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一种危废集装箱智能通风调节系统
已授权
IPC: G05B19/05; B65D88/74
中国专利
摘要: 本发明公开了一种危废集装箱智能通风调节系统，涉及通风系统及控制技术领域，旨在解决传统危废集装箱通风系统存在通风效率低、能耗高，无法根据危废状态动态调节通风量，易导致有害气体积聚或资源浪费的技术问题，集装箱体底部设有至少一个通风口，顶部设有自然通风口包括：箱体监测模块，设置于集装箱体内外，用于采集环境参数；智能通风执行模块，用于配合通风口与自然通风口调节箱内通风状态；联动控制中心，用于处理监测数据、生成控制指令；能源供给单元，为系统各模块供电。本发明通过“自然通风优先+机械通风辅助”的动态策略，精准匹配不同危废的通风需求，解决了现有系统无法根据危废特性与实时环境动态调节的核心问题。...
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一种热式-电容式宽量程MEMS风速风向传感器
已授权
IPC: G01P5/12; G01P5/08; G01P13/02
中国专利
摘要: 本发明公开了一种热式‑电容式宽量程MEMS风速风向传感器，传感器芯片部分包括热阻和电容器两部分，连接惠斯通电桥，将风速信号转换为电信号，实现测量。热阻采用自加热模式，在自加热提供对称热场的同时实现温度的测量，在风作用下，芯片表面的对称热场被破坏，测量热阻的阻值变化即可实现对低速风速风向的测量。在高风速下，热式原理由于饱和无法测量，由悬臂梁参与组成的电容器释放后保留一定弧度的翘曲，在风力作用下翘曲弧度改变，电容值的改变表征风力引起的悬臂梁形变，以此获得高速风速风向信息。本发明在不增加芯片面积的前提下，为热式传感器无法测量高速风速风向的问题提出了新的解决方案，保障了在量程范围内对高低风速的测量精度...
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一种冷氢化取样系统及多晶硅生产系统
申请中
IPC: G01N1/10; C01B33/107
中国专利
摘要: 本申请涉及多晶硅生产技术，提供一种冷氢化取样系统及多晶硅生产系统，一种冷氢化取样系统，包括氢化液中间储罐、取样器和粗氢化液缓冲罐，取样器取样前对取样管线和取样器进行循环置换，置换后的液态冷氢化产品直接排至粗氢化液缓冲罐，排至粗氢化液缓冲罐内的液态冷氢化产品进一步精馏提纯，实现了将置换后的液态冷氢化产品的回收利用，从而避免了浪费的问题。...
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一种多晶硅用原料硅粉中微量酸不溶物的检测方法
申请中
IPC: G01N5/04; G01N1/28; G01N1/34; G01N1/40; G01N1/44
中国专利
摘要: 本发明公开一种多晶硅用原料硅粉中微量酸不溶物的检测方法，属于工业硅粉中微量酸不溶物检测技术领域，包括以下步骤：将坩埚整个放置于盐酸溶液中后进行加热酸洗；冲洗坩埚，再将坩埚放置在抽滤装置上用高纯水抽滤；将坩埚置于电热恒温干燥箱中进行干燥，然后冷却和称量；将工业硅粉试样加入到烧杯中，沿杯壁缓慢滴加氢氟酸和硝酸的混酸；将烧杯置于加热板上加热至液体完全挥发，再加入盐酸溶液使固体盐类完全溶解；将试样转移至容器内，使用热水稀释，并趁热抽滤于酸洗处理后的坩埚中；将坩埚置于电热恒温干燥箱中干燥，再置于干燥器中冷却至室温，称量。本发明能够解决工业硅粉中微量酸不溶物无法准确检出的难题，可用于工业硅粉中微量酸不溶物...
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一种多晶硅棒加热装置
申请中
IPC: C30B28/00; C30B29/06
中国专利
摘要: 本实用新型涉及多晶硅技术领域，具体涉及一种多晶硅棒加热装置。所述的装置包括：微波加热装置(1)、热辐射装置(3)、氮化硅轮(14)、齿轮(16)和带齿条轨道(17)；所述的装置的一端为微波加热装置(1)，微波加热装置(1)的一端设置热辐射装置(3)，微波加热装置(1)和热辐射装置(3)的内部设置联通的腔室；所述的腔室底部设置贯穿腔室的带齿条轨道(17)，带齿条轨道(17)上设置有与其匹配的连接氮化硅轮(14)的齿轮(16)。本实用新型的优点：加热效率高。能源利用率高。操作方便。...
