充一体化技术领域，为了解决光能的储充效果不稳定和不安全的问题。本发明针对不同的场景生成不同的控制指令，能够全面覆盖微电网运行过程中的各种情况，实现对微电网的精细化管理和控制，制定了相应的负荷分配策略，使系统能根据实际情况灵活调整，提高了电能利用效率和系统的稳定性，在光伏发电功率不足时启动储能放电与光伏电能联合供电，实现了电能的合理存储和灵活调配，增强了系统的供电可靠性和灵活性，电能动态调度策略包括充电、放电、平衡和安全四种场景，可根据实际运行情况灵活切换，适应微电网在不同工况下的运行需求，具有较强的灵活性和适应性。...
