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微机电系统烘箱控制振荡器
申请中
IPC: H03B5/04; H03B5/30
摘要: 提供一种具有用于热管理的分区的微机电系统(MEMS)器件。在一个说明性实施例中，所述装置可包含：加热区段，其包含第一裸片及第二裸片，其中：所述第一裸片包含加热器，且所述第二裸片耦合到所述第一裸片且包含温度传感器及MEMS谐振器；以及非加热区段，所述非加热区段通信地联接到所述加热区段并且包括第三裸片。所述第三裸片可接收与所述温度传感器相关联的第一信号且基于所述第一信号将第二信号提供到与所述加热器相关联的所述第一裸片。...
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光掩模、半导体装置的制造方法及半导体装置
申请中
IPC: G03F1/42; G03F7/20; G03F9/00
中国专利
摘要: 本公开涉及一种用于光刻步进机的光掩模(20)。光掩模(20)包括台阶区域(111)。台阶区域(111)包括在台阶区域(111)的第一边缘部分(101)中的第一对准标记(107)。第一对准标记(107)限定梳状图案，该梳状图案包括第一线(121)和在第一方向上在第一线(121)和台阶区域(111)的第一边界(110)之间的多条平行的第二线(122)，第一线(121)和第一边界(110)之间的距离在第一方向上小于在与第一方向相反的第二方向上。第一线(121)平行于第一边界(110)延伸，并且第二线(122)垂直于第一边界(110)延伸。第二线路(122)连接到第一线路(121)。...
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具有用于调谐交叉轴灵敏度的电极的陀螺仪
申请中
IPC: G01C19/5755; B81B3/00
摘要: 公开了具有用于调谐交叉轴灵敏度的电极的陀螺仪。在某些实施例中，MEMS陀螺仪包括：谐振器质量块，其在第一方向(例如，x方向)上移动；感测结构，其在第二方向(例如，y方向)上检测科里奥利效应；以及多个电极，其通过控制谐振器质量块在第三方向(例如，z方向)上的运动来控制MEMS陀螺仪的交叉轴刚度。例如，电极可用于减小或消除由交叉轴刚度引起的交叉轴灵敏度，诸如kxz(谐振器到正交)和/或kyz(科里奥利到正交)。...
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一种MEMS电容传声器
已授权
IPC: H04R19/04
摘要: 本发明公开了一种MEMS电容传声器，包括基底、支撑部以及振膜，其中：所述振膜通过支撑部所述支撑在所述基底上方，所述基底、所述支撑部、所述振膜围成了真空腔；所述振膜靠近所述真空腔的一侧通过连杆连接静电离合器；所述静电离合器连接有电容感测结构。与现有技术相比，本发明的优点是允许麦克风在客户可能期望的大范围大气压力下工作。这是以纯被动的方式静电实现的，这比其他需要复杂的电子和主动控制的设计具有优势，由于在不考虑转子位置直流电变化的情况下，只需考虑转子的微小交流扰动，所以将膜与感测结构物理解耦，从而简化了感测结构的设计。...
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一种硅棒半径测量方法、还原炉炉温测量方法及系统
申请中
IPC: G16C20/10; G01B21/10; G01K7/16; G06F30/20; G06F119/08; G06F119/14
中国专利
摘要: 本发明涉及多晶硅材料制备技术领域，提供了一种硅棒半径测量方法、还原炉炉温测量方法及系统，硅棒半径测量方法包括：响应于预设测量信号，获取当前工艺时间；将当前工艺时间输入硅棒生长机理模型，获取到实时硅棒半径；其中，硅棒生长机理模型，对于多晶硅生产中反应物扩散起主导作用的第一硅棒生长阶段，将硅棒半径增长与工艺时间之间的非线性关系拟合为第一半径计算函数；对于多晶硅生产中硅棒表面化学反应起主导作用的第二硅棒生长阶段，将硅棒半径增长与工艺时间之间的非线性关系拟合为第二半径计算函数。本发明提供的硅棒半径测量方法，准确性高、系统成本低、实施简单，充分满足工业化应用对经济性与易用性的要求。...
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一种半导体测试结构及晶圆
申请中
IPC: H10W46/00
中国专利
摘要: 本实用新型提供一种半导体测试结构及晶圆，半导体测试结构包括：栅极层，设置在衬底表面，栅极层形成一连续图案；阻挡层，设置于栅极层的两侧及其顶部上；金属硅化物层，包括多个金属硅化物段，多个金属硅化物段分别设置于阻挡层上；多个金属插塞，金属插塞的底端朝向金属硅化物段，一个金属硅化物段对应两个金属插塞；金属层，包括多个金属段，沿栅极层的连续路径方向上，相邻两个金属硅化物段的靠近端，在对应的两个金属插塞的顶端上，连接有一个金属段；其中，在栅极层的两端，金属硅化物段上的金属插塞顶端连接有金属段。本实用新型可在自对准多晶硅的制程工艺中，提高对接触电阻的检测效率。...
