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基于物联网的SGT-MOS器件加工控制方法及系统
已授权
IPC: G05B19/418
中国专利
摘要: 本发明公开了基于物联网的SGT‑MOS器件加工控制方法及系统，涉及半导体功率器件技术领域。方法包括：对SGT‑MOS器件进行结构缺陷特征识别，建立缺陷空间结构；基于缺陷空间结构进行物联网设备匹配映射，确定设备匹配关系，利用设备匹配关系对缺陷空间结构进行传感部署，采集缺陷传感数据；按照缺陷传感数据与常规传感数据进行融合解析，识别动态加工调控数据，生成加工调控指令。解决了现有SGT‑MOS器件加工过程中因结构缺陷难以及时感知和精准调控，导致的成品率低、性能一致性差的技术问题，达到了通过物联网多源数据融合实现缺陷驱动的动态工艺参数优化，提升器件加工良品率、电学性能一致性的技术效果。...
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检测基板和检测电路
已授权
IPC: G01N27/414; G01N21/64
中国专利
摘要: 本发明公开了一种检测基板和检测电路，属于检测技术领域，检测基板包括衬底和多个检测单元；检测单元至少包括无机晶体管、有机晶体管和光电传感元件；有机晶体管包括有机半导体部，有机半导体部所在膜层位于无机晶体管所在膜层远离衬底的一侧，有机半导体部所在膜层位于光电传感元件所在膜层远离衬底的一侧；有机晶体管连接传感电极。检测电路包括多个检测单元，检测单元包括第一检测模块、第二检测模块、读取模块；第一检测模块包括有机晶体管和传感电极，第二检测模块包括光电传感元件。本发明既可以实现流体中生物反应的感测，又可以集成有荧光反应检测功能，实现生物反应检测与荧光检测一体化的同时，还可以提高基板良率。...
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一种半导体测试结构及其测试方法
已授权
IPC: H10P74/00
中国专利
摘要: 本发明公开了一种半导体测试结构及其测试方法。本发明通过在有源区上形成多晶硅连接结构、并与多晶硅连接结构的四周均形成侧墙，再通过相应的金属互连结构以及测试衬垫，能够同时检测侧墙上的金属硅化物的残留、多晶硅连续性问题以及金属硅化物的形成质量问题。由于多晶硅连接结构全部位于有源区之上，因此能够同时检测多晶硅连接结构四周的侧墙上的金属硅化物残留；同时，由于多晶硅连接结构覆盖面积更大，因此对于工艺制程更加敏感，能够更好的捕捉工艺中发生的问题。...
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一种用于牧区的流动式垃圾收集联合固定站处理系统
申请中
IPC: B09B5/00; B65F3/00; B65F3/14; B09B3/32; B09B3/40; B09B3/60; B07C5/34; B07C5/36; B08B15/04; H02J7/35; G06Q50/26; B09B101/25; B09B101/70; H02J101/24
中国专利
摘要: 本发明涉及垃圾处理技术领域，特指一种用于牧区的流动式垃圾收集联合固定站处理系统。在本发明中，信息管理调度中心、固定处理站点和流动收集单元共同形成垃圾处理链条，通过信息管理调度中心协调流动收集单元和固定处理站点的工作，优化了垃圾处理链条的效率，适配了牧区地理环境的特性以及牧区牧民迁徙的特点。其中，通过采用能适配在高原极端气候与复杂地形的卡车，并集成太阳能供蓄放电模块、分类模块、压缩模块和临时储存模块，并沿牧户迁徙路线灵活部署，打破固定站点覆盖局限，实现垃圾就近初步处理的效果，减少在牧区对垃圾的随意堆放、焚烧现象。...
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抛光方法和衬底处理设备
申请中
IPC: B24B49/14; B24B7/04; B24B27/033; B24B41/06; B24B49/12; B24B49/16; H10P52/00
中国专利
摘要: 本公开涉及抛光方法和衬底处理设备。该研磨方法包括：使基板W以水平姿势旋转的旋转工序；向基板W的背面供给蚀刻液，除去形成在基板W的背面上的膜的蚀刻工序；以及在除去基板W的背面上的膜后，使研磨器96与基板W的背面接触，利用化学机械研磨法对基板W的背面进行研磨的研磨工序，抛光器96具有分布有磨粒的树脂体。...
