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制造用于液相或气相色谱装置的微量注射器的阀的方法
申请中
IPC: G01N30/20; B01J20/285; G01N30/60
中国专利
摘要: 本发明涉及一种用于色谱装置的微量注射器的阀的制造方法，其包括：o在支撑衬底(10)上沉积聚合物层(20)；o聚合物层(20)的第一部分交联处理；o蚀刻所述支撑衬底(10)以暴露所述聚合物层(20)的自由区域(21)；o经由所述聚合物层(20)组装所述支撑衬底(10)和流体分配器(300)，使得：-所述自由区域(21)形成具有两个相对的自由表面(23、24)的膜；以及-与支撑衬底刚性接触并且与分配器(300)刚性接触的聚合物层的结合区域(25)在支撑衬底和分配器之间形成粘合界面；和o第二处理，包括聚合物层(20)的继续交联。...
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用于湿法清洗机的净化装置及净化方法
申请中
IPC: B08B9/08; H10P70/00; H10P72/00; B01D35/02
中国专利
摘要: 本发明涉及半导体的湿法清洗领域，具体涉及一种用于湿法清洗机的净化装置及净化方法。所提供的用于湿法清洗机的净化装置，包括：清洗槽，用于装载清洗液；吸杂组件，设于所述清洗槽内，所述吸杂组件包括承载件和多晶硅片，所述多晶硅片设置在承载件上，所述多晶硅片用于去除清洗槽内的金属杂质。该用于湿法清洗机的净化方法，可先提供吸杂组件，向待净化的清洗槽内注入清洗液，并将吸杂组件设置在清洗槽内；进行净化作业，以利用多晶硅片去除清洗槽内的金属杂质。本发明可以解决半导体槽式湿法清洗机的金属污染物问题，有效的去除或减少湿法清洗机中的金属污染物，实现系统级净化，有利于从根本上改善产品的清洗质量。...
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一种劈裂式磁拉单晶超导磁体
申请中
IPC: H01F6/00; H01F6/04; H01F27/06; H01F6/06; C30B29/06; C30B15/20
中国专利
摘要: 本发明涉及超导磁体技术领域，尤其是涉及一种劈裂式磁拉单晶超导磁体，一种劈裂式磁拉单晶超导磁体，包括劈裂式超导磁体、单晶炉系统、控制柜、制冷系统及磁体控制保护系统。所述劈裂式超导磁体采用劈裂式结构设计，沿垂直方向开设劈裂缺口，缺口宽度适配单晶炉附属部件尺寸，且缺口边缘设有高精度真空密封接口，确保整体真空度不泄露，便于安装与维护。本发明提供了一种劈裂式磁拉单晶超导磁体，结构紧凑、磁场利用率高，多级充分冷却，磁体贴合炉体组装拆装方便，有效抑制熔体对流，显著提升单晶硅质量。...
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飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构
已授权
IPC: H10F39/12; H10F39/18; H04N13/20; G01S7/4865; G01S17/08; H04N25/70; H04N25/75; H04N25/57
中国专利
摘要: 本申请涉及飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构。像素电路包含在半导体材料中的光电二极管，以响应于入射光而累积图像电荷。三栅极电荷转移块被耦合包含所述半导体材料的单个共享沟道区。转移栅极、快门栅极和开关栅极被设置为接近所述单个共享沟道区。所述转移栅极响应于转移信号将所述光电二极管中累积的图像电荷转移到所述单个共享沟道区。所述快门栅极响应于快门信号将所述单个共享沟道区中的所述图像电荷转移到所述半导体材料中的浮动扩散部。所述开关栅极被配置成响应于开关信号将所述单个共享沟道区耦合到所述半导体材料中的电荷存储结构。...