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一种扫描外形的电子级多晶硅表金属检测方法
已授权
IPC: G01N27/626
中国专利
摘要: 本发明公开了一种扫描外形的电子级多晶硅表金属检测方法，包括以下步骤：S1、取样；S2、测量体金属含量；S3、测量传统表金属含量；S4、计算真实表金属含量。优点在于：首次实现了对表金属检测中体金属贡献量的精确量化与扣除，解决了高纯硅材料表金属检测值系统性偏高的问题；通过3D扫描技术测量真实表面积，适用于任何不规则形状的硅块，无需将其近似为规则几何体，普适性更强。计算得到的表金属真实含量结果能更真实地反映清洗等表面处理工艺的实际效果，为清洗工艺优化提供准确的数据依据，避免误判和资源浪费。...
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具有低温温度传感器的过程变量变送器
申请中
IPC: G01K7/18; G01K1/024; G01K7/22; G01K13/00
摘要: 一种用于感测工业过程中的低温温度的过程变量变送器，包括被配置为热耦合到工业过程的低温温度传感器。低温温度传感器具有响应于低温温度的变化而变化的电阻，并且工业过程处于低温温度。电阻测量电路电耦合到低温温度传感器，并且在电阻范围内测量传感器电阻，并且基于所测量的电阻响应地提供与温度相关的输出。发射器输出电路，所述发射器输出电路耦合到所述测量电路以将与所述低温温度相关的信息发射到远程位置。所述低温温度传感器包括多晶硅传感器，所述多晶硅传感器包括掺杂剂，使得所述低温温度传感器具有在低温温度范围内变化的电阻，所述低温温度范围在所述测量电路的传感器电阻范围内。...
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包含多晶碳化硅支撑衬底上的单晶薄膜的复合结构及相关制造方法
申请中
IPC: C30B29/36; C30B29/04; C30B29/16; C30B29/38; C30B33/06; H10W10/00; H10W80/00
中国专利
摘要: 本发明涉及一种用于制造微电子元件的复合结构，其包括放置在多晶碳化硅支撑衬底上的单晶薄膜，所述支撑衬底在其每个面上具有优先晶体取向，根据该结构：-织构系数C422小于40%，以及-织构系数C220+C200+C400之和大于50%，优选大于80%。本发明还涉及一种用于制造这种复合结构的方法。图随摘要发表：无图...
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一种微电子机械传感器及其制备方法
申请中
IPC: B81B7/02; B81B7/00; B81C1/00; G01D5/24
中国专利
摘要: 公开了一种微电子机械传感器及其制备方法，微电子机械传感器包括：基底，所述基底中具有从基底的第一表面延伸至其内部的凹槽；第一介质层，覆盖所述基底的第一表面，并且覆盖所述凹槽的底部和侧壁；埋层，位于所述凹槽中，经由所述第一介质层与所述基底隔离；保护层，位于未被所述埋层覆盖的第一介质层和所述埋层上；检测电极，位于所述保护层上，并且与所述埋层相对；功能层，位于所述保护层和所述检测电极上，所述功能层包括固定部分和可动部分，所述功能层的可动部分与所述检测电极之间具有空隙；焊盘，位于所述功能上，所述焊盘分别与所述检测电极和所述功能层电连接。...
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互易空间中的接口检测
申请中
IPC: G06T7/13; G01N23/04; G01N23/20058; G06T7/73; G06V10/82; G06V20/69
摘要: 方法和装置基于在相应位置处的互易空间图像的分类来确定样品中给定材料的边界的位置。对给定位置处的衍射图像进行分类以识别该位置处的材料。在多个位置进行成像和分类，可以快速可靠地找到边界，精度达到亚微米级。二分搜索提供了速度。通过神经网络进行分类。该技术适用于区分单晶、多晶和非晶硅、高Z材料(钨)或低Z材料(碳)等。该技术集成到自动化工作流程中，并根据定位的边界精确定位进一步的成像、探测或铣削操作。公开了示例和变型。...
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用于控制可植入流量限制系统的系统、装置和方法
申请中
IPC: A61M60/126; A61M60/30; A61M60/531; A61M60/861; A61M60/876; A61M60/892; A61B17/12; A61F2/06
摘要: 流量限制系统可包括用于控制可植入流量限制器的可植入控制器系统。所述控制器系统可包括：可植入壳体、至少部分置于可植入壳体内的致动器、内部电源和处理器。致动器具有两种配置：一种对应于可植入流量限制器处于低轮廓状态，另一种对应于可植入流量限制器处于高轮廓压力限制状态。内部电源被配置为向致动器供电，处理器被配置为使用内部电源的电力来控制致动器的运行。...
