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一种融合供应链与能流分析的光伏发电碳足迹建模方法及系统
已授权
IPC: G06Q10/04; G06Q10/0639; G06Q50/06; G06Q50/26; H02J3/46; H02J103/30; H02J101/24
中国专利
摘要: 本发明专利公开了一种融合供应链与能流分析的光伏发电碳足迹建模方法及系统，具体涉及环境管理技术领域。建立光伏电站与组件的精细化映射关系，确定实景数据源，基于光伏组件产品的系统边界和功能单位，获取本土化的实景数据；构建时间尺度的光伏组件修正系数，进而得到长时间序列的实景数据清单；将构建的实景数据清单与国际产品碳足迹背景数据库进行融合，得到具备时空分辨率的本土化光伏产品碳足迹数据；追踪光伏电站的能量流，构建光伏发电用电平衡与损耗模型；结合光伏电站其他部件的建设清单及运行数据，形成本土化的站点尺度光伏发电碳足迹数据。采用本发明技术方案解决了现有光伏发电碳足迹评估方法过于静态化、准确性不足的问题，实现了...
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一种承插管
申请中
IPC: F16L57/06; F16L9/14; F17D5/00
中国专利
摘要: 本申请提供了一种承插管，涉及多晶硅冷氢化技术领域，其包括：外管，用于连接多晶硅反应器和硅粉输送管道；内衬，拆卸式连接在外管内；挡环，与外管的一端拆卸式连接，用于将内衬紧固在外管内；测压接口，设置在外管上；其中：内衬采用耐磨材质；内衬的外壁与外管的内壁之间留置有间隙形成测压通道，测压通道能够形成具有预定压力的密闭空间；测压接口与测压通道相连通。增设耐磨的内衬，在提高承插管使用寿命的前提下，从本质上降低了设备本身的成本。内衬和外管采用分体式设计，只需更换内衬，而无需更换整个承插管，维保成本低。通过测压的方式实现了对内衬完好性的检测，方便及时更换内衬。...
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工艺中电荷生成状况的监测方法
申请中
IPC: H10P74/00
中国专利
摘要: 本申请公开了一种工艺中电荷生成状况的监测方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有测试用的一次性可编程结构，所述一次性可编程结构用于在捕获到电荷后开启；对所述晶圆进行预处理，以去除所述晶圆上残留的电荷；通过目标工艺处理所述晶圆；对所述晶圆进行漏电检测，以判断所述目标工艺的电荷生成状况。本申请通过上述方案，能够实现对晶圆清洗工艺或光刻显影后冲洗工艺的电荷监测。...
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检测和定量硼和/或铝化合物的方法
申请中
IPC: H01J49/12; C01B33/107
摘要: 本发明涉及一种用于痕量分析检测和定量包含至少一种氯硅烷的气流或液流中的硼和/或铝的化合物的方法，包括以下步骤：a)从气流中取出样品并与惰性气体混合以形成气态样品或从液流中取出液体样品，其中液体样品在蒸发器单元中与惰性气体混合并蒸发以形成气态样品；b)将步骤a)中获得的气态样品转移到质谱仪的反应室中，其中在离子源中通过等离子体放电产生的电子与氯硅烷反应以形成氯离子物质，并且其中氯离子物质通过化学电离与硼和/或铝的化合物反应以形成氯化硼和/或氯化铝离子物质；c)分离和检测氯化硼和/或氯化铝离子物质。...
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光检测装置
申请中
IPC: H10F39/00
摘要: 提供一种不需要复杂的电路就能够抑制光电转换元件的特性变动的光检测装置。根据本技术的光检测装置包括：第一半导体基板，设置有具有雪崩倍增区域的光电转换元件，并且具有彼此面对的第一表面和第二表面；层叠结构体，其配置在所述第一面侧，从所述第一面侧至少依次层叠有绝缘层和导电层；以及电位施加结构，用于向导电层施加电位。根据本技术的光检测装置，能够提供不需要复杂的电路就能够抑制光电转换元件的特性变动的光检测装置。...
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图像感测装置及其制造方法
申请中
IPC: H10F39/00; H10F39/18
摘要: 公开了图像感测器件和用于制造图像感测器件的方法。在一个实施例中，图像感测装置可以包括设置在基板中的多个图像感测像素。多个图像感测像素中的每一个可以包括：光电检测器(例如，光电二极管)，设置在衬底中；互连层，设置在衬底的第一侧上；滤色器，设置在所述基板的与所述基板的所述第一侧相对的第二侧上；设置在互连层中的第一光吸收区域；以及设置在衬底中的第二光吸收区域。...
