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激光晶化装置的监控系统
已授权
IPC: H10P95/00; H10D30/67; H10D30/01
中国专利
摘要: 根据本发明一实施例的一种激光晶化装置的监控系统包括：工作台，用于支撑基板；激光生成部，向所述基板提供激光束；散射光束检测部，检测出在所述基板上被散射的所述激光束的散射光束；及，控制部，接收并存储被检测出的所述散射光束的强度相关的数据，基于此来修正所述激光生成部的所述激光束的强度。...
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一种耐磨疏水镀膜玻璃的制备方法及新型防积尘光伏组件
申请中
IPC: C03C17/42; H10F19/80
中国专利
摘要: 本发明公开一种耐磨疏水镀膜玻璃的制备方法及新型防积尘光伏组件，解决小倾角光伏组件积灰致功率损失大、涂层性能失衡等问题。镀膜玻璃制备时，光伏玻璃经超声预处理后，以TBT制含的硬质涂层溶胶，UV照射固化成耐磨底层；乙烯基三甲氧基硅烷与聚乙烯吡咯烷酮复合纤维制疏水溶胶，电纺丝后超声去聚乙烯吡咯烷酮，FOTS修饰成疏水上层；其接触角＞150°、硬度≥5H、透光率≥93.5%；组件含上述镀膜玻璃、电池层、背玻；取消短边框，保留长边框；短边及角部用低水汽透过率丁基胶带密封，其余用胶膜粘结。本发明消积灰带、降功率损失与热斑风险，涂层耐久、组件防水性优，提升电站发电量与寿命，适用于分布式小倾角场景。...
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一种多晶硅水淬溢流废水回收利用系统
申请中
IPC: C02F1/44; C02F1/00; G01N27/10; C01B33/021; F25D17/02; F25D29/00
中国专利
摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅水淬溢流废水回收利用系统，包括水淬槽、水淬溢流罐、过滤装置以及水冷塔换热器；纯水来水管线的出水端与水淬槽的冷却水进口连通，水淬槽的溢流水出口通过管线与水淬溢流罐的进水口连通，水淬溢流罐的出水口通过管线与过滤装置的进水口连通，过滤装置出水口通过管线与水冷塔换热器的冷介质进口连通。优点在于：本实用新型通过水淬溢流罐的出水口处设置的电导率传感器对溢流废水的水质进行检测，根据水淬溢流废水的水质情况为溢流废水提供了3种处理方式，在保证水冷塔换热器和水淬槽正常运行的情况下，尽可能实现回用，减少水资源的浪费，同时降低废水处理成本。...
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一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法
申请中
IPC: H03F1/30
中国专利
摘要: 本发明涉及智能芯片技术领域，公开了一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法，该方法包括：对输入匹配网络进行热阻建模，获取温升分布；在栅极布线路径设置铜‑石墨烯复合热导增强结构；在栅极下方嵌入氮化铝高热导介质层并连接深硅通孔至衬底热沉，构建垂直低热阻通道；在匹配网络与有源区间设置填充气凝胶的热隔离沟槽以阻断横向热流；集成微型温度传感器与偏置控制电路，动态补偿栅压漂移。本发明通过在晶体管栅极区域构建与输入匹配网络热阻相匹配的主动散热结构，从根本上消除了因热阻失配导致的局部热点；高热导率介质层与深硅通孔形成的垂直散热通道显著降低了栅极至热沉的热阻路径。...
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光检测装置和固态成像装置
申请中
IPC: H10F39/18; H04N25/70
中国专利
摘要: 根据本公开实施例的光检测装置包括第一半导体层、浮动扩散层、第一晶体管和第一配线。第一半导体层具有彼此相对的第一表面和第二表面，且包括埋入在每个像素中的光电转换器。浮动扩散层埋入在第一半导体层的第一表面中，具有与第一表面齐平或突出于第一表面的上表面，并累积在光电转换器处产生的信号电荷。第一晶体管设置在第一半导体层的第一表面上，并读取来自浮动扩散层的信号电荷。第一配线包括多晶硅，并连接至浮动扩散层的上表面。...
