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离子注入结构的位置确定方法、装置、设备及介质
已授权
IPC: H10P72/00; H10B10/00; G11C11/413; G11C5/06
中国专利
摘要: 本公开涉及一种离子注入结构的位置确定方法、装置、设备及介质，其中，通过以下步骤确定每个离子注入结构的位置：获取该离子注入结构两侧的第一距离值、第二距离值和存储器的当前电性数据；根据存储器的当前电性数据和目标电性数据之间的差值，确定该离子注入结构的位置偏移方向；根据该离子注入结构的位置偏移方向，调整该离子注入结构的形成位置，以使存储器的电性数据达到目标电性数据。至少能够在缩小随机静态存储器(SRAM)存储器的结构尺寸后，准确确定离子注入结构的正确位置，保证随机静态存储器(SRAM)存储器性能。...
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传感器像素单元和电子设备
申请中
IPC: H04N25/77; H04N25/709
中国专利
摘要: 本公开实施例公开了一种传感器像素单元和电子设备，其中，像素单元包括：光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管和像素选择晶体管；在电路布局中，光电二极管的有源区与源跟随晶体管的栅极端之间的距离小于预设距离，并通过预设材料的连接器件连接；光电二极管的有源区还与复位晶体管的源极端之间连接，响应于复位晶体管通过栅极端接收复位信号，有源区通过复位晶体管与电源信号连接，清空有源区内的光电电荷，完成光电二极管的复位操作；源跟随晶体管的源极端与像素选择晶体管的源极端连接，源跟随晶体管的漏极端与电源信号连接；像素选择晶体管的栅极端接收外部输出信号，像素选择晶体管的漏极端作为传感器像素单元的输出端。...
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一种多晶硅还原炉的状态控制方法、设备、介质和产品
申请中
IPC: F27B17/00; F27D19/00; G06N3/0442; G06N3/0455; G06N3/084; G06Q50/04; C01B33/035
中国专利
摘要: 本申请涉及工业控制技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉的状态控制方法、设备、介质和产品。该方法获取多晶硅还原炉的当前生产状态信息，并通过已训练的生产预测模型对多晶硅还原炉进行状态预测，确定下一时刻的目标生产状态信息，以控制输入多晶硅还原炉的原料，使多晶硅还原炉维持稳定状态，以提高多晶硅的生产效率和稳定性。...
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多晶硅的输送装置以及多晶硅的输送方法
申请中
IPC: B65G47/14
中国专利
摘要: 本发明通过利用传感器高精度地检测多晶硅，从而可靠地将作为送出对象的多晶硅送出至输送部外部。一种多晶硅的输送装置(1)，其具备：输送部(30)，输送部(30)具有将多晶硅(S)送出的送出端部(31)，并且输送多晶硅(S)以将多晶硅(S)从送出端部(31)送出至外部；第1传感器(12)，第1传感器(12)在输送部(30)上方从多个方向检测多晶硅(S)；以及控制部(20)，控制部(20)基于第1传感器(12)对多晶硅(S)的检测结果，控制对输送部(30)的驱动。...
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一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法
已授权
IPC: B81C1/00; B82Y15/00; B81B7/02; B81B7/00; G01R33/02; G01R33/00
中国专利
摘要: 本发明公开了一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法。所述方法包括以下步骤：(1)低温CMOS电路层制备，(2)TSV三维互联结构加工，(3)无磁芯平面线圈制作，(4)低温电磁屏蔽层集成，(5)结构释放与真空封装。本发明通过无磁芯设计消除铁磁材料引入的工艺冲突与磁滞误差，并采用TSV(硅通孔)三维互联技术替代传统平面布线，将模块体积压缩至毫米级，同时集成宽频电磁屏蔽层，确保在微弱磁场(...
