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具有纳米孔膜的微透析探针的微细制造
申请中
IPC: -
摘要: 微透析取样是体内神经化学监测必不可少的工具。 常规透析探针的直径超过220 μ m，并且在设计上具有有限的灵活性，因为它们通过使用预成型膜的组装来制造。 探针尺寸限制了空间分辨率，并且控制了由探针插入引起的组织损伤的量。 为了克服这些限制，我们开发了一种在Si中微制造45 μ m厚180 μ m宽的探针的方法。 探针包含掩埋的U形通道，该U形通道深30 μ m，宽60 μ m，并且终止于用于外部连接的端口中。 在探针的4mm长度上覆盖5 μ m厚的纳米多孔膜。 通过穿过多孔氧化铝层的深反应离子蚀刻来微制造膜。 微制造探针的横截面积比最小的常规微透析探针的横截面积小79%。 对于各种小分子，探针...
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数字X射线成像装置
申请中
IPC: -
摘要: 一半导体图像检测装置(112)被提供用于使用一个数字X-射线图像中检测头包括一个片闪烁的材料具有一顶表面和一底表面，用于响应于X-射线能量中的发射光能量所述顶表面上的撞击。所述图像检测装置(112)是可操作以开发一种在响应于其上的能量照射的图像数据信号通过所述闪烁材料。所述图像检测装置(112)包括一基板组件(120)和多个电极(132-136)上形成的所述基板组件(120)。所述基板组件(120)包括 : 一个n-型层(122)具有一顶表面; 至少一个P-型层(124, 126)所述顶表面上形成的所述n-型层(122); 和一个埋置沟道(128)形成在所述P-型层(126)所述顶表面附近的所...
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直接晶片键合通孔光电二极管
申请中
IPC: -
摘要: 一种光电检测器阵列，包括由高电阻率低掺杂浓度第一半导体衬底和低电阻率高掺杂浓度第二半导体衬底形成的多个光电检测器。 第一半导体衬底和第二半导体衬底在键合界面处通过硅-硅原子键直接键合在一起，从而提供从第一衬底到第二衬底的急剧转变。 还提供了一种制造光电探测器阵列的方法。...
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负载效应引起的CVD硼沉积均匀性
申请中
IPC: -
摘要: 通过在沉积硼层之前在介电层上沉积粘附层，可以减小或消除窗口内的硅上的硼层的负载效应。粘附层可以通过沉积在粘附层上而减少或消除硼物质向窗口中的横向扩散。使用粘附层的方法可以使得能够在数十毫米尺度及以下的窗口内以纳米尺度形成硼层。硼层和硅层可以形成可用于扫描电子显微镜等的检测器。...
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一种基于两相电容的带串并帽电荷泵的能阱功率变换器系统
申请中
IPC: -
摘要: 提供了一种节能装置，包括开关装置、频率相关电抗装置和控制元件。 开关器件耦合到电源，并且包括一对晶体管，并且适于接收控制信号和产生交流功率信号。 交流电力信号的频率响应于控制信号。 所述频率相关无功器件电耦合到所述一对晶体管，用于接收所述交流功率信号并产生输出功率信号。 选择频率相关的无功器件以实现输出功率信号相对于交流功率信号的频率的期望电压。 控制元件感测直流功率信号的实际电压并修改所传送的控制信号以实现直流功率信号的期望电压。...
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用于微分析系统的高纵横比微加热器
申请中
IPC: -
摘要: 一种微机电加热装置和使用该装置的流体预浓缩器装置，其中该装置的加热元件的尺寸和间隔被设计成基本上均匀地加热该装置的加热器内的加热室。 使用高纵横比蚀刻技术在Si中制造高的，热隔离的加热元件。 这些高热元件具有大的表面积，以提供微型气相色谱系统(UGC)中高效预浓缩器所需的大吸附容量。 所述高加热元件被空气间隙包围以提供良好的热隔离，这对于在所述微晶玻璃系统中的低功率预浓缩器是重要的。...