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射频功率检测器的线性度改进及工艺变化减轻
申请中
IPC: H04B17/10; H04B17/13; H04B17/20; H04B17/21
中国专利
摘要: 本公开涉及射频功率检测器的线性度改进及工艺变化减轻。提供了一种无线电路，该无线电路包括被配置为输出射频信号的电路和具有被配置为接收该射频信号的输入端的功率检测器。该功率检测器包括输入晶体管和衰减电路，该衰减电路耦合到该输入晶体管的栅极端子并且具有相同电容器类型的串联电容器和分路电容器。该相同电容器类型的该串联电容器和该分路电容器可被配置为自动跟踪彼此的工艺变化以用于减轻对该工艺变化的灵敏度。该串联电容器和该分路电容器可具有被调谐以调节该功率检测器的线性度的可调节电容。...
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一种基于超表面的Micro-LED准直装置及其设计方法
申请中
IPC: G02B27/00; G02B27/30; G02B27/01; G02B1/00
中国专利
摘要: 本申请涉及一种基于超表面的Micro‑LED准直装置及其设计方法，属于优化方法领域，Micro‑LED准直装置包括Micro‑LED和设于Micro‑LED上的超透镜，Micro‑LED发射的光线经过超透镜后，被准直为近似平行光；其中，超透镜的设计方法如下：确定超透镜的初始结构；对超透镜进行正向传播仿真，以得到超表面的远场角度分布情况；对评价函数进行评判，若评价函数高于预设值，则对超透镜结构进行梯度计算，并对每个微结构尺寸进行更新；更新后重新进行正向传播仿真及评价函数的计算，若结果达到要求，则输出当前超透镜结构，若依旧不达标，则继续进行迭代计算。本申请基于梯度优化方法，可以实现对Micro‑L...
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化学、机械、磨料、浆料、组合物和半导体器件制造方法
申请中
IPC: H10P52/00; B24B37/00; C09G1/02; C09K3/14
中国专利
摘要: 描述了用于化学机械抛光的氧化铈颗粒和包括该氧化铈颗粒的用于化学机械抛光的浆料组合物。通过氧化铈颗粒与阳离子聚合物和钝化调节剂的组合，可以提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物可以提高氧化膜抛光速度，同时在STI抛光过程中使氧化硅膜/多晶硅膜的选择比最大化，以及使用该浆料组合物制造半导体器件的方法。...
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具有包括光传感器和上覆pin二极管以提高检测速度的像素的飞行时间距离测量系统
申请中
IPC: H10F39/00; G01S7/481; G01S17/10
摘要: 本申请公开了一种光传感器及相关的飞行时间距离测量系统。该光传感器包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面；光电二极管，设置在所述半导体衬底中且与所述第一表面相邻，其中，所述光电二极管被配置为感测光以产生电荷；第一浮置扩散区，设置在所述半导体衬底中并且与所述第一表面相邻，并且被配置为在采样操作期间收集电荷；栅极，设置在所述半导体衬底上，并被配置为选择性地控制所述电荷进入所述第一浮置扩散区；以及PIN二极管，设置在所述光电二极管上，其中，当从俯视图观察时，所述PIN二极管至少部分地与所述光电二极管重叠。...
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化学、机械、磨料、浆料、组合物和半导体器件制造方法
申请中
IPC: H10P52/00; B24B37/00; C09G1/02; C09K3/14
中国专利
摘要: 描述了用于化学机械抛光的氧化铈颗粒和包含该氧化铈颗粒的化学机械抛光浆料组合物。通过将氧化铈颗粒与两种不同的阳离子聚合物组合，可以提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物可以在STI抛光工艺期间最大化氧化硅/多晶硅膜的选择比，同时提高氧化膜的抛光速度，以及一种利用该浆料组合物制造半导体器件的方法。...
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CMOS超声换能器及相关装置和方法
申请中
IPC: B06B1/02; B81B3/00; B81B7/00; B81C1/00; G10K9/12; G10K11/18
摘要: 描述了CMOS超声换能器和用于制造这种器件的方法。所述工艺可包括在第一晶片上形成空腔以及将所述第一晶片接合到第二晶片。可以处理第二晶片以形成用于空腔的膜。可以提供到空腔的电通路。...
