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显示亮度控制方法、显示面板和显示装置
申请中
IPC: G09G3/20; G09G5/10; G01J1/42
中国专利
摘要: 本申请公开了一种显示亮度控制方法、显示面板和显示装置，所述显示亮度控制方法包括步骤：识别显示面板中像素的工作状态；检测所述像素所在区域的环境光；当所述像素的工作状态和所述像素所在区域的环境光满足预设条件时，控制所述像素所在区域的光传感器中半导体层内游离的电荷，朝预设方向进行移动；根据所述光传感器中的光电流大小控制所述显示区域的发光亮度。通过上述设计，使得半导体层中的游离电荷在光照条件下能够朝理想的位置移动，达到增大光电流或减小光电流的效果，从而使得光传感器的检测结果避免受到环境光的不利影响，提高光传感器的检测精度。...
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一种晶圆及其加工方法
申请中
IPC: H10P90/00
中国专利
摘要: 本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆及其加工方法。解决三维集成电路制造中，难以在晶圆级大尺寸范围实现高精度整体平坦化的问题。一种晶圆，在整片晶圆范围内，所述晶圆的至少一个功能层经平坦化处理后，全局平整度PV值≤10nm，且表面粗糙度Ra值≤1 nm。实现了晶圆级全局范围高精度、高收敛性的表面形貌控制。...
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VDMOS器件、控制电路、电池管理芯片及电设备
已授权
IPC: H02J7/60; H02J7/90; H02J7/94; H02J7/96; G01R31/382; H10D84/83; H10D30/66
中国专利
摘要: 本公开提供了一种VDMOS器件，用于控制电池的充电电流与放电电流，包括：衬底，为第一导电类型；外延层，设置在衬底上并且为第一导电类型；第一元胞结构区，包括形成在外延层中的元胞结构，以构成用作充电开关的充电MOSFET；第二元胞结构区，包括形成在外延层中的元胞结构，以构成用作放电开关的放电MOSFET；以及第三元胞结构区，包括形成在外延层中的元胞结构，以构成采样MOSFET，采样MOSFET用于采集流过充电MOSFET和放电MOSFET的电流。本公开还提供了一种控制电路、电池管理芯片及电设备。...
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测试结构及测试结构的制备方法
申请中
IPC: H10P74/00
中国专利
摘要: 本申请公开了一种测试结构及测试结构的制备方法，属于半导体技术领域。测试结构包括：外延层，外延层的一侧设置有沟槽，沟槽具有侧壁和底部；氧化层，覆盖沟槽的侧壁和底部，氧化层在沟槽底部的第一厚度大于氧化层在沟槽侧壁的第二厚度，以使沟槽底部的单位面积电容小于沟槽侧壁的单位面积电容。根据本申请的测试结构，沟槽底部的氧化层第一厚度大于侧壁的第二氧化层厚度，也即形成底部厚侧壁薄的测试结构，沟槽底部较厚的氧化层可以屏蔽掉沟槽底部电容的影响，使得在测试侧壁电容时，可以削弱底部电容对数据分析的干扰，提高栅氧界面质量评估结果的准确性。...
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一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置及方法
已授权
IPC: H10P74/20; H10P74/00
中国专利
摘要: 本发明公开一种沟槽MOS的源区掺杂的监测装置及方法，在第一层内设计两个相同的构件，其中两个构件中存在一个不同点，其不同点在于源区与接触孔的连接关系，使得其一构件的总电阻R1由其源区的第一扩散电阻和其体区的第二扩散电阻并联所得到的，也使得其二构件的总电阻R2等同其体区的第二扩散电阻，通过预置算法对总电阻R1与总电阻R2进行计算，得到计算值，并将该计算值比与设计值相比，以快速获取监测沟槽MOS的源区掺杂的偏差情况，无需对芯片进行破坏性的解剖测试。...
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一种温度补偿的带隙基准电路
申请中
IPC: G05F1/567
中国专利
摘要: 本发明公开了一种温度补偿的带隙基准电路，涉及模拟集成电路技术领域，旨在解决传统带隙基准电路在宽温度范围内受 VBE 非线性高阶项影响导致温漂较大的问题。该电路包括偏置电路模块、启动电路模块、温度补偿电路模块及带隙核心电路模块。其中，偏置电路模块通过电流镜网络为系统提供温度不敏感的偏置电流；启动电路模块利用电容与开关的协同作用，实现上电快速启动、正常工作零静态功耗及掉电快速复位；带隙核心电路模块与温度补偿电路模块，利用三极管发射极电压差提取非线性电压特性，并通过反馈回路引入反向补偿电流，精准抵消基准电压中的高阶温漂项。此外，电路采用多晶硅与扩散电阻串联的复合电阻结构，进一步抑制工艺偏差与电阻温漂...
