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利用MEMS和光学感测的陀螺仪
申请中
IPC: -
摘要: 提供了一种陀螺仪和检测旋转的方法。 陀螺仪包括构造成被驱动以绕驱动轴移动的结构。 所述结构还被配置成响应于由所述结构围绕旋转轴旋转而产生的科里奥利力而围绕感测轴移动，同时围绕所述驱动轴移动。 所述陀螺仪还包括光学传感器系统，所述光学传感器系统被配置为光学地测量所述结构围绕所述感测轴的运动。 在某些实施例中，陀螺仪是微机电系统(MEMS)陀螺仪。...
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纳米级传感器及其制造方法
申请中
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摘要: 一种纳米级传感器，以及制造该传感器的方法。 传感器被设计成通过测量在被测水溶液中的纳米线上施加偏压的电流来测量分析物检测中的自由载体的变化。 将测得的电流与测试的特征细菌、病毒、化学物质、气体或其某种组合的已知校准浓度以及测试的水溶液的值进行比较。 温度、pH和盐度测量电路支持环境校正。...
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使用纳米级场效应传感器阵列的DNA测序和扩增系统
申请中
IPC: -
摘要: 在一个方面，本文描述了可用于化学和/或生化感测的场效应化学传感器装置。 本文还提供了用于单分子检测的方法。 在另一方面，本文描述了用于通过PCR扩增靶分子的方法。...
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包括超低噪声读出集成电路和热电超晶格焦平面阵列结构的背景限制焦平面阵列器件
申请中
IPC: -
摘要: 热电检测器包括由热电材料制成的两个电连接光束支撑的红外吸收像素结构。 所述热电束的一端连接到所述红外吸收体像素结构； 另一端连接到基板。 该检测器包括用于在检测器上收集和聚焦红外辐射的微透镜。 红外辐射入射到红外吸收体像素结构上，导致沿着热电腿的长度的温度梯度，并产生与该温度梯度成比例的电压。 低噪声SiGe BiCMOS读出集成电路耦合到检测器以提供具有改进的检测率的背景受限检测器。...
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具有本征吸杂的外延硅晶片及其制备方法
申请中
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摘要: 一种晶片，其特征在于，所述晶片具有晶格空位的非均匀分布，其中所述体层中的晶格空位的浓度大于所述前表面层中的晶格空位的浓度。 另外，晶片的前表面具有沉积在其上的厚度小于约2.0微米的外延层。 一种工艺包括加热晶片起始材料的表面以从该表面去除氧化硅层，以及在该表面上沉积外延层以形成外延晶片。 然后将外延晶片加热到至少约1175℃的浸泡温度。 同时将外延层暴露于包含氧化剂的氧化气氛中，并且以至少约10℃/秒的速率冷却晶片。...
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预浓缩器及其使用方法
申请中
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摘要: 提供了一种具有支撑结构、气流导管的化学预浓缩器，支撑结构表面上的反应性化合物层用于从稀释样品中收集和预浓缩至少一种化学分析物。 提供了一种浓缩气态样品的方法，该方法包括用含有至少一种化学分析物的稀释气态样品暴露化学预浓缩器； 以及形成所述至少一种化学分析物的缀合物。 提供了一种使用化学预浓缩器诊断哺乳动物患者中的疾病状态的方法。...
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附着在高电阻率硅衬底上的低电阻率透光窗
申请中
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摘要: 本发明包括低电阻率或导电的硅层的组合，所述硅层对于长或短波长光子是透明的并且附着到硅的光子敏感层，例如硅晶片或芯片的背面。 本发明应用于光电二极管，电荷耦合器件，有源像素传感器，低能X射线传感器等光子敏感硅器件。 将硅窗口施加到光敏硅晶片或芯片的背面，使得光子能够从背面照亮器件，而不会受到正面印刷的电路的干扰。 在低电阻率后窗和器件的前侧，图案化侧之间施加足以完全耗尽电荷载流子的高电阻率光敏硅体积的电压。 这允许在后侧产生的光子感应电荷到达器件的前侧并由连接到前侧的任何电路处理。 使用本发明的组合，不需要将光子敏感硅层减薄到标准制造方法之外，以实现硅体积中的完全电荷耗尽。 在一个实施例中，本发...
