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用于飞行时间深度感测的具有堆叠的双光电二极管的像素
申请中
IPC: -
摘要: 在一个例子中， 一种方法，包括： 传送第一信号以将第一电荷的第一部分从第一光电二极管传送到第一电荷感测单元以获得第一测量结果，以及传送第二信号以将第一电荷的第二部分从第一光电二极管传送到第二电荷感测单元以获得第二测量结果。 电荷感测单元取得一第二测量结果。 第一信号和第二信号的传输定时基于间接飞行时间测量操作。 该方法还包括：基于第一测量结果和第二测量结果执行间接飞行时间测量操作； 传送一第三信号以将一第二电荷从一第二光电二极管经由该第一光电二极管传送至该第二电荷感测单元，以取得一第三测量结果； 以及基于所述第三测量结果执行D感测操作。...
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多晶硅在波长扫描光信道监视器中的应用
申请中
IPC: -
摘要: 本发明涉及用于口服给药活性成分的快速溶解薄膜药物递送组合物。 所述活性组分以味觉掩蔽或控制释放的包衣颗粒的形式提供，所述包衣颗粒均匀地分布在整个膜组合物中。 组合物可以通过湿法浇注方法形成，其中浇注膜并可控地干燥，或者可选地通过挤出方法形成。...
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基于减色的显示器白点校准
申请中
IPC: -
摘要: 提供了用于使用减法颜色测量的白点校准的系统、方法和装置。 具体地，显示器的白点可以使用减法颜色测量而不是仅仅使用加法颜色测量来校准。 在一个示例中，具有红色、绿色和蓝色像素的显示器可以在减法颜色空间(例如，CMY)中而不是在加法颜色空间(例如，RGB)中测量响应。 使用减法颜色空间的显示响应的测量可以涉及同时向两个或多个颜色通道提供图像数据。 因此，可以考虑通道之间的任何串扰效应，即使使用其中仅测量单通道颜色通道的附加颜色测量可能不明显相同的串扰效应。...
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具有控制电场的导电沟槽的半导体器件
申请中
IPC: -
摘要: 公开了一种成像系统、半导体器件和光检测器器件的制造方法。 例如，公开了一种成像系统，其包括光检测器单元和多个电触点，光检测器单元包括形成在光检测器单元内的多个导电沟槽，每个电触点连接到相应的导电沟槽。 所述成像系统还包括光数据处理器单元，其耦合到所述光检测器单元的输出以将从所述光检测器单元接收的模拟信号转换为数字信号；处理单元，其耦合到所述光数据处理器单元的输出以响应于所述数字信号产生控制信号；以及显示单元，其耦合到所述处理单元的输出以响应于所述控制信号改变所显示的图像的强度。...
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传感器线路隔离
申请中
IPC: -
摘要: 本发明公开了一种具有第一行发光二极管和第二行发光二极管的OLED显示器。 第一传感器电路耦合到第一线性阵列的发光二极管，用于检测第一线性阵列的发光二极管的输出。 第二传感器电路耦合到第二线性阵列的发光二极管，用于检测第二线性阵列的发光二极管的输出。 控制电路同时使第一线性阵列的发光二极管发光，并且传感器电路耦合到第二线性阵列的发光二极管，以将对应于第二线性阵列的发光二极管的检测输出的信息提供给传感器读取电路。...
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叠层量子点短波红外传感器
申请中
IPC: -
摘要: 成像器被配置用于捕获短波长红外(SWIR)图像。所述成像器包括光学传感器管芯，所述光学传感器管芯包括半导体衬底、制造在所述半导体衬底中的至少一个器件、设置在所述半导体衬底上方的胶体量子点(CQD)光检测器层、以及设置在所述半导体衬底的底表面上的金属间电介质(IMD)层。所述IMD层至少包括所述光学传感器管芯的重分布层的金属层级。...