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复合传感器、制备方法、多传感器系统及检测方法
申请中
IPC: G01N27/12
中国专利
摘要: 本申请实施例提供了一种复合传感器、制备方法、多传感器系统及检测方法，其中，复合传感器包括多个传感单元和玻璃基板，多个传感单元在玻璃基板上的位置不同，单个传感单元包括：第一SiO2膜层、加热层、第二SiO2膜层、金属电极层、第三SiO2膜层和感应层，感应层包括感应材料，感应材料用于检测气体。采用本申请实施例加热层和金属电极层采用多层复合膜结构设计，提升加热层和金属电极层的稳定性，进一步有利于提高复合传感器的稳定性，通过物理气相沉积PVD工艺进行膜层镀制，实现制备高附着力、致密性较好的膜层结构，以及在同一传感器基板上集成多种金属氧化物半导体感应层，实现多成分气体检测。...
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一种半导体器件的测试结构及测试方法
申请中
IPC: H10P74/00; H10P74/20
中国专利
摘要: 本申请提供一种半导体器件的测试结构及测试方法，涉及半导体技术领域。本申请在半导体器件的划片槽构建了用于测试半导体结构中目标通孔的通孔测试结构，在通孔测试结构中，待测通孔与目标通孔采用相同的工艺形成，使待测通孔能反映目标通孔的工艺参数。在通孔测试结构中，本申请利用目标通孔在贯穿介质层时会相对介质层露出的这一特性，针对待测通孔相对于介质层露出的一端的两侧构建两个电容件，从而可以通过测量电容件与待测通孔的电容值反映待测通孔与电容件的距离，以定量确定待测通孔的偏移情况。此外，通孔测试结构可以形成层级结构，以测量半导体器件中不同层级之间通孔的偏移情况。...
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电子级多晶硅还原炉生长设备及沉积颗粒检测方法
已授权
IPC: C01B33/035; G01N15/0205; G01N15/0227
中国专利
摘要: 本发明公开了一种电子级多晶硅还原炉生长设备及沉积颗粒检测方法，电子级多晶硅还原炉生长设备包括：炉体和粒度检测装置，粒度检测装置用于检测炉室内的待测颗粒的粒度，粒度检测装置包括第一光源、第一图像获取单元、第二光源、第二图像获取单元和图像处理单元，第一光源朝向炉室内的待测颗粒发射激光，第一图像获取单元用于获取待测颗粒的动态光散射信号，第二光源照亮炉室内的待测颗粒，第二图像获取单元用于获取待测颗粒的图像，图像处理单元用于接收第一图像获取单元以及第二图像获取单元获取的图像信息并获取待测颗粒的粒度。根据本发明实施例的电子级多晶硅还原炉生长设备，可以避免因异常沉积颗粒导致的产品降级和生产损失。...
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线性-对数响应的高动态范围图像传感器像素及传感器
申请中
IPC: H04N25/77; H04N25/78
中国专利
摘要: 本发明涉及半导体成像器件技术领域，公开了线性‑对数响应的高动态范围图像传感器像素及传感器，通过分阶段的工作逻辑，让线性积分模式充分发挥LOFIC结构优势，借助高、低转换增益通道分别适配低中照区信号，保障了该区域信号的线性度与读出质量；对数电流检测读出模式通过阈值触发机制，仅在高亮场景下启动，针对性捕捉强光信号，避免无效操作对成像效率的影响。同时，利用参考电流与光电流的两次采样校准，有效抵消了温度、工艺离散性等干扰因素，确保了高亮区对数测量的准确性。整体实现了低中照区成像质量与高亮区动态范围的兼顾，无需复杂工艺优化即可提升成像性能，实用性强。...
