新疆新特新能材料检测中心有限公司

  • 用于自动提取标准单元以生成标准单元候选库的方法和装置 申请中
    申请号: US62880291
    公开号: -
    申请日期: 2019-07-30
    公开日期: --
    申请人: University Of Florida Research Foundation, Incorporated
    发明人: Damon Woodard; Domenic J. Forte; Ronald Wilson; Navid Asadizanjani
    IPC: -
    摘要: 提供了使用IC的原始多层图像自动提取标准单元以形成标准单元库的方法和装置。 因此,各种实施例包括:从原始多层图像中提取原始接触层图像; 对原始接触层图像进行二值化以生成识别多个接触行和多个接触列的二值化接触层图像; 基于具有周期性的所述多个接触行的子集来确定多个VCC线; 从二值化接触层图像中提取多个二值化接触层图像条带; 使用特征向量和列距离值对每个二值化接触层图像条带进行编码; 将模型规则集应用于每个编码的二值化接触层图像条以检测单元边界; 基于单元边界提取标准单元; 以及存储所提取的单元以形成标准单元候选库。...
  • PSI5基极电流同步采样 申请中
    申请号: US62771697
    公开号: -
    申请日期: 2018-11-27
    公开日期: --
    申请人: Texas Instruments Incorporated
    发明人: Sri Navaneethakrishnan Easwaran; Ted F. Lekan; Michael J. Zroka; Darren J. Rollman
    IPC: -
    摘要: 多个传感器耦合到PSI5收发器的第一引脚以接收传感器总线信号。 曼彻斯特解码器耦合到第二引脚,电池耦合到第三引脚。 比较器接收与传感器总线信号上的电流成比例的第一电压和与传感器总线信号上的基极电流成比例的第二电压,并将数据输出信号发送到第二引脚。 采样保持电路响应于基极电流采样信号上的高值而捕获用于影响第二电压的第三电压。 基极电流更新电路检测数据输出信号上的边沿跃迁,并且当数据输出信号在大于PSI5标准中定义的间隙时间的时间段内没有边沿跃迁时,将基极电流采样信号设置为高。...
  • 电可调电阻器 申请中
    申请号: US60947372
    公开号: -
    申请日期: 2007-06-29
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Stuart B. Molin; Paul Nygaard
    IPC: -
    摘要: 一种电可调电阻器,包括与一个或多个掺杂半导体层介电隔离的电阻性多晶硅层。 将可调谐电压施加到掺杂的半导体层,导致多晶硅层的电阻变化。 可以在单个衬底上制造多个匹配的电可调电阻器,由单个共享掺杂半导体层调谐,从而产生对于差分放大器应用特别有用的匹配的可调电阻器对。 还可以在公共衬底上制造多个可独立调节的电阻器。...
  • 柔顺的纳米级自立式多层膜 申请中
    申请号: US60532289
    公开号: -
    申请日期: 2003-12-23
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Vladimir V. Tsukruk
    IPC: -
    摘要: 提供了一种柔顺的自立式多层膜,其横截面式为 : [直列式][(PCAT_PAN)nPCAT/MET/(PCAT_PAN)nPCAT]m[/直列式]其中(PCAT31PAN)表示阴离子聚合物和阳离子聚合物在至少一层MET之间的双层; n为约1-50,m为约1-10; Met是惰性金属纳米颗粒; PCAT是阳离子聚合物,PAN是阴离子聚合物,优选通过在牺牲基材层上的自旋辅助逐层组装制备。...
  • 基于纳米颗粒的气体传感器及其使用方法 申请中
    申请号: US61710488
    公开号: -
    申请日期: 2012-10-05
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: William Mickelson; Alex Zettl
    IPC: -
    摘要: 提供气体传感器。 所述气体传感器包括具有金属氧化物纳米颗粒的气体感测元件和薄膜加热元件。 还提供了包括气体传感器的系统以及使用气体传感器的方法。 本公开的实施例可用于各种不同的应用中,包括检测分析物是否存在于气体样品中。...