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晶圆背面残留的监控方法
已授权
IPC: H10P72/00
中国专利
摘要: 本发明提供一种晶圆背面残留的监控方法，在晶圆背面产生残留膜层的工艺节点前，采用相同的工艺条件下生产测试晶圆与产品晶圆，在测试晶圆的背面形成覆盖整个背面，且与残留膜层的折射率不同的目标膜层，利用棱镜效应原理对测试晶圆的背面进行光学检测，进而实现对产品晶圆背面残留的实时监控。本发明通过在测试晶圆背面覆盖不同折射率的目标膜层，利用可见光对不同膜层堆叠引起的棱镜效应，实现晶圆背面残留异常的监控，方法简单、投入低且时效高。进一步的，由于晶圆背面的残留缺陷实现了快速的实时监控，后续光刻工艺不会因为晶背残留影响晶面曝光，进而不会影响图形转移，避免了产品的良率损失。...
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光学传感器和用于制造光学传感器的方法
申请中
IPC: H10F39/10
摘要: 一种光学传感器，包括至少一个像素，所述至少一个像素包括：光活性区域，所述光活性区域被配置为将光子转换为电荷载流子；第一调制栅极和第二调制栅极，所述第一调制栅极和第二调制栅极被配置为被调制以用于间接飞行时间测量；第一存储节点和第二存储节点，所述第一存储节点和第二存储节点被配置为当所述第一调制栅极和所述第二调制栅极分别激活时，钉扎在所述光活性区域中产生的电子；以及第一场板，其在像素的第一横向侧处被布置成紧邻第一存储节点，以及第二场板，其在像素的相对的第二横向侧处被布置成紧邻第二存储节点，其中第一场板和第二场板被配置成被提供负偏置电压，使得第一场板和第二场板分别为第一存储节点和第二存储节点提供电隔离...
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一种图像采集方法、电子设备及存储介质
申请中
IPC: H04N23/667; H04N23/60; H04N23/63; H04M1/02
中国专利
摘要: 本申请涉及电子技术领域，具体涉及一种图像采集方法、电子设备及存储介质。其中，方法应用于电子设备，电子设备包括第一摄像头、第一显示屏和第二显示屏，其中摄像头和第一显示屏位于电子设备的第一侧，第二显示屏位于电子设备的第二侧；并且，方法包括：检测到进入拍摄模式，并通过第一摄像头进行图像采集；在第一显示屏的编码区域基于显示周期显示第一编码图像；采集到第一图像；在第一图像中检测到编码区域对应的第一图像区域，对第一图像区域进行图像处理。如此，可以控制显示屏的显示内容，从而使电子设备可以从采集图像中识别到显示屏的对应区域，进而能够对显示屏对应区域进行图像处理，从而能够保证图像质量。...
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基于正向机理模型多控制变量的多晶硅还原炉控制方法
已授权
IPC: G05B11/42; C01B33/03
中国专利
摘要: 本发明涉及基于正向机理模型多控制变量的多晶硅还原炉控制方法，包括如下步骤：S1、采集并计算反应状态，即反映的实时沉积速率以及反应的热损失率；S2、推断控制参数：基于实时沉积速率曲线与目标沉积速率曲线的差值确定PID控制过程中的控制参数，其中实时沉积速率曲线基于反应进程序列的实时沉积速率生成，目标沉积速率曲线为预设曲线；S3、执行PID控制过程：运用步骤S2中的控制参数对反应的氢气投入量以及反应电流进行PID控制；本方法通过数据分析确定最优的沉积速率曲线，并在控制过程中实时计算沉积速率。利用热力学公式计算出炉内当前热量占比值，将此占比值与沉积速率差值相结合对氢气和电流进行精准调控，显著提升了生产...
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生产多晶硅层的方法、装置和系统，以及半导体结构
申请中
IPC: H10P74/00; G01N23/2251; C30B29/06; G16C60/00; G16C20/70; G06N5/025; G06T7/60; G06T7/13; H10P14/22; H10P14/24; H10P74/20
中国专利
摘要: 本公开提供了一种生产多晶硅层的方法、装置和系统，以及半导体结构；该方法包括：通过带电粒子束成像方式采集沉积在第一晶圆表面的第一多晶硅层的晶粒图像；基于晶粒图像统计第一多晶硅层的晶粒尺寸的统计参数；获取统计参数与工艺参数之间的关联关系；基于关联关系以及目标参数值，确定第二晶圆表面沉积第二多晶硅层的工艺参数。...