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一种高响应石墨烯霍尔力传感器及其制备方法
申请中
IPC: H10N52/00; G01L1/18; H10N52/80; H10N52/01
中国专利
摘要: 本发明涉及一种霍尔传感器，尤其是一种高响应石墨烯霍尔力传感器及其制备方法。高响应石墨烯霍尔力传感器，从下至上依次包括：第四衬底、应变放大层、底h‑BN层、石墨烯层、顶h‑BN层以及金属电极；金属电极与所述石墨烯层形成边缘接触，霍尔电极区域以器件中心为基准高度对称。本发明提供的一种高响应石墨烯霍尔力传感器既能实现高灵敏度的应力响应，又能保持低噪声与良好的线性度，通过在可变形基底上施加外力，应变经应变放大层传递至石墨烯，使其能带结构及载流子密度发生变化，从而引起霍尔电阻的可测变化。该结构不仅实现了力学应变与霍尔效应的耦合检测，还具备较高的应变放大效率与电学稳定性，适用于高精度应力与压力检测。...
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可擦除可编程单层多非易失性存储单元。
申请中
IPC: H10B41/10; H10B41/35; H10B41/60; H10D30/68
摘要: 提供了一种存储器件和用于控制存储器件的验证电压的方法。所述方法包括：根据所述存储器装置的存储器扇区的电特性，确定在一个验证周期中被验证的数据位的位计数为K，其中K为正整数；控制所述存储器件的电荷泵电路以在所述存储器扇区的当前验证周期的开始时间点开始检测所述验证电压并开始上拉所述验证电压；响应于所述验证电压达到预定电平，控制所述电荷泵电路在所述当前验证周期的验证时间点停止上拉所述验证电压；以及在所述当前验证周期的所述验证时间点之后，使用所述验证电压来验证写入所述第一存储器扇区的K个数据位。...
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用于确定由加热工艺实现的温度的方法
申请中
IPC: G01N23/20
摘要: 一种用于确定通过加热工艺在衬底上实现的温度的方法，包括：接收衬底，所述衬底包括布置在第一层上方的含金属层，所述含金属层包括金属，所述第一层包括不同于所述含金属层的第一材料；以及执行所述加热工艺以使用脉冲激光加热所述衬底。所述方法还包括：在执行所述加热工艺之后，使用衍射技术确定所述含金属层的相组成和所述含金属层的材料组成。并且所述方法还包括：使用所述含金属层的所述相组成和所述材料组成，确定通过所述加热工艺实现的所述衬底的温度。...
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用于金属检测的电化学纳米传感器阵列/工作电极、其制备方法和相关试剂
申请中
IPC: G01N27/30; C02F1/461; G01N27/411; G01N33/18
摘要: 一种工作电极，包括：(a)导电表面；和(b)以受控节距分布在导电表面上的一种或多种对一种或多种金属具有特异性的一种或多种配体的多个纳米团簇。还公开了相关的方法和组合物。...
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一种多晶硅还原炉
申请中
IPC: F27D3/12; C01B33/03; F27D1/00; F27D21/02; F27D9/00
中国专利
摘要: 本发明涉及多晶硅生产装置技术领域，具体为一种多晶硅还原炉，包括固定支架，所述固定支架的下端安装有第一电机，所述固定支架的内侧固定连接有底座，所述底座的上端安装有炉体，所述底座的内侧炉体的内部设置有用于检测生产状态的晶硅检测机构，所述底座的内侧设置有用于调节硅棒的U形硅棒，所述底座的上端安装有钟罩，所述钟罩的内壁开设有螺旋滑槽，所述钟罩的内侧设置有用于检测生产状态的硅棒检测机构，通过转动组件带动U形硅棒做圆周运动，配合检测组件的8字形轨迹，使耐高温光纤光栅传感器能覆盖硅棒不同区域的芯部，全面捕捉温度梯度分布，避免传统固定点检测的局部数据偏差。...