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一种紫光灯夜间补光光伏发电系统
申请中
IPC: H02S10/20; H02S40/20; H02J7/35; H02J7/00
中国专利
摘要: 本发明涉及太阳能光伏发电技术领域，公开一种紫光灯夜间补光光伏发电系统，旨在解决传统光伏系统夜间无法发电的间歇性问题及现有补光方案效率低、成本高的缺陷。其采用“一光源照射多光伏板”的分布式网络设计，每个发电单元含光伏板与波长300‑420nm(优选365nm或395nm)的专用紫光灯，搭配储能电池及“中央‑本地”二级智能控制系统，通过光照阈值、电量优先、轮换调度及故障容错策略，实现日夜模式切换。日间光伏板储电供负载，夜间储能电池驱动紫光灯形成交叉照射网络，使光伏板接收多方向补光发电，达成能量复用与夜间净增益。系统具备可靠性强、可扩展、经济性优的特点，广泛应用于光伏电站、微电网、智慧城市基础设施等...
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一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法
申请中
IPC: C30B28/14; C30B29/06; C23C16/44; C23C16/52; C23C16/455
中国专利
摘要: 本发明公开了一种立式LPCVD多晶硅沉积炉管设备及延长PM周期的工艺方法，该设备包括炉体、外管和内管，它们依次嵌套设置并形成反应室，在反应室内连通有用于输送ClF3气体和氮气的第五进气管。该工艺方法，包括向设备的反应室中通入ClF3气体对反应室内壁表面沉积的多晶硅薄膜进行刻蚀。本发明设备中，仅仅增设用于输送ClF3气体和氮气的第五进气管，具有结构简单、易改造、可大幅延长PM周期等优点，且通过向设备的反应室内通入ClF3气体和氮气，即可有效刻蚀去除反应室内壁容易剥落的多晶硅薄膜，延长了设备PM周期至原来3倍，提升了设备的使用效率，同时具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点。...
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一种激光晶化设备及激光晶化工艺方法
申请中
IPC: B23K26/073; B23K26/064; B23K26/142; B23K26/082; B23K26/0622; B23K26/70; H10F71/00; H10F10/14
中国专利
摘要: 本发明提供了一种激光晶化设备及激光晶化工艺方法，包括：输送系统，包括输送带和若干个用于容置待加工电池片的治具，若干个治具设置于输送带上；视觉系统，包括检测机构，检测机构设置于输送带的上方，以检测待加工电池片；激光系统，用以输出加工激光束；光学系统，包括沿着加工激光束输送方向依次设置的激光放大模块、激光输出头、外光路模块、振镜、场镜，加工激光束依次经过激光放大模块、激光输出头、外光路模块、振镜、场镜、最后聚焦到待加工电池片的表面上。本发明可对晶硅太阳能电池的非晶硅层的高质量、低损伤晶化，可同步完成选择性掺杂，提升BC电池的转换效率和工艺良率高。...
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EFUSE烧调良率检测方法
申请中
IPC: G11C29/50; G06T7/00
中国专利
摘要: 本发明提供一种EFUSE烧调良率检测方法，通过提供一种结合形貌图像采集和电性测试的方法，解决了现有技术中EFUSE烧调验证时电性验证准确性不足、晶圆样本浪费及测试效率低的问题。该方法通过控制烧调条件，并采用成像技术来捕获烧调后的形貌图像，结合电性测试结果，能够更准确地判断EFUSE烧调是否成功，不仅提高了烧调良率的检测精度，而且避免了传统FA切片分析中晶圆样本的破坏和浪费，显著提高了测试效率，降低了整体成本，同时为EFUSE烧调过程提供了一种更高效、更经济的监控手段，从而获得了显著的有益效果。...
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热循环检测器
申请中
IPC: G01K3/00; G01K3/04; G01K7/01; G01K7/16; G06M1/10
中国专利
摘要: 一种热循环检测器包括第一温度贮存器、第二第一温度贮存器、第一热障和跨越第一热障的多个第一电导体。第一温度储存器包括第一晶体管，并且第二温度储存器包括第二晶体管。第一热障设置在第一温度储存器和第二温度储存器之间。所述多个第一电导体被配置为响应于所述多个第一电导体上的热梯度为所述热循环检测器提供电源。...
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光检测装置
申请中
IPC: H10F39/00; H10F30/225
摘要: 根据本公开的一个实施例的光检测器包括第一基板、光接收元件、第一接触层、第二接触层、第二基板、第一贯穿布线、第二贯穿布线以及一个或多个第一屏蔽电极。第一基板具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括像素阵列部，在该像素阵列部中，多个像素在面内方向上排列成阵列。光接收元件包括光接收部分和倍增部分。光接收部针对每个像素设置在第一基板内部，并通过光电转换产生与接收的光量相对应的载流子。倍增部对在受光部中产生的载流子进行雪崩倍增。第一接触层设置在第一基板的第一表面上并且电耦合到光接收部。第二接触层设置在第一衬底的第一表面上并电耦合到倍增部分。第二衬底堆叠在第一衬底的第一表面的一侧上，并且包括其中设置有一...