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一种太阳能智能工具箱
申请中
IPC: B25H3/02
中国专利
摘要: 本发明公开了一种太阳能智能工具箱，包括箱体、可折叠太阳能发电板、储能电池包、功能插座模块、伸缩拉杆、滑轮组件和磁吸功能块；所述箱体为矩形结构，具有上盖与底座，内部设有用于收纳外部工具或外部电器的储物空间；所述可折叠太阳能发电板收纳于箱体上盖内侧或设于所述储物空间的上方；所述储能电池包设置于箱体内部左右两侧；所述功能插座模块设于箱体外侧的左右两侧，包括交流输出接口、直流输出接口、多个USB接口以及LED照明灯和电量显示装置；所述伸缩拉杆与滑轮组件分别设置于箱体顶部和底部；所述磁吸功能块集成于箱体底部。本发明实现离网供电、智能电力管理、工具电源一体化、高便携稳定性及多设备兼容等多项功能。...
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双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法
已授权
IPC: G01H11/08; B81B7/02; B81C1/00; B81C3/00
中国专利
摘要: 本发明涉及一种双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法。包括加工衬底硅基片、压电复合悬臂结构、多边环形支撑结构、上下质量块。所述压电复合悬臂结构包括一体化的：悬臂中心和多条压电复合悬臂梁；所述压电复合悬臂梁的一端与所述质量块相连，其另一端与所述多边环形支撑结构一侧的内壁相连；上质量块和下质量块对称分布于所述多边环形支撑结构的正中心；相邻两个压电复合悬臂梁与多边环形支撑结构之间构成一个缝隙；多边环形支撑结构与下质量块之间形成孔洞。这种双质量块多边形结构的MEMS压电矢量水听器芯片的制备方法，工艺稳定性好，可行性强，成品率高。...
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熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法
申请中
IPC: H10W20/49; G01R31/26; G01R1/04; H10B20/25
中国专利
摘要: 本发明涉及一种熔丝互连结构、半导体元件和熔丝最佳烧调条件测试方法。所述熔丝互连结构包括：衬底、N条熔丝、N个测试引脚、N个隔离层和N层连接线。其中，第1隔离层覆盖在所述衬底表面，所述N层连接线位于所述第1隔离层上，每两层连接线之间通过隔离层隔离，且所述连接线通过设置在隔离层内的过孔或接触孔实现测试引脚、熔丝、栅区、漏区之间的电连接。所述测试引脚、熔丝、栅区、漏区之间的电连接通过纵向分布的连接线来实现，不再横向占用芯片的面积，能够在占用较小芯片面积的同时实现了N种有效导通宽度栅区结构的互连。...
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耐高温加速度计伺服电路
申请中
IPC: G01P15/125; G01P21/00
中国专利
摘要: 本发明提供了一种耐高温加速度计伺服电路，包括一体化集成的稳压器单元、误差处理单元和功率放大单元，一体化集成芯片采用SMIC180BCD工艺，一体化集成芯片中的晶体管采用深阱隔离结构晶体管，在一体化集成芯片内部加入动态功耗管理模块以适应极端高温环境，一体化集成芯片中的伺服电路全部元器件利用高温焊锡焊接在聚酰亚胺材质PCB板上；一体化集成芯片中的电阻采用高温稳定的多晶硅电阻，电容采用MIM电容，二极管采用肖特基二极管或高温优化的PN结二极管，减少高温下的漏电流。应用本发明的技术方案，以解决现有技术中国内耐高温加速度计伺服电路广泛应用于175℃以内，不能满足石油深井随钻的高温工作需求的技术问题。...
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一种多晶硅还原方法及设备
已授权
IPC: C01B33/035
中国专利
摘要: 本发明涉及一种多晶硅还原方法及设备，方法中增加了在还原进行中实时监测硅棒侧倾力、以及根据所述侧倾力大小控制混合气在炉内纵向流速等处理步骤。本发明所提供的方法中，通过实时对硅棒进行侧倾力检测，从而当硅棒有出现上下负重不均匀时可以提前得知，并通过根据侧倾力来相应的控制混合气上窜的速度，从而增加硅棒下部硅单质的附集速度，从而增加硅棒的稳定性，以减少硅棒倾倒的现象，本发明提供的设备通过与方法进行结合，从而能够保证整个还原过程的顺利进行。...
