新疆新特新能材料检测中心有限公司

• 一种用于TOPCon电池制作的改进型印刷烧结方法 申请中
  申请号: CN202511663379.9

  公开号: CN121510702A

  申请日期: 2025-11-13

  公开日期: 2026-02-10
  申请人: 宜宾英发德耀科技有限公司

  发明人: 储俊朗; 杨谋存; 俞少华; 张敏
  IPC: H10F71/00; B41M1/12; B41M1/26; B41M7/00; H10F77/20; H10F10/14 中国专利
  摘要: 本发明公开了一种用于TOPCon电池制作的改进型印刷烧结方法，涉及电池制作技术领域，包括：对硅片进行背面细栅印刷并烘干；背面主栅印刷并烘干；正面细栅印刷并烘干；正面主栅印刷；超声振动处理；正背面共烧；光注入退火；激光诱导烧结；紫外固化；测试分选。本发明采用“先细栅后主栅”的逆向印刷顺序，使得细栅先行固化定型，主栅印刷时可精准覆盖并连接细栅，消除主栅对细栅的挤压干扰和浆料拉扯现象，降低栅线遮光损失，共烧前引入超声振动处理，利用超声波效应改善浆料界面接触的微观均匀性，在激光烧结后引入紫外固化工艺，在电极表面形成致密保护层，有效增强电极的抗氧化、抗腐蚀能力和机械强度，提升电池转换效率。...
• 集成有分段耦合辅助特征的光电检测器 申请中
  申请号: US18196796

  公开号: US20240377583A1

  申请日期: 2023-05-12

  公开日期: 2024-11-14
  申请人: Globalfoundries U.S. Inc.

  发明人: Yusheng Bian
  IPC: G02B6/122; G02B6/13
  摘要: 包括光检测器的结构和形成包括光检测器的结构的方法。该结构包括光电检测器、第一波导芯和第二波导芯，光电检测器包括焊盘和焊盘上的半导体层，第一波导芯包括与半导体层的侧壁相邻的锥形部分，第二波导芯包括与半导体层的侧壁相邻的弯曲部分。所述弯曲部包括多个段，并且所述第一波导芯的所述锥形部与所述第二波导芯的所述弯曲部中的所述多个段中的至少一个段重叠。...
• 集成芯片结构及其形成方法 已授权
  申请号: CN202210718017.5

  公开号: CN116101968A

  申请日期: 2022-06-23

  公开日期: 2023-05-12
  申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司

  发明人: 陈亭蓉
  IPC: B81B3/00; B81B7/02; B81C1/00 中国专利
  摘要: 本发明涉及包括MEMS致动器的集成芯片结构。MEMS致动器包括具有从锚的中心区域向外延伸的第一多个分支的锚。第一多个分支分别包括第一多个指状件。质量块围绕锚并且包括从质量块的内侧壁向内延伸的第二多个分支。如在顶视图中观察的，第二多个分支分别包括与第一多个指状件交错的第二多个指状件。一个或多个弯曲悬臂耦接在质量块和包裹质量块的框架之间。如在顶视图中观察的，一个或多个弯曲悬臂具有弯曲外表面，该弯曲外表面具有一个或多个拐点。本发明的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。...
• 显示面板及其驱动方法、显示装置 申请中
  申请号: US18763900

  公开号: US20250037655A1

  申请日期: 2024-07-03

  公开日期: 2025-01-30
  申请人: Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd.; Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Shanghai Branch

  发明人: Mengjia He; Yana Gao; Mengmeng Zhang; Xingyao Zhou; Gaojun Huang
  IPC: G09G3/3233 中国专利
  摘要: 提供了显示面板、驱动方法和显示装置。显示面板包括子像素和数据线。子像素包括像素电路和发光元件。该像素电路包括与驱动晶体管电连接的数据写入模块和数据线复位模块。所述数据线复位模块的第一端与数据线电连接，所述数据线复位模块的第二端与数据线复位信号端电连接。像素电路的操作阶段至少包括数据写入阶段。在数据写入阶段，所述数据写入模块向所述驱动晶体管传输数据电压信号。所述操作阶段还包括数据线复位阶段。在所述数据线复位阶段，所述数据线复位信号端向所述数据线传输数据线复位信号。...
• 在线自动调节吸附塔处理气量装置 申请中
  申请号: CN202520393438.4