  • 具有电压闪光充电器的NVSRAM单元 申请中
    申请号: US61721467
    公开号: -
    申请日期: 2012-11-01
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Peter Wung Lee; Hsing-Ya Tsao
    IPC: -
    摘要: 本发明公开了具有基于闪存的充电器的12T NVSRAM单元和具有共享的基于闪存的充电器的伪10T NVSRAM单元的两个优选实施例。 无论PMOS类型还是NMOS类型,基于闪存的充电器都可以由2多晶浮栅型或1多晶电荷捕获SONOS/MONOS闪存型制成。 在替代实施例中,上述两个优选NVSRAM单元的存储操作使用DRAM类电荷感测方案,其中闪存单元被配置为与闪存充电器相关联的电压跟随器,以及2步SRAM放大技术,以放大存储在成对的闪存晶体管中的阈值电平差ΔVT。 当通过闪存充电器的耦合电荷足够大时,可通过将闪存充电器的栅极控制上升至VPP或增加闪存充电器的沟道长度来检测ΔVT低至1V。...
  • 用于低温CO检测的低功率微加热器平台上多孔氧化锡膜的原位局部生长 申请中
    申请号: US62289217
    公开号: -
    申请日期: 2016-01-30
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Roya Maboudian; Hu Long; Anna Harley-Trochimczyk; William Mickelson; Carlo Carraro
    IPC: -
    摘要: 本发明描述了一种固态,低功率微加热器传感器平台,其可配置有用于特定气体感测应用的所选金属氧化物膜。 传感器平台通过选择适于检测所需气体的化学电阻或催化材料,然后在微加热器平台的指定表面上形成多孔纳米结构膜来配置。 还描述了使用局部热源从液体前体在受控位置产生高度多孔的,纳米结构的金属氧化物膜的方法。 通过用微加热器快速退火沉积的液体前体,可以在传感器平台上原位和局部产生高度多孔的纳米晶金属氧化物膜。...
  • 1T1C F-RAM的温度传感器 申请中
    申请号: US63153412
    公开号: -
    申请日期: 2021-02-25
    公开日期: --
    申请人: Infineon Technologies Llc
    发明人: Srikanth Machavolu; Alan Devilbiss; Sheshadri Sohani; Kapil Jain
    IPC: -
    摘要: 本公开的实施例提供了一种温度传感器,该温度传感器可以与1T1C参考电压发生器一起集成到存储器件中,以使得1T1C参考电压发生器能够向存储器件的存储器核心(例如,F-RAM存储器核心)提供依赖于温度的1T1C参考电压。 温度传感器可以检测存储器内核的温度,并且输出该信息(例如,作为微调),以供1T1C参考电压发生器在提供依赖于温度的1T1C参考电压时使用。 以这种方式,即使随着存储器内核的温度升高,存储器内核的P项和U项余量都可以被保持。...
  • 用于由多个器件和子芯片组成的小型化可植入传感器平台的集成和钝化方法 申请中
    申请号: US61114731
    公开号: -
    申请日期: 2008-11-14
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Faquir Chand Jain; Fotios Papadimitrakopoulos
    IPC: -
    摘要: 本发明描述了一种可植入体内的密封包装。 该封装包括堆叠的衬底,其中一个衬底的表面容纳暴露于体液的生物传感器,以监测选自分析物、代谢物和蛋白质的物质的浓度以及身体生理参数。 该结构保护与用于电子数据处理、供电和无线通信的生物传感器电极接口的体液设备。 使用防止体液泄漏的新型部分硅通孔(PSVs)将生物传感器电极电连接到各种电子、光电、MEM器件。 不同的器件位于不同的衬底上,这些衬底被堆叠以节省表面积。 其中一个基板形成盖板,盖板允许光为包括分析物水平的接收编码数据供电和发送。...
  • 用于微制造多维传感器和传感系统的装置和方法 申请中
    申请号: US60807536
    公开号: -
    申请日期: 2006-07-17
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Joseph R. Stetter
    IPC: -
    摘要: 一种通用微机电MEMS纳米传感器平台,具有以图案沉积在表面上以同时制造多个器件的衬底和导电层、图案化绝缘层和沉积在导电层的暴露部分上的一个或多个功能化层,其中绝缘层被配置为暴露导电层的一个或多个部分。 所述功能化层适于提供一个或多个换能器传感器类,所述换能器传感器类选自 : 用于化学和物理变量的辐射传感器、电化学传感器、电子传感器、机械传感器、磁性传感器和热传感器。...
