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CMOS超声换能器及相关设备和方法
申请中
IPC: -
摘要: 描述了CMOS超声换能器和制造这种器件的工艺。 所述工艺可包括在第一晶片上形成空腔并将第一晶片接合到第二晶片。 第二晶片可经处理以形成用于空腔的膜。 可以提供到空腔的电通路。...
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CMOS超声换能器及相关设备和方法
申请中
IPC: -
摘要: 描述了CMOS超声换能器和制造这种器件的工艺。 所述工艺可包括在第一晶片上形成空腔并将第一晶片接合到第二晶片。 第二晶片可经处理以形成用于空腔的膜。 可以提供到空腔的电通路。...
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用于线间CCD的更快定时的结构
申请中
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摘要: 在各种实施例中，图像传感器包括将相位控制信号传导到下面的栅极导体的垂直和水平绑定线的绑定网格，所述栅极导体控制图像传感器内的电荷转移。...
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静电致动谐振微悬臂装置、化学传感器以及制造和使用该装置和传感器的方法
申请中
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摘要: 一种微机电化学传感器，包括有源悬臂梁和至少一个、优选两个电阻器，有源悬臂梁具有设置在其上的化学选择性材料层，电阻器的电阻对应于悬臂梁偏转。 传感器还具有至少两个、优选地四个辅助悬臂梁，辅助悬臂梁邻近有源悬臂梁并附接到同一衬底，每个辅助悬臂梁上设置有压阻器。 压阻器是惠斯通电桥的元件，惠斯通电桥输出指示被化学选择性材料层吸附的预定目标化学品的量。 传感器被静电驱动以监测谐振频率。...
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使用MEMS器件的分子分析
申请中
IPC: -
摘要: 分析仪器和传感器，特别是微机电传感器(MEMS)装置，用于以蒸汽、液体和/或固体形式对化学品和其他材料进行分子分析，所述其他材料包括例如聚合物、药物、纳米材料、包括蛋白质的生物样品和包括怀疑污染的水的环境样品等。...
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用于增强人胶质母细胞瘤的治疗功效的纳米颗粒
申请中
IPC: -
摘要: 具有与O6-苄基鸟嘌呤共价偶联的交联壳聚糖-聚环氧乙烷低聚物共聚物涂层的纳米颗粒，包含该纳米颗粒的组合物，以及使用该纳米颗粒治疗脑癌的方法。...
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虚拟模式性能感知分析和实现
申请中
IPC: -
摘要: 本发明的实施例是一种实现集成电路设计的系统、计算机程序产品和方法。 所述用于实现集成电路设计的方法包括 : 从第一用户文件访问集成电路布局的原始电子表示；以及访问定义的灵敏度指数，所述灵敏度指数表征所述虚设图案对所述功能部件的影响。 分析伪模式对功能部件的影响，并确定影响是否在灵敏度指标的限度内。 如果所述影响不在所述限制内，则调整所述虚设图案的多个特征中的一个以形成修改后的集成电路布局的所生成的电子表示，并且将所生成的电子表示输出到第二用户文件。 集成电路布局包括虚设图案和功能部件。...
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单多晶硅电可擦除可编程非易失性存储器件
申请中
IPC: -
摘要: 一种单晶硅浮栅非易失性存储单元，具有MOS电容器和存储MOS晶体管，所述MOS电容器和存储MOS晶体管的尺寸允许使用电流低电压逻辑集成电路工艺制造。 MOS电容器具有连接到存储MOS晶体管的栅极以形成浮栅节点的第一板。 当与存储MOS晶体管的物理尺寸相比时，MOS电容器的物理尺寸相对较大(大约大10倍)，以在MOS电容器的第二板和浮动栅极节点之间建立大的耦合比(大于80%)。 当施加到MOS电容器的第二板的电压和施加到MOS晶体管的源极区或漏极区的电压在MOS晶体管的栅极氧化物内建立电压场，使得Fowler-Nordheim边缘隧道被启动。...