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电流导数传感器
申请中
IPC: -
摘要: 一种用于检测，测量和报告电流信号(di/dt)的时间导数的系统和方法。 感测元件检测来自负载的电流。 感测元件包括电感器。 所述电感器与所述负载串联并且包括相关的寄生电阻。 差分电位在电感器和寄生电阻上产生。 差动电位被放大并转换为单端值。 单端值然后被馈送到模数转换器，模数转换器提供表示di/dt的输出。...
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半导体器件及其制造方法
申请中
IPC: -
摘要: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤 : 在形成形成第二导电类型的第一半导体层的第一平坦半导体层的衬底上形成第一柱状半导体层；以及形成第一绝缘膜。 该方法还包括形成栅极绝缘膜和栅电极、形成第二导电类型的第二半导体层、形成第一导电类型的半导体层和形成金属-半导体化合物的步骤。 第一绝缘膜的厚度大于在第一柱状硅层周围形成的栅极绝缘膜的厚度。...
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辐射检测系统和方法
申请中
IPC: -
摘要: 一种辐射检测阵列，包括：衬底；设置在衬底上方的介电层，该介电层包括辐射反应材料；设置在介电层上方的半导体层；形成在半导体层中的一组源极/漏极行；设置在半导体层上方的电荷存储结构；以及形成在电荷存储结构上方的一组栅极堆叠。...
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液晶显示器或有机发光二极管面板的有源区中的嵌入式手指打印机结构
申请中
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摘要: 一种嵌入指纹传感器的平板显示器，包括基板， 光传感器，形成在衬底的底表面上；透镜区域，设置在光传感器上方并与光传感器垂直地基本对准；以及光阻挡层，与光传感器垂直地基本对准并设置在光传感器和透镜区域之间。...
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硅结构的多级蚀刻
申请中
IPC: -
摘要: 1，一种工艺，包括 : (a)将停止蚀刻掩模施加到衬底，所述掩模限定了用于接收波导的凹槽和用于将光学器件相对于波导定位在衬底上的一个或多个基准的在所述衬底上的位置； 以及(b)蚀刻所述衬底以限定所述基准线和所述凹槽，所述凹槽的尺寸设计成容纳波导的至少一部分，所述基准线使得所述光学器件能够定位在所述衬底上，使得其与所述波导光学对准。...
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磁性MEMS传感器
申请中
IPC: -
摘要: 本发明涉及磁性微机电系统(MEMS)或磁性MEMS器件，特别是电子器件，其中构件邻接基座或衬底并从衬底延伸到磁场元件附近，磁场元件具有与构件的移动相关的改变的输出。 所述第一磁场元件适于发射或检测磁场并定位在所述构件附近，所述第二磁场元件适于发射或检测磁场并定位在所述基底或衬底附近，使得所述构件在第一方向上通过非磁力的移动导致与所述传感器在第一方向上的位移相关联的磁场强度的变化。 本发明还涉及制造磁性MEMS器件，换能器，传感器和加速度计的方法。...
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检测超薄SiON电介质中多绝缘体和衬底-绝缘体界面处产生的应力陷阱的方法
申请中
IPC: -
摘要: 一种用于评估栅极电介质(100)的方法，包括提供测试结构(101)。 所述测试结构包括栅极叠层和至少一个扩散区域，所述栅极叠层包括衬底上的栅极电介质上的栅极电极，所述至少一个扩散区域在所述衬底中扩散，所述扩散区域包括所述栅极叠层下方的部分和所述栅极叠层上方的部分。 对测试结构进行预应力关态I-V测试(102)，获得预应力关态I-V测试数据，其中预应力关态I-V测试包括涉及栅电极、衬底和扩散区的第一测量、涉及栅电极和衬底且扩散区浮动的第二测量以及涉及栅电极和衬底且扩散区浮动的第三测量。 然后对测试结构施加应力(103)，包括施加电应力一段时间(t)。 在应力施加之后，执行应力后I-V测试(104...