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多晶硅冷氢化流化床的防堵塞系统及方法
申请中
IPC: B01J8/28; C01B33/107; B01J8/00
中国专利
摘要: 本发明公开了一种多晶硅冷氢化流化床的防堵塞系统及方法，涉及多晶硅生产技术领域，目的是提供一种对冷氢化流化床的床层硅粉堵塞结块进行智能处理的方式。本发明的主要技术方案为：多晶硅冷氢化流化床的防堵塞系统，该系统包括：流化床内自上而下排列有多个床层；氢气总管安装有调节阀，每一个吹扫管的一端连接于高压氢气总管，另一端贯穿流化床的侧壁，吹扫管另一端侧壁的吹扫口对应于其中一个床层，每一个吹扫管依次安装有两位阀和温度传感器；每一个检测管的一端连接于仪表氢气管，另一端连接于温度传感器和流化床之间的吹扫管，每一个检测管安装有压力传感器；调节阀、多个压力传感器和多个两位阀集成于DCS控制系统中，构成联锁控制机构。...
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一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法
已授权
IPC: H10P74/00
中国专利
摘要: 本发明公开一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法，采用结构相同但存在特征区别的第一构件和第二构件进行对比测试，其中，第二构件存在的区别特征在于具备若干个以矩阵布置于第一沟槽所环绕的区域内的第二沟槽，对第一构件和第二构件进行离子注入，将离子注入后的第一构件和第二构件的总电阻进行对比，以快速获取监测沟槽MOS的刻蚀深度的偏差情况，无需对芯片进行破坏性的解剖测试，可以监测到每一片晶圆的指定位置区域的刻蚀深度，相比于传统方法的监测频次和范围更加完善。...
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一种低检测下限的MEMS流量传感器及其制作方法
申请中
IPC: G01F1/684; B81B7/02; B81C1/00; G01F1/688; G01F1/69
中国专利
摘要: 本发明涉及一种低检测下限的MEMS流量传感器及其制作方法，属于流量测量技术领域。流量传感器由下到上依次包括衬底、支撑层、功能层和保护层，保护层顶部靠近气流入口的一侧设置有微型凸起；衬底内设置有隔热腔体；功能层包括加热元件和对称分布在加热元件两侧的上游感温元件和下游感温元件。本发明通过在气流入口一侧设置微型凸起，一方面能有效梳理微流量下的局部流场，抑制扰动以降低噪声；另一方面，其局部适度阻挡可在感温元件前端形成均匀缓流区，促进充分换热以提升灵敏度，进而显著降低传感器检测下限。此外，本发明基于成熟的MEMS微加工工艺制备，可控性强、良率高，适合批量生产。...
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一种氯硅烷中六氯乙硅氧烷和六氯乙硅烷含量的检测方法
申请中
IPC: G01N30/02; G01N30/66; G01N30/86; G01N30/54; G01N30/32
中国专利
摘要: 本发明公开一种氯硅烷中六氯乙硅氧烷和六氯乙硅烷含量的检测方法，属于多晶硅生产副产物检测技术领域，包括以下步骤：气相色谱仪检测器选择热导检测器，载气选择氢气，色谱柱选择5±0.1米聚二甲基聚硅氧烷填充柱；载气流速设置为30±5mL/min，色谱柱温度的升温程序为：在60±5℃平衡4分钟，再以升温速率8‑10℃/min升温到150±5℃平衡5分钟；配置氯硅烷标准混合液；记录氯硅烷标准混合液中六氯乙硅氧烷和六氯乙硅烷标准溶液峰面积；记录氯硅烷中六氯乙硅氧烷和六氯乙硅烷的峰面积；计算六氯乙硅氧烷和六氯乙硅烷含量。本发明能够对多晶硅生产副产物中六氯乙硅氧烷和六氯乙硅烷进行有效分离并定量。...