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大幅面热电红外探测器及其制造方法
申请中
IPC: -
摘要: 本发明公开了一种热电探测器，包括由两个电连接梁支撑的吸收体结构，所述两个电连接梁由多晶硅、多晶硅/锗、碲化铋、方钴矿、超晶格结构、纳米复合材料和其它材料制成。 热电梁的一端连接到吸收器结构； 另一端连接到基板。 入射到吸收器上的红外辐射加热吸收器，导致沿热电腿长度的温度梯度，并产生电压。 探测器阵列采用微机械加工工艺制作。 吸收器结构形成在牺牲材料上，该牺牲材料在处理结束时被移除，使检测器悬空并热隔离。 该牺牲处理方法能够以高灵敏度在大的二维阵列中生产小像素热电探测器。...
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具有集成光电检测器的MICROLED阵列
申请中
IPC: -
摘要: 用于分析形成在微型LED的集成表面上的聚合物阵列的装置和方法。一个微阵列包括多个可单独控制的microLED元件、多个光电检测器元件、集成表面和CMOS驱动芯片。每个microLED元件与光电检测器元件配对。CMOS驱动芯片控制微LED元件和光电检测器元件的激活。...
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具有使用边缘发射的光学反馈稳定性的发射打印头
申请中
IPC: -
摘要: 本发明提供了校准在打印机和显示器中使用的发射像素的技术。 所述发射像素以线性阵列或二维阵列排列。 对于其上形成有发射像素的透明衬底，通过将一个或多个光传感器直接或通过光纤附接到透明衬底的透明表面来测量像素发射的光。 将该测量值与参考值进行比较，并相应地对发射像素进行校正。 在打印机的情况下，可以在打印下一页的同时在打印后的时间段内测试发射像素的发光强度。...
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用于质谱分析的MEMS电喷雾喷嘴
申请中
IPC: -
摘要: 一种用于质谱学的MEMS电喷嘴的装置，其形成有SiN的顶部和底部以及材料层之间。 在顶部和底部之间的材料形成过滤器，并且还减少喷嘴中的死区量。...
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包含带电粒子的纳米胶囊及其作为数据存储机制的用途
申请中
IPC: -
摘要: 在纳米记忆元件中使用纳米机制，所述纳米记忆元件又可在纳米级存储器件中使用。 将纳米级颗粒封装在非胶囊内，以产生以多种方式可读和可写的双稳态器件。 一种用于纳米级存储元件的非机械性包括具有空腔的纳米组件形式的第一元件和可移除地设置在空腔内的纳米结构形式的第二元件。 在一个实施方案中，纳米组件被证明为C480胶囊，纳米结构被证明为带电荷的HD60富勒烯分子。 所述纳米级存储器件将高开关速度，高封装密度和稳定性与所存储数据的非易失性相结合。...
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具有电压转换的频率监测电路
申请中
IPC: -
摘要: 集成电路可以包括频率监测电路。频率监视电路可以包括基于电压的频率监视电路，用于监视具有在第一组频率内的输入时钟频率的输入时钟信号，以及粗略频率监视电路，用于监视具有在不同于第一组频率的第二组频率内的输入时钟频率的输入时钟信号。所述基于电压的频率监测电路可经配置以在所述输入时钟频率大于参考频率时产生具有第一值的输出电压，且在所述输入时钟频率小于所述参考频率时产生具有第二值的输出电压。粗略频率监视电路可以包括参考计数器和输入时钟计数器，输入时钟计数器生成用于计算输入时钟频率的计数值。...
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制备用于原子探针断层扫描分析的半导体结构样品
申请中
IPC: -
摘要: 本发明涉及制备原子探针断层扫描(APT)样品的技术。 半导体器件中的结构被识别为包括用于APT过程的测试对象。 在将获得APT样品的结构中识别目标区域。 分析目标区域以确定其中是否存在挑战部件特征。 挑战部件可包括难以蒸发的材料，中空区域或相对于测试对象不可识别的材料，或对成功的APT分析提出挑战的其它结构特征。 如果确定在目标区域中存在挑战组分，则在制备APT样品之前用更合适的材料替换挑战组分。...
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检测组织密度的变化
申请中
IPC: -
摘要: 提供了各种设计的微探针，包括具有体基底和从体基底延伸的薄探针的微探针和用于测量薄探针中的应变的惠斯通电桥传感器电路，以及具有两个薄探针的微探针，所述两个薄探针从体基底延伸并具有它们各自集成的惠斯通电桥，以消除两个薄探针经受的共模力。...