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非导电颜料、涂层、膜、制品、其制造方法及其使用方法
申请中
IPC: -
摘要: 提供了非导电颜料、涂料、膜、制品、其制造方法及其使用方法。所述非导电颜料包括薄片，所述薄片包括至少四层，所述四层包括交替的低折射率层和高折射率层。当在400nm至700nm的波长范围内测量时，相邻层之间的平均折射率之差至少为1.5。在某些示例中，高折射率层的Q值为至少0.930，例如至少0.950或至少1.000。所述颜料具有至少80%的平均可见镜面反射率，并且所述颜料和所述薄片在高波长和低波长之间具有至少300nm的带宽，在所述高波长和低波长处镜面反射率降至50%以下。...
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非导电颜料、涂层、膜、制品、其制造方法及其使用方法
申请中
IPC: -
摘要: 提供了非导电颜料、涂料、膜、制品、其制造方法及其使用方法。所述非导电颜料包括薄片，所述薄片包括至少四层，所述四层包括交替的低折射率层和高折射率层。当在400nm至700nm的波长范围内测量时，相邻层之间的平均折射率之差至少为1.5。在某些示例中，高折射率层的Q值为至少0.930，例如至少0.950或至少1.000。所述颜料具有至少80%的平均可见镜面反射率，并且所述颜料和所述薄片在高波长和低波长之间具有至少300nm的带宽，在所述高波长和低波长处镜面反射率降至50%以下。...
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用于高级栅极图案化的CVD有机聚合物膜
申请中
IPC: -
摘要: 底部抗反射涂层被用作双层抗反射涂层/硬掩模结构的下层，其包括基本上不含氮和相对于多晶硅层具有低压缩应力的有机聚合物层，以减少将在可图案化层中形成的图案的变形。 层。 有机聚合物层对可见光辐射基本上是透明的，使得能够在半导体器件制造过程中更好地检测对准标记并提高覆盖精度。 有机聚合物层提供优异的台阶覆盖，并且可以有利地用于制造诸如FinFET的结构。...
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经由标准沟槽隔离工艺的半导体光电探测器和CMOS晶体管的单片集成
申请中
IPC: -
摘要: 这里介绍的各种技术的示例包括但不限于浅沟槽隔离形成期间的台面高度调整方法、经由第一方法的晶体管以及多吸收层方法。 如下面进一步描述的，这里引入的技术包括可以单独地和/或共同地解决或减轻在同一衬底上制造PDS和晶体管所涉及的一个或多个传统限制的各种方面，诸如上面讨论的可靠性、性能和工艺温度问题。...
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使用第一晶体管通路的半导体光电探测器和CMOS晶体管的单片集成
申请中
IPC: -
摘要: 这里介绍的各种技术的示例包括但不限于浅沟槽隔离形成期间的台面高度调整方法、经由第一方法的晶体管以及多吸收层方法。 如下面进一步描述的，这里引入的技术包括可以单独地和/或共同地解决或减轻在同一衬底上制造PDS和晶体管所涉及的一个或多个传统限制的各种方面，诸如上面讨论的可靠性、性能和工艺温度问题。...
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用于声学乐器演奏音频中的事件的计算识别和可视化的系统以及用于计算机控制的事件的用户生成映射的方法
申请中
IPC: -
摘要: 这里介绍的各种技术的示例包括但不限于浅沟槽隔离形成期间的台面高度调整方法、经由第一方法的晶体管以及多吸收层方法。 如下面进一步描述的，这里引入的技术包括可以单独地和/或共同地解决或减轻在同一衬底上制造PDS和晶体管所涉及的一个或多个传统限制的各种方面，诸如上面讨论的可靠性、性能和工艺温度问题。...