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一种单晶炉及其使用方法
申请中
IPC: C30B29/06; C30B15/20; C30B15/14
中国专利
摘要: 本发明涉及一种单晶炉及其使用方法，单晶炉包括炉体和所述炉体上侧座体上由伺服减速电机驱动的丝杆滑台模组，炉体铰接有炉体门，炉体门上设置有观察窗，炉体的顶部设置有与炉体连通的密封座，炉体的背部设置有与炉体连通的法兰连接座，炉体、炉体门、观察窗、密封座和法兰连接座均为双层水冷腔体，炉体的底部设置螺旋加热线圈，加热线圈的中心位置内放置有坩埚，丝杆滑台模组的滑台上固定有伺服电机，滑台相对于座体垂直上下运动，伺服电机的输出端经一陶瓷杆连接一延伸至单晶炉内的籽晶杆。本发明能够提高坩埚和螺旋加热线圈在炉体的稳定性，保证单晶炉炉身温度分布均匀。...
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使用富硅电介质层作为基底电介质构建电阻器、电容器、EFUSE的集成方案
申请中
IPC: H10D1/47; H10D1/68; H10D84/80
摘要: 一种方法和一种电子器件，该电子器件包括在半导体表面层上或半导体表面层中具有电介质材料的隔离结构，以及在隔离结构的一侧上具有金属硅化物结构的无源电路元件，其中金属硅化物结构包括金属硅化物部分和电介质部分，金属硅化物结构的电介质部分包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、氮化硅碳和氮氧化硅中的一种。该方法包括在半导体表面层之上或之中形成隔离结构的介电材料，在隔离结构的一侧上形成富硅介电层，以及硅化富硅介电层以在隔离结构的一侧上形成金属硅化物结构。...
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MEMS攻丝模型悬臂作为声学纳米力传感器
申请中
IPC: H04R1/08; G01N21/17; H04R3/00; H04R19/00
摘要: 在第一方面，本发明涉及一种用于检测声学信号的MEMS麦克风。MEMS麦克风表现出可振动的麦克风膜，该可振动的麦克风膜由通过声音入口开口的声波引起振动。此外，MEMS麦克风具有包括测量尖端的悬臂。悬臂通过致动器主动地引起振动，使得测量尖端以无接触振动的方式被引导到麦克风膜。在传声器膜和测量尖端之间流过隧道电流，利用该隧道电流可以检测传声器膜的依赖于声波的振动行为。电子电路被配置为测量麦克风膜和测量尖端之间的隧道电流。根据本发明的MEMS麦克风使得能够以高分辨率检测特别低的声压级。在另一方面，本发明涉及用于使用根据本发明的MEMS麦克风检测声学信号的方法。...
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用于高速阻性栅极传感器的偏置和读出方法
申请中
IPC: H10F30/00
摘要: 光子或电子检测器可以包括多晶硅电阻栅极，所述多晶硅电阻栅极具有施加的电压梯度以减小滞后并提高操作速度。多晶硅电阻栅可以是掺杂的多晶硅，其被重掺杂有施主原子或受主原子，并且被离子注入有电非活性物质。非电活性物质可以以图案注入，以形成具有不同电阻率的多个离子注入区域。以选择的图案形成离子注入区域，以控制多晶硅电阻栅极的电阻率，并修改穿过差分偏置的多晶硅电阻栅极的横向电场。X射线检测器还可以包括具有电流模式差分连接的电路元件，以改善时钟馈通和功率耗散特性。...
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添加剂供给系统、晶锭拉拔装置和使用这种添加剂供给系统形成单晶硅锭的方法
申请中
IPC: C30B15/04; C30B29/06
摘要: 公开了用于将至少两种不同添加剂供给到设置在晶锭拉晶设备的坩埚内的硅的添加剂供给系统。添加剂供给系统可以包括第一和第二供给盘，所述第一和第二供给盘被引起振动，以将第一或第二添加剂从其中储存添加剂的罐移动到另一容器，在所述另一容器中感测添加到所述容器的第一或第二添加剂的量。添加剂从容器中排出到添加剂进料管中，添加剂通过添加剂进料管进入坩埚。...