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改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备
申请中
IPC: H10P76/20; H10P76/40; H10P72/00
中国专利
摘要: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种改善关键尺寸负载效应的方法和半导体工艺设备。该改善关键尺寸负载效应的方法包括：提供衬底，衬底上形成有叠层结构，叠层结构包括第一掩膜层、第二掩膜层、第三掩膜层和图案化光刻胶层，图案化光刻胶层包括密集区域和稀疏区域；以图案化光刻胶层为掩膜，利用第一刻蚀工艺刻蚀第三掩膜层，其对第三掩膜层进行过刻蚀，以刻蚀部分第二掩膜层，工艺气体中的刻蚀气体包括碳氟类气体和碳氢氟类气体，碳氢氟类气体的流量大于碳氟类气体的流量；再依次对第二掩膜层、第一掩膜层进行刻蚀。本发明能避免由于密集区和稀疏区的聚合物差异带来的关键尺寸负载效应，实现刻蚀均匀性的提升，提升器件的性能。...
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一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法
申请中
IPC: H10F30/28; H10F71/00; H10F77/20; H10F77/30
中国专利
摘要: 本发明涉及光敏晶体管领域，具体而言，涉及一种基于布局优化的高CTR与高速光敏晶体管及其制造方法，包括包括：半导体衬底，半导体衬底上依次形成N型外延层、P型基区与N型射区；P型基区包括独立设置的光电传感区与基极主体，光电传感区用于接收光信号并产生载流子，基极主体与N型射区形成PN结，且基极主体的节深与掺杂浓度可根据β值设计需求独立调整；通过将光电传感区与基极主体独立设置，基极主体的节深与掺杂浓度可根据β值设计灵活调整，避免传统共用结构中基极节深受光电转换效率限制的问题，显着提升CTR，且参数稳定性更高，生产效率提升。...
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一种MEMS四合一单片集成传感器的制作方法
已授权
IPC: B81C1/00; B81B7/02
中国专利
摘要: 本发明提供一种MEMS四合一单片集成传感器的制作方法。本发明的四合一单片集成传感器在单个硅片上集成了多种传感器的功能，可以同时测量压力、加速度、气体和湿度，可用于复杂场景下的多参数同步检测。该四合一集成传感器采用表面微机械加工工艺制作，为了形成压力传感器、加速度传感器、气体传感器和湿度传感器所需的空腔结构，采用SiO2填充且使用HF溶液腐蚀多晶硅以释放腔体的方法，这样不仅有利于各种功能传感器的工艺兼容，而且也可以提高集成传感器的成品率。同时该集成传感器的制作成本相对较低，适合于大批量生产。...
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用于高速电阻式栅极传感器的偏置及读出方法
申请中
IPC: H10F30/00; H10F39/15; G01T1/24
中国专利
摘要: 光子或电子检测器可包含具有经施加以减少滞后且改进操作速度的电压梯度的多晶硅电阻式栅极。所述多晶硅电阻式栅极可为经重度掺杂有供体原子或受体原子且经离子植入有非电活性物种的经掺杂多晶硅。所述非电活性物种可以一定图案植入以形成具有不同电阻率的多个离子植入区。所述离子植入区以选定图案形成以控制所述多晶硅电阻式栅极的电阻率且修改跨越所述经差分偏置多晶硅电阻式栅极的横向电场。X射线检测器还可包含具有电流模式差分连接的电路元件以改进时钟馈通及功率耗散特性。...
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使用集成在其上的TFT光电检测器感测触摸的触摸屏面板
申请中
IPC: H10F39/00; G02F1/133; G02F1/1333; G02F1/13357; G06F3/041; G06F3/042; G06V40/13; H10F30/282; H10F77/16; H10K59/40; H10K59/60; H10K59/65
摘要: 一种使用薄膜晶体管(TFT)光电检测器的触摸屏面板，包括：触摸面板，包括用于通过使用TFT光电检测器感测由触摸反射的光的多个单元图案，所述TFT光电检测器包括在非晶透明材料上由非晶硅或多晶硅形成的有源层；以及控制器，被配置为扫描所述多个单元图案并读取作为扫描结果的触摸坐标。...
