新疆新特新能材料检测中心有限公司

• 分析晶体硅中碳浓度的方法 申请中
  申请号: US60744315

  公开号: -

  申请日期: 2006-04-05

  公开日期: --
  申请人: -

  发明人: Doug Kreszowski
  IPC: -
  摘要: 一种分析晶体硅中碳浓度的方法，包括从分区和退火的硅芯提供一段。 分区和退火的芯从多晶硅组合物中提取并具有柱状形状。 分区和退火的芯包括单晶硅区域和冻出熔体区域。 冻出熔体区邻近单晶硅区设置，并且这些区沿着柱形的长度间隔开。 具体地说，所述区段从所述冻出熔体区域提供，并且整个所述冻出熔体区域位于所述区段中。 确定所述区段的碳浓度。 与多晶硅组合物相反，通过提供来自冻出熔体区的部分，能够以小于或等于10ppm原子的灵敏度测定晶体硅中的碳浓度。...