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一种输送装置及配料设备
申请中
IPC: G01G19/22; B65G13/12; G01G21/00; G01G21/02
中国专利
摘要: 本实用新型提供了一种输送装置及配料设备，目的是解决现有多晶硅称重配重环节需要依赖人工完成，不仅人员劳动强度大、具有健康隐患，且精度效率低的技术问题。该配料设备包括输送装置和给料装置，所述输送装置包括：机架；称重单元，设置于所述机架上；输送载体，活动设置于所述机架上方；升降机构，与所述输送载体驱动连接，带动所述输送载体沿所述称重单元作垂向的升降运动，以使物料容器由所述称重单元承载或由输送载体承载。本实用新型在配料时不仅使得物料容器能稳定的在称重单元上进行称重，有效提高了称重的精度，而且，当称重完成后，输送载体在升降机构的作用下随即就能对物料容器进行输送，有效提升了包装配重速率，自动化程度高。...
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制造用于液相或气相色谱装置的微量注射器的阀的方法
申请中
IPC: G01N30/20
中国专利
摘要: 本发明涉及一种用于色谱装置的微量注射器的阀的制造方法，其包括：o在支撑衬底(10)上沉积聚合物层(20)；o聚合物层(20)的第一部分交联处理；o蚀刻所述支撑衬底(10)以暴露所述聚合物层(20)的自由区域(21)；o经由所述聚合物层(20)组装所述支撑衬底(10)和流体分配器(300)，使得：-所述自由区域(21)形成具有两个相对的自由表面(23、24)的膜；以及-与支撑衬底刚性接触并且与分配器(300)刚性接触的聚合物层的结合区域(25)在支撑衬底和分配器之间形成粘合界面；和o第二处理，包括聚合物层(20)的继续交联。...
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用于混合传感器的读出电路
申请中
IPC: H10F39/00; H10F39/18
摘要: 本发明涉及一种具有硅衬底的集成读出电路(10)，该电路适于连接到红外检测电路(20)以形成混合传感器(1)。读出电路包括不同于红外检测电路的光电检测器(21)的附加光电检测器(15)。借助于读出电路的附加光电检测器，通过使用仅使用附加光电检测器的读出电路的操作模式，可以促进和简化混合传感器到光学仪器中的集成。特别地，集成可以不再需要实现低温和/或低压条件。...
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改善射频功率检测器的线性度和减轻工艺变化
申请中
IPC: G01R15/00; G01R15/16; G01R21/00; H03F3/45
摘要: 提供了无线电路，其包括被配置为输出射频信号的电路和具有被配置为接收射频信号的输入的功率检测器。所述功率检测器包括输入晶体管和衰减电路，所述衰减电路耦合到所述输入晶体管的栅极端子并且具有相同电容器类型的串联电容器和并联电容器。相同电容器类型的串联电容器和并联电容器可以被配置为自动跟踪彼此的工艺变化，以减轻对工艺变化的敏感性。串联和并联电容器可以具有可调电容，所述可调电容被调谐以调整功率检测器的线性度。...
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一种电子设备
申请中
IPC: H02S30/00; H02S20/00; H02J7/35; G06F1/16; G06F1/26
中国专利
摘要: 本公开提供一种电子设备，所述电子设备可以包括：第一本体、第二本体及太阳能电池板，所述第一本体设置有输入装置；所述第二本体设置有显示装置，并与所述第一本体转动连接；所述太阳能电池板设置在所述第一本体和/或所述第二本体的表面，用于对所述电子设备上的用电器件和/或储电器件供电，所述太阳能电池板包括：第一板体和第二板体，所述第一板体和所述第二板体在不同光线环境下的发电效率不同。...