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用于检测气体的热导传感器
申请中
IPC: G01N25/18
摘要: 公开了一种热导率传感器。导热传感器包括具有至少一个加热元件的第一部分和具有至少一个感测元件的第二部分。所述第一部分和所述第二部分被定位成使得所述至少一个加热元件和所述至少一个感测元件被所述第一部分和所述第二部分之间的气体通道分开，所述气体通道被配置成允许气体通过所述气体通道，使得所述气体在所述至少一个加热元件和所述至少一个感测元件之间通过。所述至少一个感测元件被配置为测量所述气体的温度变化以检测具有较高热导率的所述气体的存在。...
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惯性传感器和电子设备
申请中
IPC: G01P15/08; G01P15/125
中国专利
摘要: 提供了一种惯性传感器和电子设备。惯性传感器的机械结构层(220)包括定子(221)和动子(222)，检测电极(241)设置在绝缘基板(211)上。驱动所述动子(222)相对于所述定子(221)移动，并检测所述检测电极(241)和所述动子(222)产生的电容的变化，从而可以确定所述惯性传感器的运动状态或所述电子设备的运动状态。绝缘基板(211)与机械结构层(220)密封连接，以将第一电连接器(212)包裹在绝缘基板(211)上。这样，在实现密封连接和提高真空度的同时，还可以实现惯性传感器中各部件的电连接。...
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显示装置
申请中
IPC: G02B30/54; H10D86/40; H10D86/60; H10H29/14
摘要: 本申请公开了一种显示装置，包括绕旋转轴旋转的显示面板。显示面板包括沿第一方向排列的多个驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管组包括至少两个驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管用于控制对应的发光器件发光。靠近所述旋转轴的所述驱动薄膜晶体管组中的每个驱动薄膜晶体管的电流小于远离所述旋转轴的所述驱动薄膜晶体管组中的每个驱动薄膜晶体管的电流。...
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受光元件、光学装置及电子设备
申请中
IPC: H10F39/00
摘要: 提出了一种光接收元件，其能够在降低到读出电路的输入电压的同时降低功耗或死区时间中的至少一个。提供了一种光接收元件(200)，包括：光子响应倍增部分(210)，其包括能够倍增响应于光子入射而产生的电荷的电荷倍增区域；第一电阻器部分(211)，其一端连接到光子响应倍增部分的一端，并且具有比光子响应倍增部分的电阻值大的电阻值；第二电阻器部分(212)，其一端连接到第一电阻器部分的另一端；以及读出单元(230)，其连接到第一电阻器部分的另一端，并且经由第一电阻器部分读出来自光子响应倍增部分的输出。...
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一种扫描外形的电子级多晶硅表金属检测方法
申请中
IPC: G01N27/626
中国专利
摘要: 本发明公开了一种扫描外形的电子级多晶硅表金属检测方法，包括以下步骤：S1、取样；S2、测量体金属含量；S3、测量传统表金属含量；S4、计算真实表金属含量。优点在于：首次实现了对表金属检测中体金属贡献量的精确量化与扣除，解决了高纯硅材料表金属检测值系统性偏高的问题；通过3D扫描技术测量真实表面积，适用于任何不规则形状的硅块，无需将其近似为规则几何体，普适性更强。计算得到的表金属真实含量结果能更真实地反映清洗等表面处理工艺的实际效果，为清洗工艺优化提供准确的数据依据，避免误判和资源浪费。...