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基于纳米活性硫层的表面增强拉曼光谱传感材料及其制备方法和应用
申请中
IPC: G01N21/65
中国专利
摘要: 本发明属于表面增强拉曼光谱检测及生物医学分析技术领域，尤其是基于纳米活性硫层的表面增强拉曼光谱传感材料及其制备方法和应用。本发明传感材料包括从下至上依次设置的支撑基底、金属纳米结构层和单质硫活性层；金属纳米结构层从下至上包括依次设置的第一金属薄膜、介质球模板层和第二金属薄膜，第一金属薄膜沉积在支撑基底上，单质硫活性层沉积在第二金属薄膜上。通过控制单质硫的升华沉积条件，使其在金属及其合金纳米阵列表面形成均匀、致密但不过度填充纳米缝隙的超薄硫活性层，在保证等离子“热点”结构的同时引入对多种重金属离子的高亲和反应界面，实现生物样本中多种重金属离子的低波数指纹化检测。...
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光检测元件
申请中
IPC: H10F39/12; H10F39/18
摘要: 一种光检测元件包括：第一基板，其包括光电转换元件；第二基板，其包括像素电路的至少一部分，所述像素电路根据从所述光电转换元件输出的电荷生成像素信号；以及层间绝缘层，其在所述第一基板和所述第二基板之间。所述层间绝缘层包括两个以上配线层。...
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一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法
申请中
IPC: H10F71/00; H10F77/70
中国专利
摘要: 本发明涉及一种激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法，涉及激光全息制绒技术领域，包括以下步骤：S1激光全息系统搭建与参数设置；S2硅片预处理；S3激光全息制绒过程；S4后处理与检测。该激光全息制绒太阳能电池硅片表面的方法，通过精确控制微纳结构的形成，有效降低了硅片表面的光反射率，具体而言，该方法形成的微纳结构使硅片在400‑700nm可见光波段的反射率稳定控制在8%‑12%之间，相比传统化学制绒方法反射率降低3%‑5%，这种反射率的降低使得更多入射光能够进入硅片内部，光程延长，光生载流子数量显著增加，从而提升电池的短路电流密度和光电转换效率，通过精确控制激光参数和干涉条件，实现了微纳结构的高均匀...
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三氯氢硅中硼和磷元素杂质的吸附除杂系统
申请中
IPC: B01D15/10; C01B33/107; B01D15/20
中国专利
摘要: 本发明公开一种三氯氢硅中硼和磷元素杂质的吸附除杂系统，涉及多晶硅生产技术领域，三氯氢硅中硼和磷元素杂质的吸附除杂系统包括反应器、投放管道及定量结构，其中，投放管道设置于反应器上，用于向反应器内输送吸附剂，定量结构包括集中箱、检测装置、支撑板、推动板以及第一驱动器，集中箱设置于投放管道上，集中箱上开设有出料口，出料口与投放管道连通，集中箱内腔底部设置有检测装置，集中箱内活动设置有支撑板，支撑板位于检测装置顶部，检测装置用于检测支撑板上物料的重量，推动板活动设置于集中箱内，第一驱动器安装于集中箱上，且与推动板驱动连接，用于驱动推动板推动支撑板上的物料朝向出料口移动。...
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多晶硅还原炉雾化的检测方法、调整方法、检测装置及调整装置
已授权
IPC: G01N15/06
中国专利
摘要: 本发明提供一种多晶硅还原炉雾化的检测方法、调整方法、检测装置及调整装置。检测方法包括：在多晶硅还原炉尾气出口管线上安装粉尘检测仪，每隔2‑5min测量其内粉尘浓度值，以当前时刻往前的15‑20个数值为一组数据，计算这组数据的极差和方差，当24＜极差≤32且96＜方差≤128时，判断当前轻度雾化，当32＜极差≤40且128＜方差≤160时，判断当前时刻中度雾化，当极差>40且方差>160时，判断当前时刻重度雾化。该方法能够准确判断还原炉的雾化程度，以便操作人员及时掌握还原炉内雾化程度及进行调整，实现一定程度的雾化边界卡边运行，以达到既降低电耗又保证还原炉产品质量的目的。...
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显示面板及电子设备
已授权
IPC: H10K59/60; H10K59/12; H10H29/30; G09F9/33
中国专利
摘要: 本申请实施例提供的显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。显示面板具有与各像素发光单元的发光区域对应的第一区域和位于第一区域周侧的第二区域，显示面板包括光电转换电路及检测控制单元，将光电转换电路设置在第二区域，检测控制单元可以根据像素发光单元的工作状态控制光电转换电路将环境光转换为电能，可以在确保像素发光单元正常工作的前提下，将光电转换电路所处区域的环境光转换为电能，以便将转换的电能供显示面板消耗，提升显示面板的续航能力。...