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基于多参数预测的多晶硅还原炉智能调控系统
申请中
IPC: G05B19/418
中国专利
摘要: 本发明涉及多晶硅制备技术领域，且公开了基于多参数预测的多晶硅还原炉智能调控系统，以多参数感知模块采集的电流、原料纯度、硅棒温度等全维度数据为基础，通过双向联动融合预测模块中的突发干扰量化子模块，计算多参数变化率的偏离度熵值定量化干扰强度，同步调用迁移学习应急修正项动态补偿预测误差，同时突破单向依赖缺陷，由物理、电极接触电阻及炉内热平衡参数，为数据驱动预测约束模块提供动态物理边界，NMPC模块以双向融合的高精度预测值为目标，求解多目标优化控制序列下发执行，闭环迭代优化模块再基于实际调控效果，通过增量学习同步更新物理与数据模型参数，解决电流调节滞后与配方参数僵化问题，支撑还原炉长期稳定运行。...
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影像感测装置
申请中
IPC: H10F39/00
中国专利
摘要: 一种图像感测装置，包括：多个像素块，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上布置，每个像素块包括微透镜和多个相邻的单位像素，所述多个相邻的单位像素经由微透镜接收入射光，并且每个单位像素被构造成响应于其中接收的入射光而产生电信号；外部像素隔离结构，设置在多个像素块的相邻像素块之间，以将相邻像素块彼此隔离；以及内部像素隔离结构，设置在每个像素块内的单位像素的相邻单位像素之间，以将相邻单位像素彼此隔离。内部像素隔离结构包括具有与外部像素隔离结构不同的结构的第一像素隔离结构。...
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使用添加剂供给系统、锭提升装置和添加剂供给系统形成单晶硅锭的方法。
申请中
IPC: C30B29/06; C30B15/04
摘要: 公开了用于将至少两种不同的添加剂供给到设置在晶锭拉出设备的坩埚内的硅的添加剂供给系统。 添加剂进料系统可以包括第一进料盘和第二进料盘，所述第一进料盘和第二进料盘被引起振动以将第一添加剂或第二添加剂从储存有添加剂的罐移动到另一容器，在所述另一容器中感测添加到容器中的第一添加剂或第二添加剂的量。 添加剂从容器排出到添加剂进料管中，添加剂通过该添加剂进料管进入坩埚。...
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光检测装置及电子设备
申请中
IPC: H01L27/146
中国专利
摘要: 提供了一种光检测装置，其使得用于将遮光膜连接到地电位的连接部分具有更适当的构造。一种结构，包括半导体衬底、以二维阵列形成在半导体衬底上的多个光电转换单元、形成在半导体衬底中的光电转换单元之间的区域中的沟槽部分、以及形成在沟槽部分的内壁表面上的空穴累积区域，空穴累积区域中累积有空穴，以及光屏蔽膜，其设置在所述半导体衬底的后表面的一侧上，并且整体上屏蔽所述半导体衬底中的有效像素区域中的所述光电转换单元与位于所述有效像素区域周围的光屏蔽像素区域中的区域中的光。此外，空穴累积区从半导体衬底的后表面到前表面连续地形成。此外，在所述遮光像素区域的背面与所述遮光膜之间形成有使所述遮光膜与所述空穴蓄积区域电连...
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一种低铁铬矿及其生产方法
申请中
IPC: C22B34/32; C22B1/00; C21B13/08; C21B13/02
中国专利
摘要: 本发明涉及选矿技术领域，具体提出一种低铁铬矿及其生产方法，生产方法包括：S1、预处理：对铬铁矿进行预处理获得粒径不大于10mm的预选料，检测预选料中的含铁氧化物的种类及含量；S2、加热还原：将预选料加入熔炼设备中，并添加碳质还原剂或硅质还原剂，还原剂实际添加量为理论添加量115%‑125%，然后于800‑1400℃持续搅拌1‑36h；S3、分离：升温至1400℃及以上，保温、沉淀、冷却，得到单质铁和低铁铬矿；或将上一步产物冷却后磨成细粉，再磁选或重选。本发明提出的生产方法不但可以降低铬铁矿含铁量、提高铬铁比，提升铬铁矿的品位，而且操作简单、易于控制、安全系数高、生产成本低，有利于产业化。...