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具有用于功率监测的集成光电探测器的环形谐振器
申请中
IPC: -
摘要: 一种环形谐振器装置包括具有迂回配置的无源光学腔，光电检测器装置构建到该无源光学腔中。 所述光电检测器器件包括形成在所述无源光学腔内的第一注入区域，所述第一注入区域包括第一类型的注入掺杂材料。 光电检测器器件包括形成在无源光学腔内的第二注入区域，其包括第二类型的注入掺杂材料，其中第二类型的注入掺杂材料不同于第一类型的注入掺杂材料。 所述光电检测器器件包括在所述第一注入区域和所述第二注入区域之间存在于所述无源光学腔内的本征吸收区域。 第一电触点电连接到第一注入区域和检测电路。 第二电触点电连接到第二注入区域和检测电路。...
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延迟单元的类型
申请中
IPC: -
摘要: 公开了一种用于提供IC设计的方法。该方法包括：接收并合成IC设计的行为描述；基于所述合成行为描述产生所述IC设计的布局；对所述布局执行至少一时序分析；基于所述时序分析来存取包括多个基于晶体管的单元的第一单元库，所述多个基于晶体管的单元各自具有一个或一个以上晶体管且与相应第一延迟值相关联；基于所述时序分析来存取第二单元库，所述第二单元库包含多个非基于晶体管的单元，所述多个非基于晶体管的单元各自不具有晶体管且与相应第二延迟值相关联；以及通过插入所述多个基于晶体管的单元中的一个或多个或插入所述多个基于非晶体管的单元中的一个或多个中的至少一个来更新所述布局。...
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相同/对称金属屏蔽
申请中
IPC: -
摘要: 一种图像传感器，包括 : 具有多个像素的单位单元； 所述单元电池具有多个光电检测器，所述多个光电检测器具有两个或更多子集，其中每个子集具有不同于另一子集的物理形状； 以及遮光层，其产生与每个光电检测器相关联的孔径； 其中光屏蔽层被定位成使得光屏蔽层相对于光检测器的任何物理平移在光检测器的光响应中产生基本上相等的变化。...
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谐振器结构，制造方法和应用
申请中
IPC: -
摘要: 一种用于制造或制备薄膜叠层的方法，所述薄膜叠层表现出适度的、有限的、应力相关的电阻，并且所述薄膜叠层可以结合到能够从微机械结构或纳米机械结构读出简单有效的信号的转导机制中。 当结构被驱动时，中间层的电阻与运动一起被调制，并且在适当的直流偏压下，运动被直接转换成可检测的电压。 一般而言，检测来自MEMS或NEMS器件的信号是困难的，特别是使用能够与标准电子器件集成的方法。 因此，本文所述的薄膜制造或制备技术是MEMS/NEMS领域中的技术进步，其能够实现新的应用以及容易地开发CMOS-MEMS集成制造技术的能力。 还公开了 : (i)换能器，其中电流从一个主表面流过压电层到相反的主表面； 和(i...
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用于制造换能器的方法，由其制造的换能器及其应用
申请中
IPC: -
摘要: 一种用于制造或制备薄膜叠层的方法，所述薄膜叠层表现出适度的、有限的、应力相关的电阻，并且所述薄膜叠层可以结合到能够从微机械结构或纳米机械结构读出简单有效的信号的转导机制中。 当结构被驱动时，中间层的电阻与运动一起被调制，并且在适当的直流偏压下，运动被直接转换成可检测的电压。 一般而言，检测来自MEMS或NEMS器件的信号是困难的，特别是使用能够与标准电子器件集成的方法。 因此，本文所述的薄膜制造或制备技术是MEMS/NEMS领域中的技术进步，其能够实现新的应用以及容易地开发CMOS-MEMS集成制造技术的能力。 还公开了 : (i)换能器，其中电流从一个主表面流过压电层到相反的主表面； 和(i...
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用于纳米间隙器件和阵列的方法和装置
申请中
IPC: -
摘要: 一种使用纳米间隙电容器器件的方法和/或系统及其构造方法。...