  • 用于集成单片薄膜辐射探测器系统的方法 申请中
    申请号: US62486634
    公开号: -
    申请日期: 2017-04-18
    公开日期: --
    申请人: Board Of Regents, The University Of Texas System; Nanoholdings Llc
    发明人: Jesus I. Mejia-Silva; Manuel Quevedo-Lopez; Bruce Gnade; Carlos Hugo Avila Avendano; Bhabendra K. Pradhan
    IPC: -
    摘要: 一种薄膜辐射检测装置,包括光敏p-n二极管,多晶硅薄膜晶体管(TFT),辐射检测层和衬底。 光敏p-n二极管和TFT形成在衬底上。 辐射检测层形成于基板上方,并接收多个辐射。 光敏p-n二极管从辐射检测层接收转换输出信号并产生检测器信号。 TFT基于检测器信号产生放大信号。...
  • 低电压快写PMOS NVSRAM单元 申请中
    申请号: US61742683
    公开号: -
    申请日期: 2012-08-15
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Hsing-Ya Tsao; Peter Wung Lee
    IPC: -
    摘要: 本发明公开了一种低压快写12T或14T PMOS NVSRAM单元结构,包括6T LV SRAM单元和一对3T或4T HV PMOS闪存串。 由于PMOS和NMOS闪存单元的反向阈值电压定义,该PMOS NVSRAM单元在数据写入操作期间具有与NMOS NVSRAM单元相同的SRAM和闪存对之间的数据极性的优点。 此外,该PMOS NVSRAM的PMOS Flash单元采用与NMOS NVSRAM类似的低电流FN隧穿方案,可以在100MB的大密度下同时实现快速数据编程和擦除。 因此,具有1.2V VDD的NVSRAM的低功耗电压操作可以更容易地设计,而无需在上电期间将闪存数据加载到SRAM单元...
  • Z轴角速率MEMS传感器 申请中
    申请号: US60505991
    公开号: -
    申请日期: 2003-09-25
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Eric P. Chojnacki; June P. Shen-Epstein; Nenad Nenadic; Scott A. Miller; Nathan L. Stirling; Vasile Nistor
    IPC: -
    摘要: 描述了一种振荡角速率MEMS传感器,用于感测绕“Z轴”的旋转。 实施例本质上是耦合质量音叉或单个振荡质量。 传感器包括机械和电气功能集成,并且优选地通过独特的MEMS制造工艺制造。...
  • 基于硅和硅锗合金的太赫兹源和检测器及其制造方法 申请中
    申请号: US60461656
    公开号: -
    申请日期: 2003-04-09
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: James Kolodzey; Samit K. Ray; Thomas N. Adam; Don Gage; Suddha Ghosh; Ralf Jonczyk; Gary Katulka; Kenny Kim; Pengcheng Lv; R. Thomas Troeger; Xin Zhang; Ryan Leeson; Nate Sustersic; Phil Wilcox; Kambiz Pourrezaei; Keith Goossen; Vik Kapoor; Jean Michel Lourtioz; Francois Julien; Ulf Gennser; Daniel Bensahel; Miron S. Kagan; Irina N. Yassievich; Maxim Odnoblyudov; Claire Gmachl; Raffaele Colombelli; J. Faist; L. Diehl; Arye Rosen; Gary Looney; Gregory Gonye; Richard Horn; K.C. Hsieh; Chaoying Ni
    IPC: -
    摘要: 一种电泵浦太赫兹(THZ)频率辐射源(或检测器),包括具有两个电极的光增益(或吸收)材料,所述两个电极电耦合到所述光增益材料。 所述光增益(或吸收)材料基本上由至少一种IV族元素形成,并用至少一种掺杂剂掺杂,所述掺杂剂具有在约0.3THz至30THz范围内的中心内跃迁频率。 本发明还涉及一种制造电泵浦太赫兹频率辐射源(或探测器)的方法。...