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垂直转移栅极结构和方法
申请中
IPC: H01L27/146; H01L29/66; H01L29/762
摘要: 提供了一种半导体结构，其包括：多个像素部分，布置在衬底中，每个像素部分具有多个侧面；以及所述多个像素部中的第一像素部，包括：光电检测器；以及设置在所述光电检测器上方的垂直传输栅极(VTG)结构，所述VTG结构具有横向延伸的主体部分和连接到所述主体部分的端部区域的多个壁部分，所述多个壁部分垂直延伸到所述衬底中并且与所述像素部分的侧边相邻地横向延伸。...
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显示面板及显示装置
申请中
IPC: H10H29/49; H10H29/32
中国专利
摘要: 提供了一种显示面板和显示装置。显示面板包括显示区域和信号检测模块。显示区域包括多个像素区域。一个像素区域包括至少一个像素和监控单元。监测单元包括导电单元。所述导电单元包括低温多晶硅材料；和/或所述监测单元包括第一驱动电路。第一驱动电路包括至少一个低温多晶硅晶体管。信号检测模块用于检测监控单元的至少一个端子上的信号。...
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一种危废集装箱智能通风调节系统
申请中
IPC: G05B19/05; B65D88/74
中国专利
摘要: 本发明公开了一种危废集装箱智能通风调节系统，涉及通风系统及控制技术领域，旨在解决传统危废集装箱通风系统存在通风效率低、能耗高，无法根据危废状态动态调节通风量，易导致有害气体积聚或资源浪费的技术问题，集装箱体底部设有至少一个通风口，顶部设有自然通风口包括：箱体监测模块，设置于集装箱体内外，用于采集环境参数；智能通风执行模块，用于配合通风口与自然通风口调节箱内通风状态；联动控制中心，用于处理监测数据、生成控制指令；能源供给单元，为系统各模块供电。本发明通过“自然通风优先+机械通风辅助”的动态策略，精准匹配不同危废的通风需求，解决了现有系统无法根据危废特性与实时环境动态调节的核心问题。...
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电熔丝烧调良率测试结构及方法
申请中
IPC: G01R31/00
中国专利
摘要: 本发明提供一种电熔丝烧调良率测试结构及方法，通过采用多个电熔丝结构单元相互并联的设计，并将所有电熔丝结构单元电连接于第一测试键与第二测试键之间，同时在检测过程中采用统一的烧调条件对所有电熔丝结构单元进行烧调，并在第一测试键上施加电压以量测第二测试键上的电流，进而计算烧调后的总电阻并与烧调前的总电阻进行比较分析得到烧调良率，从而有效解决了传统串联电熔丝结构在烧调过程中因版图效应和测试设备影响导致的烧调良率差、烧调良率准确性低以及版图面积占用大的问题。...
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场截止层制备方法及工艺监控方法、半导体器件制备方法
申请中
IPC: H10D84/01; H10D84/80; H10D62/10; H10P30/20; H10P30/28
中国专利
摘要: 本发明提供一种场截止层制备方法及工艺监控方法、半导体器件制备方法，属于半导体功率器件技术领域，方法包括：提供晶圆预制件，包括位于外延层上表面的栅氧化层、位于栅氧化层上表面的多晶硅层、位于外延层中的体区以及位于体区中的第一注入区；对晶圆预制件的正面涂胶，将带正面保护胶的晶圆预制件翻面，对晶圆预制件的背面进行减薄；采用正面注入机台对晶圆预制件的背面进行离子注入，形成场截止层；再次翻面，并去除正面保护胶。有益效果：在前段工艺利用正面注入机台形成场截止层，避免造成产线污染，更有利于实现场截止层的制程；解决了晶圆厂背面注入机台受限问题，无需额外购置机台，提高了机台利用率，降低了成本。...
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智能功率模块及其制备方法和家电设备
已授权
IPC: H10D84/83; H10D84/85; H10D84/01; H02M1/00
中国专利
摘要: 本发明公开了一种智能功率模块及其制备方法和家电设备，智能功率模块包括功率器件、驱动控制模块和开关电源，其中，功率器件、驱动控制模块和开关电源进行芯片级集成，以形成一颗芯片，且采用SOI‑BCD工艺一次流片制成。由此，根据本发明实施例的智能功率模块，采用SOI‑BCD工艺一次流片制成，实现了功率器件、驱动控制模块和开关电源的芯片级集成，从而，降低了智能功率模块的制造成本，满足了智能功率模块的小型化需求，同时，提高了智能功率模块的性能。...
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显示装置和显示面板
申请中
IPC: G09G3/20; G09G3/3233; H10K59/40; H10K59/80
摘要: 一种显示设备，包括：显示面板，包括设置在显示区域处的多个单位子像素和设置在非显示区域处的多个感测子像素；数据驱动电路，被配置为向显示面板提供数据电压；以及时序控制器，被配置为通过在多个感测子像素中感测的阈值电压来检测显示面板的温度，并且根据显示面板的温度来发送施加了补偿值的图像数据。...