  公开号: CN223887710U

  申请日期: 2025-03-07

  公开日期: 2026-02-10
  申请人: 新疆大全新能源股份有限公司

  发明人: 师文; 万伟
  IPC: B01D53/04; G01N30/02 中国专利
  摘要: 本实用新型公开了一种在线自动调节吸附塔处理气量装置，涉及多晶硅生产技术领域，主要目的是在线监测吸附塔处理后氢气中的Cl‑含量，实现氢气吸附塔出口调节阀的自动调节。本实用新型的主要技术方案为：在线自动调节吸附塔处理气量装置，该装置包括：反应室、进气管和离子色谱仪；反应室的一侧上端连接于排放管，反应室内设置有填料层，反应室内的液面位于填料层上方；进气管的一端连接于吸附塔出口管，另一端贯穿反应室的另一侧顶壁，并连接于鼓泡管，鼓泡管位于填料层的下方，鼓泡管的管壁均布有多个通孔；离子色谱仪的检测端延伸至填料层上方的液体中，离子色谱仪和吸附塔出口调节阀联锁控制。...
• 耦合到温度检测元件以校正温度信号的半导体器件 申请中
  申请号: US18357675

  公开号: US20240077366A1

  申请日期: 2023-07-24

  公开日期: 2024-03-07
  申请人: Fuji Electric Co., Ltd.

  发明人: Yuichi Ito; Kazuhiro Matsunami
  IPC: G01K7/24; G01K1/20; G01K7/42; G01K15/00; H01L21/66
  摘要: 一种半导体器件，包括集成电路，该集成电路具有构成分压电路的第一电阻器、被配置为测量具有与第一电阻器相同属性的薄层电阻的感测电阻器、被配置为检测第一温度的值的温度检测电路、被配置为存储包括多个第一温度的值中的每一个的第一信息的表的存储电路，第一信息对应于基于感测电阻器的测量结果获得的第一电阻器的薄层电阻，以及运算电路，其被配置为基于由所述温度检测电路检测到的所述第一温度的值处的所述第一信息和所述分压电压来获得所述第二温度。...
• 增加闪存器件工艺窗口的方法 已授权
  申请号: CN202211452020.3

  公开号: CN115692180A

  申请日期: 2022-11-21

  公开日期: 2023-02-03
  申请人: 华虹半导体(无锡)有限公司

  发明人: 吴志涛; 李志国; 徐杰; 刘志斌; 孙峥; 周洋; 王飞飞
  IPC: H10P76/40; H10P52/40; H10B41/00; H10B41/40 中国专利
  摘要: 本发明提供一种增加闪存器件工艺窗口的方法，方法包括：提供一半导体结构，半导体结构包括第一存储器件区及第二存储器件区，且半导体结构包括衬底、栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层；于半导体结构的表面形成第一阻挡层及第二阻挡层；刻蚀第二阻挡层、第一阻挡层、控制栅多晶硅层、栅间介质层及浮栅多晶层以形成字线填充沟槽；于字线填充沟槽内形成字线多晶硅层；利用化学机械研磨工艺对字线多晶硅层进行研磨以形成字线；去除第二阻挡层。通过本发明解决了以现有的氧化层作为硬掩膜层导致同一晶圆不同区域或不同晶圆的硬掩膜层的厚度差异较大，且产生负有载效应的问题。...
• 一种用于建立超高锰钢光谱分析曲线的样品制备方法 已授权
  申请号: CN202511620899.1

  公开号: CN121068303A

  申请日期: 2025-11-07

  公开日期: 2025-12-05
  申请人: 江苏省沙钢钢铁研究院有限公司

  发明人: 胡显军; 刘建民; 顾晔; 朱春要
  IPC: G01N1/28; G01N21/25 中国专利
  摘要: 本申请实施例提供一种用于建立超高锰钢光谱分析曲线的样品制备方法，在制备时将随炉料进行溶清后分批次将含有各个元素的合金料加入坩埚炉内，并采用一次加料一次取样的方式进行分批取样，同时再通过对每一批次添加的合金料的成分配比进行调控，以使得本申请能够获得用于建立光谱分析曲线的锰元素呈梯度变化且其余元素含量基本保持不变的成分均匀的标准样品。...
• 一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片 申请中
  申请号: CN202610019628.9