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一种基于回收路径的光伏组件回收碳减排潜力分析方法
申请中
IPC: G06Q10/04; G06Q10/047; G06Q10/0637; G06Q10/30; G06Q50/06; G06Q50/26
中国专利
摘要: 本发明提供了一种基于回收路径的光伏组件回收碳减排潜力分析方法，通过构建集成“处理处置—再生利用—替代效应”的全流程评估体系，对光伏组件退役回收阶段的碳收支进行定量计算。该方法首先区分物理法、热处理法和化学法三类回收路径，建立各自的碳排放核算模型；其次对铝、铜、玻璃、多晶硅和银五种可回收物料分别建立再生利用排放与原生替代减排模型；并结合退役组件填埋排放数据，综合评估组件回收的净碳减排效益。该方法明确了核算边界与路径差异，解决了现有方法在路径适配性、核算完整性及减排潜力预测方面的不足，能够为光伏回收产业的低碳路径优化提供决策支持。...
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用于优化电子器件的电子架构设计的方法和计算机系统
申请中
IPC: G06F30/392; G06F30/394; G06F30/398
中国专利
摘要: 本发明的实施例提供了用于开发和优化电子器件的电子架构设计的方法和计算机系统。在各种实施例中，本发明的电子设计自动化(EDA)优化了电子器件的一个或多个电子架构设计的设计、模拟、分析和验证。本发明的EDA从一个或多个电子架构设计中识别一个或多个电子架构特征。在一些情况下，本发明的EDA可以利用机器学习过程通过多次迭代操纵一个或多个电子架构模型，直到来自所述一个或多个电子架构模型中的一个或多个电子架构模型满足一个或多个电子设计目标。本发明的EDA用满足一个或多个电子设计目标的一个或多个电子架构模型替换在一个或多个电子架构设计中的一个或多个电子架构特征，以优化一个或多个电子架构设计。本发明的EDA可...
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一种用于TOPCon电池制作的改进型印刷烧结方法
申请中
IPC: H10F71/00; B41M1/12; B41M1/26; B41M7/00; H10F77/20; H10F10/14
中国专利
摘要: 本发明公开了一种用于TOPCon电池制作的改进型印刷烧结方法，涉及电池制作技术领域，包括：对硅片进行背面细栅印刷并烘干；背面主栅印刷并烘干；正面细栅印刷并烘干；正面主栅印刷；超声振动处理；正背面共烧；光注入退火；激光诱导烧结；紫外固化；测试分选。本发明采用“先细栅后主栅”的逆向印刷顺序，使得细栅先行固化定型，主栅印刷时可精准覆盖并连接细栅，消除主栅对细栅的挤压干扰和浆料拉扯现象，降低栅线遮光损失，共烧前引入超声振动处理，利用超声波效应改善浆料界面接触的微观均匀性，在激光烧结后引入紫外固化工艺，在电极表面形成致密保护层，有效增强电极的抗氧化、抗腐蚀能力和机械强度，提升电池转换效率。...
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集成有分段耦合辅助特征的光电检测器
申请中
IPC: G02B6/122; G02B6/13
摘要: 包括光检测器的结构和形成包括光检测器的结构的方法。该结构包括光电检测器、第一波导芯和第二波导芯，光电检测器包括焊盘和焊盘上的半导体层，第一波导芯包括与半导体层的侧壁相邻的锥形部分，第二波导芯包括与半导体层的侧壁相邻的弯曲部分。所述弯曲部包括多个段，并且所述第一波导芯的所述锥形部与所述第二波导芯的所述弯曲部中的所述多个段中的至少一个段重叠。...
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集成芯片结构及其形成方法
已授权
IPC: B81B3/00; B81B7/02; B81C1/00
中国专利
摘要: 本发明涉及包括MEMS致动器的集成芯片结构。MEMS致动器包括具有从锚的中心区域向外延伸的第一多个分支的锚。第一多个分支分别包括第一多个指状件。质量块围绕锚并且包括从质量块的内侧壁向内延伸的第二多个分支。如在顶视图中观察的，第二多个分支分别包括与第一多个指状件交错的第二多个指状件。一个或多个弯曲悬臂耦接在质量块和包裹质量块的框架之间。如在顶视图中观察的，一个或多个弯曲悬臂具有弯曲外表面，该弯曲外表面具有一个或多个拐点。本发明的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。...