  • 使用双极晶体管的离子电流传感器 申请中
    申请号: US62181158
    公开号: -
    申请日期: 2015-06-17
    公开日期: --
    申请人: Qualcomm Incorporated
    发明人: Vladimir Aparin
    IPC: -
    摘要: 本公开的某些方面提供了用于感测的方法和装置。 一种用于感测的示例性装置包括 : 传感器,其被配置为提供指示参数的电流;以及双极晶体管,其具有耦合到所述传感器以接收所述电流的基极,所述双极晶体管被配置为基于所述电流产生放大的电流。 所述设备还可以包括测量电路,所述测量电路耦合到所述双极晶体管并且被配置为接收所述放大的电流。...
  • 具有串扰减少层的雪崩光电二极管检测器阵列 申请中
    申请号: US62535897
    公开号: -
    申请日期: 2017-07-23
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Tomislav Suligoj; Tihomir Knezevic; Zeljko Osrecki
    IPC: -
    摘要: 一种光电二极管检测器阵列,包括 : 基板,包括前表面和安装表面; 第一有源区和第二有源区,所述第一有源区和第二有源区中的每一个被可操作地配置成检测波长范围内的电磁辐射,并且所述第一有源区和第二有源区中的每一个被形成在所述衬底内并且被设置成靠近所述前表面; 以及形成在所述衬底内并设置在所述安装表面附近的层,其中所述层在500nm至800nm的波长范围内表现出大于或等于3×103cm-1的电磁波吸收系数。...
  • 具有串扰减少层的雪崩光电二极管检测器阵列 申请中
    申请号: US62535498
    公开号: -
    申请日期: 2017-07-21
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Tomislav Suligoj; Tihomir Knezevic; Zeljko Osrecki
    IPC: -
    摘要: 一种光电二极管检测器阵列,包括 : 基板,包括前表面和安装表面; 第一有源区和第二有源区,所述第一有源区和第二有源区中的每一个被可操作地配置成检测波长范围内的电磁辐射,并且所述第一有源区和第二有源区中的每一个被形成在所述衬底内并且被设置成靠近所述前表面; 以及形成在所述衬底内并设置在所述安装表面附近的层,其中所述层在500nm至800nm的波长范围内表现出大于或等于3×103cm-1的电磁波吸收系数。...
  • 基于可渗透膜片压阻的传感器 申请中
    申请号: US61036159
    公开号: -
    申请日期: 2008-03-13
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Florian Solzbacher; Michael Orthner
    IPC: -
    摘要: 一种改进的基于压阻的传感器(78)可以包括在基本固体衬底(68)中的空腔(66)。 反应剂可以任选地存在于空腔(66)中。 柔性加工膜可形成空腔(66)的壁。 柔性机加工膜可包括通道(76)阵列,所述通道(76)配置成允许目标材料选择性地进入和离开空腔。 此外,柔性机械加工膜可包括与膜相关联的压阻特征(74)。 包括在空腔(66)中的反应剂可以体积响应于目标材料或流体的存在。 这些传感器可以被配置为压力传感器、化学传感器、流量传感器等。...
  • 小分子介导的异质碳纳米管生物传感 申请中
    申请号: US60615060
    公开号: -
    申请日期: 2004-09-30
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Salah Boussaad; Bruce A. Diner
    IPC: -
    摘要: 已经开发了用于检测分析物的纳米传感器和检测分析物的方法,其中改变小分子效应物浓度,从而引起碳纳米管电导的变化。...
  • 压力传感器和药物输送装置 申请中
    申请号: US61119349
    公开号: -
    申请日期: 2008-12-02
    公开日期: --
    申请人: -
    发明人: Florian Solzbacher; Michael Orthner
    IPC: -
    摘要: 一种改进的基于压阻的传感器(78)可以包括在基本固体衬底(68)中的空腔(66)。 反应剂可以任选地存在于空腔(66)中。 柔性加工膜可形成空腔(66)的壁。 柔性机加工膜可包括通道(76)阵列,所述通道(76)配置成允许目标材料选择性地进入和离开空腔。 此外,柔性机械加工膜可包括与膜相关联的压阻特征(74)。 包括在空腔(66)中的反应剂可以体积响应于目标材料或流体的存在。 这些传感器可以被配置为压力传感器、化学传感器、流量传感器等。...
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