  公开号: CN121487503A

  申请日期: 2026-01-08

  公开日期: 2026-02-06
  申请人: 金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司

  发明人: 张鑫; 梁兴勃; 高鹏飞; 卢飞红; 徐紫葳; 杨爱兵
  IPC: H10P14/24; C30B33/02; C30B29/06; H10P95/90; H10P95/70; H10P95/40 中国专利
  摘要: 本发明公开了一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片，属于半导体材料制备领域。所述方法包括：将电阻率不大于1.15mΩ·cm的重掺硅衬底在惰性气氛下进行快速热处理，处理温度为1000‑1500℃，升/降温速率为10‑120℃/s，高温保持30‑120秒；随后在650‑1250℃下进行HCl气相抛光，通入HCl和氢气的混合气体去除表面硅层50‑150nm；最后生长外延层。还可先对衬底进行颗粒检测筛查，仅对存在特定图案缺陷的衬底实施上述处理。本发明通过RTP与HCl抛光的协同作用，实现了体内缺陷修复和表面精修，使外延片表面≧55nm的LPD数量稳定降至10个以下，显著提升了外延片质量。...
• 一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法 申请中
  申请号: CN202511614669.4

  公开号: CN121487378A

  申请日期: 2025-11-06

  公开日期: 2026-02-06
  申请人: 博海新能源(德阳)有限公司

  发明人: 刘心永; 贾金辉; 袁磊; 苏俊
  IPC: H10F71/00; H10P74/20 中国专利
  摘要: 本发明属于太阳能电池制造领域，具体的说是一种表征TOPCon太阳能电池湿法工序质量的方法，包括以下步骤：样品准备：取3‑5片专用少子测试使用、来自正常来料且为同一批次、同一包装盒的N型单晶硅片，本发明通过在制绒后，或是制绒后直接进行碱抛和RCA清洗，这种简化后的流程使得对湿法工序效果的表征过程大大缩短，操作难度显著降低。在生产线上，以往可能需要花费大量时间等待高温扩散等工序完成才能对工艺效果进行评估，现在通过本方法，能够快速、简便地完成湿法工序效果的直接表征，及时发现工艺中存在的问题，快速做出调整优化，极大地提高了工艺监控和优化的效率，为企业节省了大量的时间成本，使生产过程更加高效流畅。...
• 一种自动称重包装机 申请中
  申请号: CN202520629620.5

  公开号: CN223878337U

  申请日期: 2025-04-07

  公开日期: 2026-02-06
  申请人: 四川互连创新科技有限公司

  发明人: 龙合江; 蒲显西; 夏峰; 刘阳; 彭昌陞; 羊衍富; 肖泽智
  IPC: B65B43/30; B65B43/18; B65B1/32; B65B43/34 中国专利
  摘要: 本实用新型提供一种自动称重包装机，包括机架、进料机构、包装袋传输线、设置在机架上的取袋机构、开袋机构、以及称重供料装置。本实用新型通过包装袋传输线将装有包装袋的栈板传送到取袋位置，由取袋机构在栈板上抓取包装袋并移动至开袋位置；再通过开袋机构打开包装袋，并完成袋口的撑袋固定；然后通过电机驱动摇臂将包装袋送到料斗口；多晶硅块料通过进料机构输送到料斗里，当称重模块检测到进料的重量合格后，控制料斗开合的气缸带动连杆机构将料斗张开，料斗里的块料下落到包装袋中，落料完成后重新闭合，夹袋夹板张开，包装袋落入输送线体，继续到封口装置处实现封口；从而实现自动给袋、开袋、供料、称重、输送的功能。...
• 一种融合多源数据的三氯氢硅氢还原多晶硅生长监控系统 申请中
  申请号: CN202511478508.7

  公开号: CN121479639A

  申请日期: 2025-10-16

  公开日期: 2026-02-06
  申请人: 苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司

  发明人: 刘振春; 王长青; 王猛
  IPC: G06F18/25; C01B33/035; G01D21/02; G06F18/10; G06F18/21 中国专利
  摘要: 本发明涉及化工技术领域，且公开了一种融合多源数据的三氯氢硅氢还原多晶硅生长监控系统，包括多传感器监测模块、多传感器数据采集模块、多源数据预处理模块、生长过程数据分析模块、生长状态在线评估模块、工艺参数在线调控模块、调控结果反馈模块与系统协同管理模块，多传感器监测模块通过多传感器监测三氯氢硅氢还原多晶硅生长过程，多传感器数据采集模块采集原始数据，多源数据预处理模块预处理数据，生长过程数据分析模块进行数据计算，生长状态在线评估模块进行在线综合评估，工艺参数在线调控模块在线调控工艺参数，调控结果反馈模块生成调整策略，系统协同管理模块进行系统参数记录与存储、系统优化和异常处理。...
• 一种基于双层超表面实现全空间彩色全息的方法 申请中
  申请号: CN202511413266.3