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光学诊断传感器系统和方法
申请中
IPC: -
摘要: 描述了用于确定生理数据的方法的实施例， 如生命体征， 通过使用光学诊断传感器， 该方法包括在半导体材料上接收， 其位于光电二极管和沟槽之间， 向硅或背面晶片级封装(WLP)涂层中开口第一波长的光和红光波长以上的第二波长的光，半导体材料用作阻挡红光波长以下波长的滤光器； 在光电二极管处检测第一波长或第二波长中的至少一个波长的光； 以及使用所检测的光来确定生命体征。...
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用于大脑皮层电活动的瞬时时空标测的生物可吸收硅电子学
申请中
IPC: -
摘要: 提供了可植入的和可生物再吸收的医疗装置，其包括可生物再吸收的基底和由可生物再吸收的基底支撑的电子电路。 所述电子电路包括厚度小于或等于5 μ m的硅膜和可溶解电极阵列，其中所述可溶解电极由所述硅膜形成。 电子电路被配置成在使用期间适形地接触生物组织并且与生物组织电介接。 硅可以是高度掺杂的，以提供与生物组织电连接所需的特性，并且可以进一步用于形成电子电路的其它部件，包括电连接到电极阵列的背板晶体管。...
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具有玻璃上芯片隔离的容错LCD显示器
申请中
IPC: -
摘要: 描述了用于航空电子系统的容错液晶显示器。 至少一些示例性实施例是包括在LCD上提供航电显示全屏的方法，所述提供是通过经由第一组FET经由第一源极驱动器电路驱动LCD的源极信号线来实现的； 通过第一栅极驱动电路通过第二组FET驱动LCD的栅极信号线； 通过将源极信号线与第二源极驱动电路电隔离来防止第二源极驱动电路的反向偏置； 以及通过将栅极信号线与第二栅极驱动电路电隔离来防止第二栅极驱动电路的反向偏置。...
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用于边缘测试单多晶硅工艺EEPROM单元的装置和方法
申请中
IPC: -
摘要: 公开了一种用于评估单个多晶硅EEPROM单元中的容限电压的方法和装置。 简言之，本发明涉及将单元的阈值电压移到更高，导致裕度电压的相应升高，从而可以在正电压范围内进行擦除裕度的测试。 本发明实现了对该问题的多种解决方案，包括在单元处理和电路中的创新。 在一个实施例中，改变用于产生浮栅晶体管的工艺步骤以增加其阈值电压。 可选地，或者与这些一般工艺变化相结合，可以减小浮栅晶体管的宽度，导致裕度电压的相应增加。 所述电路修改包括提供单独的测试模式条件，其中所述读出放大器跳闸电流高于正常操作下的电流，以及使用新的读出放大器优化来提高所述源极线的电压电平，或者仅在所述容限测试模式期间，这两者都将所述单元...
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半导体器件的制造方法
申请中
IPC: -
摘要: 本发明提供一种SGT制造方法，其能够获得用于降低源极、漏极和栅极的电阻的结构、所需的栅极长度、所需的源极和漏极配置以及所需的柱状半导体直径。 该方法包括以下步骤 : 形成柱状第一导电型半导体层； 在所述柱状第一导电型半导体层的下方形成第二导电型半导体层； 围绕柱状第一导电型半导体层形成虚拟栅极电介质膜和虚拟栅电极； 通过栅极电介质膜在柱状第一导电型半导体层的侧壁的上部区域上形成与栅极电极的顶部接触的第一电介质膜； 在所述栅电极的侧壁上形成第一电介质膜； 在所述柱状第一导电型半导体层的上部形成第二导电型半导体层； 在所述柱状第一导电型半导体层的上部形成第二导电型半导体层； 在形成于柱状的第一导电...
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包括具有浮动段的分段电极的等离子体处理系统
申请中
IPC: -
摘要: 一种用于处理衬底的等离子体处理系统，包括布置在处理室中并包括第一电极的衬底支撑件。第二电极布置在衬底支撑件上方，并且包括S个区段，S个区段同心地布置并且包括位于其间的间隙，其中S是大于一的整数。段控制电路包括连接到第二电极的S段中的M段的M个阻抗，其中M是大于零且小于或等于S的整数。M个阻抗选自由电阻器、电感器、电容器及其组合中的至少一个组成的组。等离子体发生器被配置为向第一电极提供RF电压，以在处理室中产生和维持等离子体。...