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电阻电路以及具有该电阻电路的电流检测电路
已授权
IPC: G01R27/02
中国专利
摘要: 提供电阻电路以及具有该电阻电路的电流检测电路，温度依赖性小、并且能够在从高电阻值到低电阻值的大范围内调整电阻值、并且面积小。一种电阻电路，其连接在第1端子与第2端子之间并且电阻值可变，所述电阻电路具有基准电阻、串联可变电阻组和并联可变电阻组，串联可变电阻组具有相互串联连接的N个并联可变电阻单元(RP(1)～(N))，N个并联可变电阻单元各自具有电阻以及与该电阻并联连接的微调元件，并联可变电阻组具有相互并联连接的M个串联可变电阻单元(RS(1)～(M))，M个串联可变电阻单元各自具有电阻以及与该电阻串联连接的微调元件。...
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一种海上风电多能互补协同发电系统及控制方法
申请中
IPC: H02J3/466; H02J3/28; H02J3/00; H02J103/35; H02J103/40; H02J103/50; H02J101/20; H02J101/24; H02J101/28
中国专利
摘要: 本发明提供了一种海上风电多能互补协同发电系统及控制方法，属于海上风电技术领域。系统包括海上风电场、储能系统、太阳能光伏发电系统、潮汐能发电装置及智能控制系统，形成“四元能源组合+智能中枢管控”的核心架构；控制方法以“实时监测‑精准预测‑动态调度‑优化分配”为核心逻辑，采用LSTM神经网络算法实现发电功率与电网负荷精准预测，通过盈余/缺口调度及时段优化实现多能源协同。本发明可将弃风弃光率降至5%以下，能源综合利用效率提升18%‑22%，电网频率偏差控制在±0.2Hz以内，电压合格率≥99.8%，有效解决现有系统能源协同性差、控制策略不完善的问题，适配大规模海上风电项目运营需求。...
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基于多电阻器的电流感测放大器的老化补偿
已授权
IPC: H03F1/30; H03F1/56
中国专利
摘要: 本公开涉及基于多电阻器的电流感测放大器的老化补偿。无线电力系统包含用于接收及发射无线电力的线圈、集成电路以及一或多个电池。所述集成电路包含整流器电路、电流感测放大器电路、校准电路及电压调节器。当所述无线电力系统处于接收模式中时，所述整流器电路从所述线圈接收交流电流并产生经整流电压，且当所述无线电力系统处于发射模式中时，所述整流器电路将交流电流进一步发射到所述线圈。所述电流感测放大器电路检测在所述整流器与所述电压调节器之间流动的电流。所述校准电路产生电压，所述电压由所述集成电路的固件使用以校准所述电流感测放大器电路内的电阻器的老化。...
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多晶铸锭二次投料装置及多晶铸锭系统
申请中
IPC: C30B28/06; C30B29/06
中国专利
摘要: 本实用新型公开一种多晶铸锭二次投料装置及多晶铸锭系统，涉及多晶硅铸锭技术领域。该装置包括：用于容纳硅料的料桶，料桶设有可控通断的下料口；用于向铸锭炉的坩埚通入氩气的氩气管道，氩气管道伸入铸锭炉的炉腔内且氩气管道的氩气出口与坩埚连通；以及下段螺旋料管，下段螺旋料管设置在料桶的下方，下段螺旋料管的顶端入口通过上段料管与下料口连通，底端出口与氩气管道连通。本实用新型通过设置下段螺旋料管，在硅原料下料过程中利用螺旋结构对下降的硅原料进行充分减速，使下降的硅原料到达硅熔体或硅固液混合体表面速度远小于垂直模式速度，从而实现硅原料进入坩埚中无溅料的目的。...