  公开号: CN121454882A

  申请日期: 2025-09-29

  公开日期: 2026-02-03
  申请人: 湖北理工学院; 武汉大学深圳研究院

  发明人: 朱肖丽; 邓联贵; 邓连生
  IPC: G03H1/22; G02B27/28; G02B1/00 中国专利
  摘要: 本发明提供了一种基于双层超表面实现全空间彩色全息的方法，包括：确定入射光，并设置入射光的偏振状态；将设置好的偏振状态入射至双层超表面；通过双层超表面对设置好偏振状态的入射光进行相位调制，以在反射空间和透射空间上均形成彩色全息图像；其中，双层超表面包括：波长选择式超表面和透射式超表面。本发明提出一种基于双层超表面实现全空间彩色全息的方法，借助双层超表面实现对复杂光学功能进行多维调控，使得在反射空间和透射空间上分别得到彩色全息图像，提高全息图像的质量和信息容量。...
• 一种MEMS多维度位姿可调光学成像器件及系统 申请中
  申请号: CN202511639395.4

  公开号: CN121454767A

  申请日期: 2025-11-10

  公开日期: 2026-02-03
  申请人: 北京理工大学; 北京理工大学重庆微电子研究院

  发明人: 谢会开; 李宗浩; 林明明; 彭喆; 巩柯汝; 岳晋标; 牛文轩
  IPC: G02B26/08; H04N23/54; H04N23/55 中国专利
  摘要: 本申请公开了一种MEMS多维度位姿可调光学成像器件及系统，涉及微机电系统与光学成像技术领域，MEMS多维度位姿可调光学成像器件包括MEMS多自由度微动芯片、图像传感器和转接板，图像传感器封装于转接板组成图像传感器组件，搭载于MEMS多自由度微动芯片；MEMS多自由度微动芯片包括芯片衬底、微动平台以及连接二者的驱动组件；驱动组件包括若干驱动臂和若干柔性引线；图像传感器组件通过柔性引线输出图像信息以及通过驱动臂进行多自由度运动。本申请能够实现MEMS芯片与图像传感器的封装集成，并通过MEMS芯片驱动图像传感器的多自由度运动。...
• 一种单克隆抗体及包含其的生物芯片和应用 已授权
  申请号: CN202311809703.4

  公开号: CN117777284A

  申请日期: 2023-12-26

  公开日期: 2024-03-29
  申请人: 中国农业科学院上海兽医研究所(中国动物卫生与流行病学中心上海分中心); 上海交通大学

  发明人: 蒋蔚; 唐伟; 韩先干; 郭小军; 于海洋; 王福成
  IPC: C07K16/1271; C12N15/13; C07K19/00; C12N5/10; G01N33/569; G01N33/577; G01N33/543; G01N27/327 中国专利
  摘要: 本发明公开了一种单克隆抗体及包含其的生物芯片和应用。所述单克隆抗体包含轻链可变区和重链可变区，所述轻链可变区的LCDR1包含如SEQ ID NO : 1所示的氨基酸序列，LCDR2包含氨基酸序列RMS，LCDR3包含如SEQ ID NO : 2所示的序列；所述重链可变区的HCDR1～HCDR3分别包含如SEQ ID NO : 3、4和5所示的序列；所述单克隆抗体特异性强、敏感性好；所述生物芯片包括：薄膜晶体管、包含所述单克隆抗体的生物敏感膜和微流控芯片。本发明提供的含有所述单克隆抗体的生物芯片具有样本量小、工作电压低、灵敏度高、成本低、可编程性和即时性等特性，在健康监测、流行病预防、食品安全等...
• 还原炉电极磁环清理系统 已授权
  申请号: CN202410112239.1

  公开号: CN117718258A

  申请日期: 2024-01-24

  公开日期: 2024-03-19
  申请人: 内蒙古大全新能源有限公司

  发明人: 卢涛
  IPC: B08B1/12; B08B5/02; B08B13/00; B08B15/04; B01D46/10; B01D46/681 中国专利
  摘要: 本发明涉及多晶硅生产电极清理技术领域，尤其涉及还原炉电极磁环清理系统，包括：桶体，所述桶体顶部焊接着气动扳手套筒，所述桶体内部连接着清洁组件，气动扳手套筒用于连接气动扳手，所述清洁组件包括：从上到下依次设置的毛刷一、毛刷二和毛刷三，毛刷一用于清理电极与磁环链接处缝隙，毛刷二伸展到磁环凹槽内，毛刷三清理底盘到磁环链接的缝隙处；本发明降低人工工作量提高了速度，提高电极运行稳定性，避免接地，增加爬电距离，保护电极镀银层，同时降低清理过程中出现的扬尘。...
• 一种全自动还原炉的温度PLC控制方法及系统 已授权
  申请号: CN202511604398.4