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库设计和与电路设计的共同优化
申请中
IPC: -
摘要: 一种系统基于正在构建的电路设计和正在使用的库单元的同时优化来扩展现有库。该系统接收单元库和电路设计，并执行电路设计的综合和优化。该系统评估电路设计以识别可能是新库单元的候选的部分。所述系统分析所述库以确定是否存在可使用的现有库单元格、是否应将所述新的libcell添加到所述库，或者是否应将所述新的libcell替换现有的libcell。该系统对新的libcell执行建模，以测量通过使用新的libcell获得的改进。系统根据性能建模推荐新的libcell添加到库中。...
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用于颅内空间和深部脑的可生物吸收的无线硅传感器
申请中
IPC: -
摘要: 在此提供了可植入和可生物吸收的传感器，其被专门设计为植入，在操作寿命期间起作用，并且在操作寿命之后的某个点处被身体以这样的方式重新吸收，以避免必须移除传感器的任何部分。本发明还提供了一种可植入和可生物吸收的传感器，其特征在于，所述可植入和可生物吸收的传感器在操作寿命期间起作用，并且在操作寿命之后的某个点处被身体以这样的方式重新吸收，以避免必须移除传感器的任何部分。 这避免了与传感器移除相关的对患者的第二次冲击。 传感器具有基板和由基板支撑的电子器件。 阻挡层在使用期间将电子器件与包括生物流体的周围环境隔离。 衬底、电子器件和阻挡层中的每一个在使用期间具有生物再吸收速率，以提供受控的生物再吸收，...
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用于超过截止频率操作的基于MOSCAP的RFID前端
申请中
IPC: -
摘要: 公开了一种无线(例如，近场或RF)通信设备及其制造和使用方法。 该无线通信设备包括接收器和/或发射器、其上具有天线的基板、集成电路和一个或多个连续性传感器。 天线接收和/或反向散射无线信号。 集成电路处理来自其的无线信号和/或信息，和/或为其产生无线信号和/或信息。 所述连续性传感器被配置成感测或确定所述包装或容器中的化学品或物质的存在，并因此感测或确定所述通信设备放置在其上或所述通信设备固定或粘附在其上的包装或容器的连续性状态。 所述(多个)连续性传感器电连接到所述集成电路的一组端子，所述一组端子不同于所述天线电连接到的所述一组端子。...
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形成和分析掺杂硅的方法
申请中
IPC: -
摘要: 形成和分析掺杂单晶硅的方法均包括提供容器、颗粒硅、掺杂剂和浮区设备的步骤。 用于每种方法的容器包括硅并限定空腔。 每个方法还包括以下步骤 : 将颗粒硅和掺杂剂结合以形成经处理的颗粒硅，以及将经处理的颗粒硅置于容器的空腔中。 所述方法还包括用浮区设备将所述容器和经处理的颗粒硅浮区处理成掺杂单晶硅的步骤。 所述分析方法还包括提供仪器的步骤。 该分析方法还包括从掺杂的单晶硅中移除一个块，并用仪器测定该块中掺杂剂的浓度的步骤。 所述方法可用于形成和分析具有各种类型和/或浓度的掺杂剂的单晶硅。...
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半透明多晶硅PIN光电二极管
申请中
IPC: -
摘要: 适用于制造光学监视器的材料包括非晶，多晶和微晶材料。 半透明光检测器材料可以基于硅或硅和锗合金。 用于连接和接触光检测器的导体可以由各种透明氧化物制成，包括氧化锌，氧化锡和氧化铟锡。 基于PIN二极管的光学监视器结构利用所公开的材料。 各种接触，引线，衬底和互连结构优化了监视器，以便与包括垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列在内的各种光源集成。 完整的集成结构包括光源，光学监视器和封装或波导，光被引导到封装或波导中。...
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具有温度结构的声学传感器
申请中
IPC: -
摘要: 一种声传感器具有具有MEMS结构的MEMS管芯。 其中，MEMS结构包括被配置为机械地响应入射声信号的膜片，以及被配置为检测温度的温度传感器构件。...