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红外焦平面阵列的像元热导测试方法
申请中
IPC: G01J5/20; G01J5/90; G01N25/18
中国专利
摘要: 本发明公开了一种红外焦平面阵列的像元热导测试方法，包括：对像元热导测试结构进行电阻‑温度对应关系测试，以及进行电流‑电压对应关系测试；基于电流‑电压对应关系测试得到的电阻数据对电阻‑温度对应关系测试的测试数据进行插值计算，得到初步热导值；基于初步热导值进行拟合得到热敏材料的激活能；根据激活能、电流‑电压对应关系测试得到的电阻数据计算得到与电阻数据对应的温度数据，并重新计算得到中间热导值；对激活能、温度数据、中间热导值进行重复迭代计算，直至最后两次计算得到的中间热导值的差值小于预设阈值，并将最后一次计算得到的中间热导值作为最终热导值。能够提升最终热导值的测量准确性。...
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显示装置和显示面板
申请中
IPC: G09G3/3208; G09G3/20; G09G3/00; G09G3/36
摘要: 公开了一种显示装置和显示面板。本公开提供一种显示面板，其包括设置有子像素的显示区域以及在显示区域的外部的不显示图像的非显示区域，并且一种显示装置，其包括显示面板和被配置为驱动显示面板的驱动电路，非显示区域包括测试区域，在测试区域中，与子像素中包括的多个晶体管相对应，多个测试晶体管设置为用于检测操作特性。...
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半导体设备
申请中
IPC: H10D89/60; H10D12/00; H10D30/66; H10D84/80
摘要: 提供一种半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块，该半导体装置具备：半导体基板；开关元件，其形成在半导体基板上；温度检测二极管，其与开关元件独立地设置在半导体基板的表面侧，具有与温度相关的特性。此外，提供了配备有半导体器件1的半导体模块。选定附图：图5B...
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半导体器件和半导体电路
申请中
IPC: H01L23/34
摘要: 提供了一种半导体器件，包括：具有上表面的半导体衬底；温度检测二极管，设置在半导体衬底的上表面上方；阳极焊盘，其被布置在所述半导体衬底的上表面上方，并且被连接到所述温度感测二极管的阳极；阴极焊盘，其被布置在所述半导体衬底的上表面上方，并且被连接到所述温度感测二极管的阴极；栅极焊盘，其设置在所述半导体衬底的上表面上方；以及栅极流道，其布置在所述半导体衬底的上表面上方，并且连接到所述栅极焊盘，其中所述阳极焊盘和所述阴极焊盘之间的整个区域不与所述栅极流道重叠。...
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光检测器和距离测量装置
申请中
IPC: H10F39/00; G01S7/481; G01S17/08
摘要: 本公开的实施方式的光检测器包括：第一半导体基板，具有第一表面和第二表面，并且包括像素阵列部；在所述第一半导体衬底内部的光接收部分，用于每个所述像素，所述光接收部分产生对应于所接收的光量的载流子；乘法部分；绝缘层，堆叠在所述第一表面上并具有开口；多晶硅膜，所述绝缘层插入在所述第一表面和所述多晶硅膜之间，至少沿着所述像素的边界，所述多晶硅膜通过所述开口电耦合到所述光接收部分；第一布线，其在所述第一表面侧上沿着所述像素中的每一个的外形；以及第一连接布线，其在所述第一表面侧上沿着所述像素中的每一个的外形，将所述多晶硅膜和所述第一布线电耦合。...
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半导体器件及其操作方法
申请中
IPC: B81B3/00; B81C1/00
摘要: 本公开提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：电路板；封装结构，所述封装结构设置在所述电路板上方并接合至所述电路板；以及MEMS结构，所述MEMS结构设置在所述封装结构上方并接合至所述封装结构，并且包括可移动元件。所述可移动元件在所述封装结构的操作时相对于所述封装结构和所述电路板可移动。...
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一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
申请中
IPC: H10F77/164; H10F10/14; H10F77/1223; H10F77/14
摘要: 本公开适用于太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，太阳能电池包括：硅基底，硅基底的表面设有P区及N区；设于P区的P型掺杂多晶硅层；设于N区的N型掺杂多晶硅层；其中，N型掺杂多晶硅层通过X射线衍射分析测量的平均晶粒尺寸大于P型掺杂多晶硅层通过X射线衍射分析测量的平均晶粒尺寸。本公开提供的太阳能电池可以减小P型掺杂多晶硅层与N型掺杂多晶硅层扩散温度的差值，利于提升生产效率，提高产能；而且，可以提升P型掺杂多晶硅层的导电效果，可以减小电池金属化过程对P型掺杂多晶硅层的金属化损伤，从而提升电池效率。...
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化学、机械、磨料、浆料、组合物和半导体器件制造方法
申请中
IPC: H10P52/00; B24B37/00; C09G1/02; C09K3/14
中国专利
摘要: 描述了化学机械抛光氧化铈颗粒和包含该氧化铈颗粒的化学机械抛光浆料组合物。所述化学机械抛光浆料组合物组合包含特征性氧化铈颗粒、阳离子聚合物和多晶硅抛光抑制剂，从而能够提高氧化膜抛光速率，同时在STI抛光期间最大化氧化硅膜/多晶硅膜选择性。...