  公开号: CN121070104A

  申请日期: 2025-11-05

  公开日期: 2025-12-05
  申请人: 湖南湘樾菱通自动化科技有限公司

  发明人: 郑晖
  IPC: G05D23/30; G05B11/42 中国专利
  摘要: 本申请涉及温度控制技术领域，具体涉及一种全自动还原炉的温度PLC控制方法及系统。该方法包括：采集硅棒热成像图和压强；通过边缘检测筛选硅棒区域，将硅棒区域分割获取硅棒超像素块，筛选硅棒超像素块并与其相邻超像素块比较确定凹陷可能性，结合硅棒超像素块的温度差异确定沉降评估值；基于压强和气氛温度评估值确定雾化置信度，再结合沉降评估值的预测值获取温控响应系数；通过温控相应系数对论域进行调整；通过沉积评估值判断温度补偿进而确认硅棒实测温度，基于硅棒实测温度的差异和相邻差异确定温度误差和温度误差变化率，再结合调整后的论域进行模糊控制获取控制参数，对每个时刻的温度进行控制。本申请提高了产品质量。...
• 接触层OPC热点修补方法 申请中
  申请号: CN202511484009.9

  公开号: CN121454870A

  申请日期: 2025-10-16

  公开日期: 2026-02-03
  申请人: 上海华力集成电路制造有限公司

  发明人: 吴徐丽; 储志浩; 朱忠华; 黄超
  IPC: G03F7/20 中国专利
  摘要: 本申请提供一种接触层OPC热点修补方法，包括：步骤S1，输入初始OPC图形；步骤S2，对输入的OPC图形进行模拟检查，得到第一标记图形、第二标记图形和第三标记图形；步骤S3，根据第一标记图形和输入的OPC图形得到面积热点OPC图形；步骤S4，根据面积热点OPC图形、第二标记图形和第三标记图形得到面积修补图形边；步骤S5，移动面积修补图形边得到面积修补图形；步骤S6，合并输入的OPC图形和面积修补图形得到修补OPC图形；步骤S7，判断循环次数是否达到最大循环次数，如果未达到则重复步骤S2至步骤S6，如果达到则结束循环，输出最终修补OPC图形。本申请可以有效避免面积热点修补后导致产生新的桥接热点。...
• 光检测装置和电子设备 申请中
  申请号: CN202480043387.0

  公开号: CN121464741A

  申请日期: 2024-06-13

  公开日期: 2026-02-03
  申请人: 索尼半导体解决方案公司

  发明人: 山元纯平
  IPC: H10F39/18 中国专利
  摘要: 提供了一种能够在抑制暗电流产生的同时提高量子效率Qe的光检测装置。具体地，所述光检测装置，包括：半导体基板，其具有光入射在其上的第一面和位于所述第一面的相对侧的第二面；多个光电转换单元，其在所述半导体基板上形成二维阵列；像素分离结构，其形成在所述半导体基板的所述光电转换单元之间；和片上透镜，其布置在所述半导体基板的所述第一面侧，并且由两个以上所述光电转换单元共享。所述像素分离结构包括：像素间分离部，其包围所述两个以上光电转换单元的周边；和像素内分离部，其位于由所述像素间分离部包围的区域中的所述光电转换单元之间。在所述像素间分离部中布置有电导体。在所述像素内分离部中仅布置有光吸收率比所述电导体的...
• 流化床反应器的生产过程预测方法、设备、介质和产品 申请中
  申请号: CN202511626293.9

  公开号: CN121434741A

  申请日期: 2025-11-07

  公开日期: 2026-01-30
  申请人: 华东理工大学; 新特能源股份有限公司

  发明人: 钟伟民; 薛栋; 刘雄; 彭鑫; 钱锋
  IPC: G06F18/213; G06F18/10; G06F18/27; G06F18/20; G06N3/0455; G06N3/0464; G06N3/092; G06N3/096; G16C20/10 中国专利
  摘要: 本申请涉及工业控制技术领域，具体涉及一种流化床反应器的生产过程预测方法、设备、介质和产品。该方法获取流化床反应器的原始工业数据，通过预设的变分自编码器模型，对原始工业数据进行潜在特征提取，确定相应的潜在特征表示，从而通过训练好的卷积神经网络模型，对潜在特征表示进行生产预测，获得流化床反应器的氢气进料量预测值，以提高冷氢化流化床反应器生产过程中各变量的预测准确性和可靠性，从而提高多晶硅的生产效率。...