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浅沟槽隔离台阶高度检测方法
申请中
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摘要: 描述了一种用于测量STI结构的台阶高度的方法。 所述方法包括测量多晶硅结构的电阻随台阶高度变化的变化。 多晶硅结构的电阻通过施加电压和测量所得电流来测量。...
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具有速度检测器的集成电路
申请中
IPC: -
摘要: 一种电路设计有用于产生参考信号的参考电路(200)。 参考信号确定参考周期。 响应于参考信号的延迟电路(208, 212, 216)产生延迟信号。 响应于延迟信号的控制电路(248, 254, 258, 260, 262)产生控制信号。 延迟电路在参考周期内模拟集成电路的速度。 来自控制电路的控制信号补偿所测量的电路速度变化的集成电路性能。...
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半导体器件的制造方法
申请中
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摘要: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 : 在平面半导体层上形成柱状第一导电型半导体层； 在所述柱状第一导电型半导体层下方的所述平面半导体层的一部分中形成第二导电型半导体层； 围绕所述柱状第一导电型半导体层形成栅极电介质膜和栅电极，所述栅极电介质膜和栅电极具有金属膜和非晶硅或多晶硅膜的叠层结构； 在所述柱状第一导电型半导体层的侧壁的上部区域上形成与所述栅电极的顶部接触的侧壁状介电膜； 在所述栅电极的侧壁上形成第一侧壁形介电膜和第二侧壁形介电膜； 在所述柱状第一导电型半导体层的上部形成第二导电型半导体层； 在所述第二导电型半导体层上形成金属半导体化合物，所述第二导电型半导体层形成在所...
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用于制造光检测器和光波导的脊形技术
申请中
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摘要: 一种在基板上制造光波导中的光检测器的方法，所述方法包括 : 在所述基板的表面上形成至少一层，所述至少一层包括SiGe； 将杂质注入第一区域上方的所述至少一个层中以形成用于所述光学检测器的检测器区域； 蚀刻到第一区域和第二区域中的所述至少一个层中以在所述第一区域和第二区域之间形成脊，所述脊限定所述光检测器和所述光波导； 用折射率低于SiGe的电介质材料填充所述第一和第二区域； 并且在用电介质材料填充第一和第二区域之后，去除表面材料以形成平坦化的上表面。...
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在多通道晶片处理中使用原位和非原位计量和数据检索的过程控制增强和故障检测
申请中
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摘要: 一种用于监控蚀刻工艺的方法和设备。 可以使用在蚀刻工艺期间执行的原位监测(例如，光谱学、干涉测量、散射测量、反射测量等)与相对于蚀刻工艺的非原位提供的测量信息(例如，临界尺寸(CD)、层厚度等)相结合来监测蚀刻工艺。 结合原位监测的非原位测量信息可用于监测例如蚀刻工艺的端点、形成在衬底上的特征的蚀刻深度分布、集成电路制造工艺的故障检测等。...
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基于场效应晶体管的全细胞和细菌传感器
申请中
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摘要: 本发明公开了一种用于检测全细胞细菌的基于场效应晶体管的生物传感器，其包括源极，漏极和设置在源极和漏极之间的生物传感元件。 生物感测构件包括至少一个半导体线，表面改性层和多个检测元件。 半导体布线用作互连源极和漏极的半导体沟道，并且具有允许生物传感构件捕获全细胞细菌的长度。 还公开了一种包括该生物传感器的基于场效应晶体管的生物传感器组件。...
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用于选择性标记T细胞的多模态靶向纳米颗粒
申请中
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摘要: 本发明提供了具有包含磁性材料的核和具有表面的纳米颗粒，其中所述表面可以可操作地连接到抗原肽-主要组织相容性复合物(MHC)单体。 然后抗原肽-MHC单体可被T细胞受体识别。 这些纳米颗粒可以进一步包含信号产生标记，例如荧光团。 使用本发明的纳米颗粒的方法可以涉及磁共振成像和/或荧光检测，从而执行细胞成像和定位。...