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集成MEMS麦克风和振动传感器
申请中
IPC: -
摘要: 描述了MEMS麦克风和振动传感器芯片和封装。 在一个实施例中，MEMS麦克风和振动传感器管芯包括管芯基板、管芯基板上的MEMS麦克风和管芯基板上的MEMS振动传感器。 MEMS振动传感器可以包括具有对应于不同谐振频率的不同检验质量的多个梁，其中不同的检验质量包括与管芯衬底相同的材料。...
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集成指纹和力传感器
申请中
IPC: -
摘要: 本文描述了一种加固的微机电(“MEMS”)传感器，其包括指纹和力感测元件，并且与互补金属氧化物半导体(“CMOS”)电路集成在同一芯片上。 该传感器使用压阻或压电传感元件来检测力，并且还使用电容或超声波传感元件来检测指纹图案。 力和指纹传感元件都电连接到同一芯片上的集成电路。 集成电路可通过输出焊盘将力值和/或指纹图案放大，数字化，校准，存储和/或传送到外部电路。...
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具有连续阳极/阴极的正面发光的PIN/NIP二极管
申请中
IPC: -
摘要: 一种光电检测器，包括具有彼此相对的第一和第二主表面的半导体衬底。 所述光电检测器包括形成在所述第一主表面中的至少一个沟槽和具有邻近所述至少一个沟槽的所述第一主表面和侧壁形成的第一导电性的第一阳极/阴极区域。 光电检测器包括靠近第二主表面的第二阳极/阴极区域。 第二阳极/阴极区域具有与第一导电率相反的第二导电率。 所述至少一个沟槽延伸到所述半导体衬底的第二主表面。...
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在三维地球模型中使用拓扑结构的储层隔间分析方法
申请中
IPC: -
摘要: 本发明提供了一种用于基于储层地质结构自动识别储层的潜在隔室的系统和方法。 一种识别储层结构的隔室的方法，包括获得对应于储层地质结构的结构数据。 所述方法还包括基于所述结构数据生成拓扑网，所述拓扑网包括临界点和连接所述临界点的多边形段。 所述方法还包括基于所述拓扑网识别所述储层结构的潜在隔室。 所述方法还包括基于所述拓扑网识别所述潜在隔间之间的溢出或断开关系。...
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制造用于热传感器的硅锗吸收器的方法
申请中
IPC: -
摘要: 一种用于生长多晶硅锗膜系统和方法，包括混合GeH4气体和SiH4气体以在硅晶片上涂覆和生长多晶硅锗膜。 还加热GeH4气体和SiH4气体，并将晶片周围的压力降低到至少2.5×103mbar以产生多晶硅锗膜。 然后对多晶硅锗薄膜进行退火，以提高其电阻率。...
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存储装置
申请中
IPC: -
摘要: 根据一个实施例，存储装置包括自旋转移转矩磁阻元件，自旋转移转矩磁阻元件包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层；温度检测单元，检测磁阻元件的环境温度；以及写入电压产生单元，根据由温度检测单元检测到的温度产生用于磁阻元件的写入电压。...
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三维垂直NOR闪存薄膜晶体管串
申请中
IPC: -
摘要: 一种存储器结构，包括 : (a)形成在半导体衬底上方的多晶硅有源列，每个有源列从衬底垂直延伸，并且包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和一个或多个轻掺杂区，每个轻掺杂区与第一和第二重掺杂区相邻，其中，有源列布置成在平行于半导体衬底的平面的第二和第三方向上延伸的二维阵列； (b)在每个活性柱的一个或多个表面上提供的电荷俘获材料； 和(c)导体，每个导体沿第三方向纵向延伸。 有源柱、电荷俘获材料和导体一起形成多个薄膜晶体管，其中每个薄膜晶体管由导体之一、有源柱的轻掺杂区域的一部分、轻掺杂区域的部分和导体之间的电荷俘获材料以及第一和第二重掺杂区域中的一个形成。 与每个有源列相关联的薄膜晶体管被组织成一个或...