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多晶硅块分拣设备
申请中
IPC: B07C5/34; B07C5/36
中国专利
摘要: 本实用新型公开了一种多晶硅块分拣设备。属于电子级多晶硅后处理技术领域，该多晶硅块分拣设备包括输送装置和筛选装置，输送装置适于输送多晶硅块，筛选装置包括通讯相连的视觉检测组件和筛选执行组件，筛选执行组件通过视觉检测组件检测每个多晶硅块的孔洞数量N，并从输送装置上取出N≥3的多晶硅块，以实现多晶硅块的自动分拣，有利于节省人工成本、提升产线的生产效率，并可减少人为错误。...
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一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法
申请中
IPC: H10B12/00; G11C11/401; G11C11/409
中国专利
摘要: 本发明公开了一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法，属于半导体集成电路领域。本发明的DRAM单元将写晶体管和读晶体管以同轴心圆柱体的形式三维集成，其中读晶体管位于内核，写晶体管同轴包裹在外周。此结构将单元占地面积缩减至一个纳米柱的投影面积，理论上可达4F2的极限密度，彻底去除了传统DRAM的存储电容。外周的写晶体管形成了一个“法拉第笼”，有效屏蔽了存储节点免受外界干扰，显著提升了数据保留能力。内核的读晶体管则天然构成环绕栅极结构，具有极高的开关电流比，提供了强大的读出信号。本发明还提供了与该单元兼容的制备工艺。该单元结构适用于高密度、低功耗的下一代存储器产品。...
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用于检测熔融多晶硅泄漏的装置
申请中
IPC: C30B15/00; C30B15/01; C30B15/02; C30B35/00; G08B21/18
摘要: 本公开涉及一种用于检测熔融多晶硅的泄漏的设备。根据本公开的实施例，用于检测熔融多晶硅泄漏的装置可以包括：坩埚，用于熔化多晶硅；用于加热坩埚的加热器；托盘，其设置在所述坩埚的下方，以容纳从所述坩埚流出的熔融多晶硅；以及称重传感器，用于检测所述托盘的重量。...
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一种多晶硅放空废气氢氮分离回收装置
申请中
IPC: F25J3/00; C01B3/506; C01B33/107
中国专利
摘要: 本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，特别是指一种多晶硅放空废气氢氮分离回收装置，所述的废气总路上连接含氮废气路和第一深冷设备；所述的尾气回收路分别连接有精馏放空气体路和粗馏塔放空气体路，所述的尾气回收路依次连接有废气压缩机和第二深冷设备；所述的废气总路和尾气回收路均连接至废气处理单元。...
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改善射频功率检测器的线性度和减轻工艺变化
申请中
IPC: H03M1/01; H01L23/64; H01G4/38; H03F3/45; H03M1/08
中国专利
摘要: 提供了无线电路，其包括被配置为输出射频信号的电路和具有被配置为接收射频信号的输入的功率检测器。所述功率检测器包括输入晶体管和衰减电路，所述衰减电路耦合到所述输入晶体管的栅极端子并且具有相同电容器类型的串联电容器和并联电容器。相同电容器类型的串联和并联电容器10可以被配置为自动跟踪彼此的工艺变化，以减轻对工艺变化的敏感性。串联和并联电容器可以具有可调电容，所述可调电容被调谐以调整功率检测器的线性度。...
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显示装置及显示面板
申请中
IPC: H10D86/40; G09G3/00; H10K59/88
摘要: 本公开提供了一种显示面板和显示装置，所述显示面板包括其中设置有子像素的显示区域和在所述显示区域之外不显示图像的非显示区域，所述显示装置包括所述显示面板和被配置为驱动所述显示面板的驱动电路。非显示区域包括测试区域，其中设置有与子像素中包括的多个晶体管相对应的多个测试晶体管。检测所述测试晶体管的工作特性，所述测试晶体管的工作特性表示包括在所述子像素中的晶体管的工作特性。...