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利用人工智能的太阳能发电预测系统
申请中
IPC: H02S50/00; G01R19/00; G01R19/10; G01R19/12; G01R19/165; G01W1/02; G06N3/08; G06N20/00; G08B21/18; H02S30/00; H02S40/42
摘要: 本发明涉及一种基于深度学习模型的太阳能发电率预测装置，特别是一种通过天气相似度利用相似地区的历史数据来解决发电率预测模型性能下降的基于深度学习模型的太阳能发电率预测装置，以及从过去测定的发电信息丰富的多个地区收集天气信息和太阳能发电信息的数据收集部(100)；以及数据预处理单元(200)，利用发电速率值除以装机容量，通过标准归一化对数据采集单元(100)采集的数据进行预处理；以及深度学习模型学习部(300)，根据作为数据预处理部(200)的结果输出的发电速率数据、气象观测数据、空气质量测定数据，训练太阳能发电速率的深度学习模型；其特征在于，包括太阳能电池板故障状况预测判断单元(1000)，根据...
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利用人工智能对太阳能电池板进行远程故障诊断的装置
申请中
IPC: H02S50/00; G01R19/00; G01R19/10; G01R19/12; G01R19/165; G01R23/16; G08B3/10; G08B21/18; H02S40/32; H02S40/34; H02S40/42
摘要: 本发明涉及一种利用人工智能的太阳能发电系统的故障预测装置，具体而言，涉及一种利用人工智能的太阳能发电系统的故障预测装置，其通过利用人工智能的机器学习来分析光伏组件的电压变化趋势，并通过根据电压变化趋势进行分组来在组内进行光伏组件的状态诊断，从而能够提高光伏组件的状态诊断的准确性，该利用人工智能的太阳能发电系统的故障预测装置包括由多个光伏组件组装而成的太阳能电池板，10太阳能电池串，接收太阳能电力并产生直流电；以及太阳能结面板(20)，其通过串联和并联连接由太阳能电池串(10)中的每一个产生的DC电力来收集所需电力；逆变器(30)，其从光伏结面板(20)接收直流电力并将其转换为交流电力并输出到电...
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三氯氢硅中金属元素的测定方法及其应用
申请中
IPC: G01N30/02; G01N30/06; G01N30/72; G01N30/86
中国专利
摘要: 本发明涉及半导体级硅材料痕量分析技术领域，具体公开了三氯氢硅中金属元素的测定方法及其应用。该方法通过采取三重四极杆ICP‑MS/MS技术，能够对于高纯三氯氢硅生产过程中金属杂质的ng/g级精准定量分析，为半导体级多晶硅质量控制提供了可靠的技术保障。...
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高可靠性的肖特基轴向二极管及其生产工艺
申请中
IPC: H10W74/40; H10W74/10; H10W74/01; H10D8/01; H10D8/60
中国专利
摘要: 本发明涉及一种高可靠性的肖特基轴向二极管及其生产工艺，高可靠性的肖特基轴向二极管，芯片两侧设有引线，芯片从内到外依次涂覆了四层材料：氮化硅层，含氧多晶硅层，二氧化硅层，聚酰亚胺胶层，其生产工艺具体步骤如下：清洁烘干、芯片的内层防护、芯片的表层PI胶防护、金属化、真空预焊PUMP锡球工艺、焊接、硅白胶保护加固化、环氧树脂包裹。本发明提出了更全面的高可靠性工艺在表面和内部分别做出保护：表面采用PI胶涂层增加芯片表面防护，内部通过采用氮化硅层，含氧多晶硅层，二氧化硅层，具有高可靠性，高效高可靠性，兼容性强，环保的优点。...
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光学器件、光学器件和电子设备
申请中
IPC: H10F30/225; H10F39/12; H10F77/00
中国专利
摘要: 提出了一种光接收元件，其能够在降低到读出电路的输入电压的同时降低功耗或死区时间中的至少一个。提供了一种光接收元件(200)，包括：光子响应倍增部分(210)，其包括能够倍增响应于光子入射而产生的电荷的电荷倍增区域；第一电阻器部分(211)，其一端连接到光子响应倍增部分的一端，并且具有比光子响应倍增部分的电阻值大的电阻值；第二电阻器部分(212)，其一端连接到第一电阻器部分的另一端；以及读出单元(230)，其连接到第一电阻器部分的另一端，并且经由第一电阻器部分读出来自光子响应倍增部分的输出。...