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一种基于还原炉周期特性的DCS进料含量控制系统及方法
申请中
IPC: B01J4/00; C01B33/035; F27D19/00; B01J4/02; G05B19/418
中国专利
摘要: 本发明公开了一种基于还原炉周期特性的DCS进料含量控制系统及方法。核心优势为DCS与TCS含量的动态精准程序化控制，可根据硅棒成核期、快速生长期、沉积后期等不同周期，自动调整物料流量比例，使多晶硅棒结构更均匀、缺陷更少、纯度更高，显著提升产品品质一致性与等级率。DCS/TCS管线流量闭环调节组件动态匹配周期配比需求，1.0MPa蒸汽加热与换热器精准控温，减少温度波动导致的工艺异常。蒸汽利用率与冷凝水回收率大幅提升；置换流程减少物料残留，残液定向回收，原料利用率提高。氮气‑氢气双置换彻底排除风险，有害气体经VG3淋洗达标排放，残液实时处理，事故风险降低。系统支持多组设备并行，中央控制协同调节，灵...
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三晶圆键合MEMS器件及其制备方法
申请中
IPC: B81B7/02; B81B7/00; B81C1/00
中国专利
摘要: 本发明提供了一种三晶圆键合MEMS器件及其制备方法，三晶圆键合MEMS器件包括第一晶圆、第二晶圆、第三晶圆、绝缘层以及金属电极，第一晶圆包括多个第一凹槽，第一凹槽的底部联通有至少一个硅槽，每个硅槽内填充有绝缘材料；第一凹槽之间和第一凹槽内部设有凸起的硅硅键合平台；第二晶圆与第一晶圆通过硅硅键合平台实现连接，第二晶圆上有多个条孔；第三晶圆包括多个第二凹槽；第二凹槽内可设置限位凸起；第二凹槽内部和第二凹槽之间设有凸起的共晶键合平台，第三晶圆与第二晶圆键合；绝缘层覆盖在所述第一晶圆上；多个金属电极设置在绝缘层上。本发明解决了MEMS器件在生产制造中无法对硅硅键合工艺的电性参数进行测试和表征的问题。...
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多晶硅生产设备故障诊断方法、装置、服务器及存储介质
已授权
IPC: C01B33/021; G06F18/2135; G06F18/214; G06F18/22; G06F123/02
中国专利
摘要: 本申请提供了一种多晶硅生产设备故障诊断方法、装置、服务器及存储介质，涉及设备故障诊断领域，方法包括：获取目标设备在预设时间窗内采集到的待分析样本数据和第一历史样本数据；并确定由设备参数构成的第一集合以及由设备参数及其对应的上下游工艺参数整体构成的第二集合；进一步根据设备均值向量和设备协方差矩阵，确定设备参数的第一稳健距离；根据整体均值向量和整体协方差矩阵，确定设备参数及其对应的上下工艺参数整体的第二稳健距离；若第一稳健距离大于第一稳健距离阈值和/或第二稳健距离大于第二稳健距离阈值，确定运行状态为异常状态。保证了诊断的全面性以及诊断结果的准确性，保证了诊断时的基准的稳定性，提高了诊断效率。...
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一种电子纸的顶栅阵列基板、驱动方法及电子纸
申请中
IPC: G02F1/16755; G02F1/1675; G02F1/1677; G02F1/1685
中国专利
摘要: 本发明公开了一种电子纸的顶栅阵列基板、驱动方法及电子纸，基板包括：层间绝缘层、栅极金属层、栅极绝缘层、源漏极层、多晶硅层；栅极金属层制作层间绝缘层中，栅极绝缘层制作在栅极金属层与多晶硅层之间；源漏极层制作在栅极绝缘层中，包括源极金属线和漏极金属线；源极金属线和漏极金属线分别与多晶硅层连接；还包括遮光绝缘层及遮光层；遮光绝缘层制作在多晶硅层与遮光层之间；遮光层为可导电材料，用于在通电时层内形成均匀电位分布，以对环境光线进行遮挡和吸收。增强了电子纸阵列基板的遮光效果，避免了TFT漏电流、阈值电压漂移、像素电压维持能力下降，光生载流子还会导致画面残影、对比度降低等问题的出现。...