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光检测装置
申请中
IPC: H10F39/00; H01L23/522
中国专利
摘要: 提供一种低成本且信号检测能力大的光检测装置。所述光检测装置包括第一半导体衬底，所述第一半导体衬底包括彼此堆叠的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层包括光电转换区域和浮动扩散区域，浮动扩散区域累积由光电转换区域中的光电转换产生的电荷，并且第二半导体层包括电容器，电容器累积由光电转换区域中的光电转换产生的电荷。...
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用于检测制造工艺系统和方法中的覆盖偏移的可制造性设计(DFM)结构
申请中
IPC: G06F30/398; G06F115/02; G06F119/18
摘要: 用于使用制造设计(DFM)结构来检测重叠移位的系统和方法。DFM结构包括具有连接到开关控制的晶体管和开关的四个分支。第一支路使用第一开关测量与第一方向上的重叠偏移相对应的电流-电压特性。第二支路使用第二开关测量与第二方向上的重叠偏移相对应的电流-电压特性。第三支路使用第三开关测量与第三方向上的重叠偏移相对应的电流-电压特性。第四支路使用第四开关测量对应于第四方向上的重叠偏移的电流-电压特性。所述开关连接到开关控制，所述开关控制被配置为激活所述开关中的每一个以测量所述电流-电压特性，使得所述电流-电压特性的值指示管芯的集成电路中的重叠移位。...
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光检测装置及电子设备
申请中
IPC: H10F39/00; H04N25/78
中国专利
摘要: 根据本公开的实施方式的光检测装置包括：第一基板，其具有对光进行光电转换的多个光电转换元件；第二基板，其与所述第一基板层叠，并具有能够基于由所述光电转换元件转换的电荷输出第一信号的多个读取电路；贯通电极，其在所述第二基板中为所述读取电路中的每一个或多个读取电路中的每一个设置，并且能够传送所述第一信号；以及第一绝缘层，其被设置成在所述贯通电极周围穿透所述第二基板。...
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具有集成光电检测器的MICROLED阵列
申请中
IPC: G01N21/64; G01N21/76; H10F30/223; H10F39/90; H10F55/00; H10F77/00; H10H29/24; H10H29/85
摘要: 用于分析形成在微型LED的集成表面上的聚合物阵列的装置和方法。一个微阵列包括多个可单独控制的microLED元件、多个光电检测器元件、集成表面和CMOS驱动芯片。每个microLED元件与光电检测器元件配对。CMOS驱动芯片控制微LED元件和光电检测器元件的激活。...
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包括机械和光子特征的结构
申请中
IPC: G02B6/12; B81B7/02; G01C19/5712; G01P15/093; G02B6/293
摘要: 本公开的示例提供了一种结构，该结构包括：光子集成电路(PIC)层，其中至少一个第一间隙形成在PIC层中以限定至少一个第一部分，并且PIC层包括一个或多个光学结构，每个光学结构具有相应的光场并且位于至少一个第一间隙中的一个第一间隙与PIC层的至少一个第一部分中的一个第一部分的相对侧上；微机电系统(MEMS)结构层，所述MEMS结构层包括MEMS结构，所述MEMS结构邻近所述PIC层的所述至少一个第一部分悬挂并且由所述MEMS结构层中的至少一个第二间隙限定，所述MEMS结构在力或扰动的施加下可偏转；以及牺牲层，布置成将所述PIC层的至少第一部分与所述MEMS结构层的至少第一部分分开，其中，所述牺牲...
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具有全包围栅极结构的光传感器及其形成方法
申请中
IPC: H10F39/00; H10F39/12; H10F39/18
摘要: 一种光传感器，包括衬底、光检测柱、栅极结构、浮置节点结构和沟道结构。衬底具有第一掺杂类型。光检测柱具有第二掺杂类型，且设置于基板中。栅极结构沿垂直方向设置在基板上，并与光检测柱电绝缘。浮置节点结构在垂直方向上与光检测柱相对地设置在栅极结构上，并且与栅极结构电绝缘。沟道结构延伸穿过栅极结构，与栅极结构电绝缘，并且电连接到光电检测柱和浮置节点结构。...
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制造用于液相或气相色谱装置的微型注射器的阀的方法
申请中
IPC: G01N30/20; B01J20/285; G01N30/60
中国专利
摘要: 本发明涉及一种用于色谱装置的微注射器的阀的制造方法，其包括：在支撑基底(10)上沉积聚合物层(20)；○聚合物层(20)的第一部分交联处理；○蚀刻所述支撑基底(10)以暴露所述聚合物层(20)的自由区域(21)；‑通过聚合物层(20)组装支撑基底(10)和流体分配器(300)，使得：‑自由区域(21)形成具有两个相对自由表面(23, 24)的膜；以及‑聚合物层的结合区域(25)与支撑基底和分配器(300)刚性接触，在支撑基底和分配器之间形成粘合界面；○第二处理，其包括继续聚合物层(20)的交联。...
